第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143
第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存的比較..........................................................................143
第二章 內(nèi)存模塊的疊層設(shè)計(jì).............................................................................145
第三章 內(nèi)存模塊的時(shí)序要求.............................................................................149
3.1 無(wú)緩沖（Unbuffered）內(nèi)存模塊的時(shí)序分析.......................................149
3.2 帶寄存器（Registered）的內(nèi)存模塊時(shí)序分析...................................154
第四章 內(nèi)存模塊信號(hào)設(shè)計(jì).................................................................................159
4.1 時(shí)鐘信號(hào)的設(shè)計(jì).......................................................................................159
4.2 CS 及CKE 信號(hào)的設(shè)計(jì)..............................................................................162
4.3 地址和控制線的設(shè)計(jì)...............................................................................163
4.4 數(shù)據(jù)信號(hào)線的設(shè)計(jì)...................................................................................166
4.5 電源，參考電壓Vref 及去耦電容.........................................................169
第五章 內(nèi)存模塊的功耗計(jì)算.............................................................................172
第六章 實(shí)際設(shè)計(jì)案例分析.................................................................................178

目前比較流行的內(nèi)存模塊主要是這三種：SDR，DDR，RAMBUS。其中，RAMBUS
內(nèi)存采用阻抗受控制的串行連接技術(shù),在這里我們將不做進(jìn)一步探討，本文所總
結(jié)的內(nèi)存設(shè)計(jì)技術(shù)就是針對(duì)SDRAM 而言(包括SDR 和DDR)。
現(xiàn)在我們來(lái)簡(jiǎn)單地比較一下SDR 和DDR，它們都被稱為同步動(dòng)態(tài)內(nèi)存，其核
心技術(shù)是一樣的。只是DDR 在某些功能上進(jìn)行了改進(jìn)，所以DDR 有時(shí)也被稱為
SDRAM II。DDR 的全稱是Double Data Rate，也就是雙倍的數(shù)據(jù)傳輸率，但是其
時(shí)鐘頻率沒(méi)有增加，只是在時(shí)鐘的上升和下降沿都可以用來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操
作。對(duì)于SDR 來(lái)說(shuō),市面上常見(jiàn)的模塊主要有PC100/PC133/PC166,而相應(yīng)的DDR
內(nèi)存則為DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)。