目前，DSP技術已廣泛用于信號處理、通信和雷達等領域。TI公司的帶EMIF擴展存儲器接口的浮點DSPTMS320C672x系列是專為高速、高性能應用而開發的，主要應用于高速寬帶、圖像處理和高速鐵路軌道信號處理等領域。DSP應用平臺設計中，外部存儲器接口（EMIF）是為DSP與外部設備之間提供連接。EMIF和外部器件SDRAM以及Flash的合理設計關系到系統的數據存儲和程序加載。
　　TMS320C672x系列浮點DSP的EMIF性能優良，增強了與外部1、2或4區的16位或32位SDRAM和異步器件連接的方便性和靈活性。TMS320C6722和TMS320C6726 EMIF寬度為16位，支持的SDRAM可達128 Mb；TMS320C6727EMIF寬度為32位，支持高達256Mb和512Mb的SDRAM。
　　異步存儲器接口是從并行的8位、16位或32位NOR Flash實現系統自啟動。若使用大容量的Flash，EMIF連接Flash的高位地址線可通過外部器件CPLD或自身GPIO口擴展。
　　1 EMIF接口
　　EMIF接口具有很強的外設連接能力，可尋址空間一般比較大，數據吞吐較快。EMW接口支持的器件包括同步突發靜態RAM（SBSRAM）、同步動態RAM（SDRAM）、各種異步設備（SRAM、ROM和FIFO）以及同步FIFO。TMS320C672x的EMIF引腳結構如圖1所示。
　　
　　其主要引腳功能如下：
　　EM_A［x：0］：EMIF地址總線。當與SDRAM器件連接時，地址總線主要為SDRAM提供行地址和列地址。當與異步器件連接時，這些引腳與EM_BA引腳提供器件地址。
　　EM_BA［1：0］：EMIF存儲區地址線。與SDRAM連接時，為SDRAM提供存儲區地址。與異步器件連接時，這些引腳與EM_A引腳共同提供器件地址。
　　EM_WE_DQM［x：0］：低電平有效寫觸發或字節使能引腳。與SDRAM連接時，這些引腳與SDRAM的DQM引腳連接。在數據訪問中分別使能／禁止每一字節。與異步器件連接時，這些引腳可作為字節使能（DQM）或字節寫觸發（WE）。
　　EM_CS［0］和［2］：CS［0］為SDRAM器件低電平有效芯片使能引腳，當訪問異步器件時此引腳失效，在完成異步存取后自動恢復其功能；CS［2］為低電平有效異步器件使能引腳，僅在訪問異步存儲器時有效。
　　EM_RAS：低電平有效行地址選通引腳，與SDRAM的RAS引腳連接，用于向此器件發送命令。
　　EM_CAS：低電平有效列地址選通引腳，與SDRAM的CAS引腳連接，用于向此器件發送命令。
　　EM_CKE：時鐘使能引腳，與SDRAM的CKE連接，發出自刷新命令，使器件進入自刷新模式。
　　EM_CLK：SDRAM時鐘引腳，EMIF時鐘來自DSP的PLL控制器的SYSCLK3時鐘模塊。
　　2 EMIF與SDRAM的設計
　　這里以SDRAM（HY57V281620A）為例，說明EMIF和SDRAM的接口與配置，HY57V281620A是4 Bankx2MBx16 bit的SDRAM器件，可與TMS320C67 22 DSP無縫連接。圖2是TMS320C6722型DSP與HY57V281620A型SDRAM的電路連接。