第一章? 常用半導體器件
自? 測? 題
???? 一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結果填入空內。?
???? （1）在 N 型半導體中如果摻入足夠量的三價元素，可將其改型為 P 型
半導體。 （?? ）
???? （2）因為 N 型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。 （?? ）
???? （3）PN 結在無光照、無外加電壓時，結電流為零。 （?? ）
（4）處于放大狀態的晶體管，集電極電流是多子漂移運動形成的。
??????????????????????????????????????????????? （?? ）
???? （5）結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電
壓，才能保證其 RGS 大的特點。 （?? ）
???? （6） 若耗盡型 N 溝道 MOS 管的 UGS 大于零， 則其輸入電阻會明顯變小。
二、選擇正確答案填入空內。
???? （1）PN 結加正向電壓時，空間電荷區將?????? 。
?????????? A.?? 變窄?????? B.?? 基本不變????? C.?? 變寬
???? （2）設二極管的端電壓為 U，則二極管的電流方程是?????? 。
?????????? A.??? IS e
U?????? B.?
T U U I e S??????? C.???? ) 1 e ( S － T U U I
???? （3）穩壓管的穩壓區是其工作在?????? 。
?????????? A.?? 正向導通??? B.反向截止????? C.反向擊穿
???? （4）當晶體管工作在放大區時，發射結電壓和集電結電壓應為?????? 。?
?????????? A.?? 前者反偏、后者也反偏
?????????? B.?? 前者正偏、后者反偏
?????????? C.?? 前者正偏、后者也正偏
???? （5）UGS＝0V 時，能夠工作在恒流區的場效應管有?????? 。
?????????? A.?? 結型管? B.?? 增強型 MOS 管?? C.?? 耗盡型 MOS 管