SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術制造的 512K x16 CMOS 多用途閃存 +（Multi-Purpose Flash Plus，MPF+）器件。與其他方法相比，分離柵極單元設計和厚氧化層隧穿注入器可實現更高的可靠性和可制造性。 SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/ 802C使用2.7-3.6V電源進行寫操作（編程或擦除）。這些器件遵從x16存儲器的JEDEC標準引腳排列。 SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 器件具有高性能的字編程能力，其典型字編程時間為 7 μs。這些器件使用翻轉位、數據 # 查詢或 RY/BY# 引腳來指示編程操作是否完成。為了防止意外寫操作，這些器件提供了片上硬件和軟件數據保護方案。這些器件針對一系列廣泛應用進行設計、制造和測試，典型可擦寫次數可確保達到 100，000 次。數據額定保存時間則大于 100 年。 SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 器件適用于需要方便且經濟地更新程序、配置或數據存儲器的應用。對于所有系統應用，它們都可以顯著提高性能和可靠性，同時降低功耗。相較于其他閃存技術，它們本質上在擦除和編程期間消耗的能量更低。消耗的總能量是應用中施加電壓、電流和時間的函數。對于任何給定的電壓范圍，SuperFlash 技術的編程電流更低、擦除時間更短；因此，在任何擦除或編程操作期間消耗的總能量低于其他閃存技術。在降低程序、數據和配置存儲應用成本的同時，這些器件還可以提高靈活性。 SuperFlash 技術支持固定的擦除和編程時間，時間與所發生的擦除/編程周期數無關。因此，系統軟件或硬件不需要進行修改或降額，這一點不同于其他一些擦除和編程時間會隨擦除 /編程周期數累積而增加的閃存技術。為了滿足高密度、表面貼裝的要求，SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 提供了 48 引腳 TSOP、 48 球 TFBGA 和 48 球 WFBGA 封裝。關于引腳分配，請參見圖 2、圖 3 和圖 4。