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電子發燒友網>電子資料下載>傳感與控制>PID測試標準與光照對PID組件的影響介紹

PID測試標準與光照對PID組件的影響介紹

2017-10-18 | rar | 0.1 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

  PID試驗的測試標準主要是溫度和濕度方面。通過實驗室模擬實際運行環境,并將環境條件的惡劣程度放大,計算對應于相應的運行時間,達到時間和環境等效的結果,這是各種實驗室測試PID的最終目的。

  業內不知道25C常溫和60C及85C下做PID測試到底有什么區別,也沒有實際的研究去證明時溫等效在PID上的計算公式。這方面筆者只能提出疑問,說不出個所以然。尤其是溫度上,總覺得夏天的陽光下,不發電都會有五、六十度的高溫,用85C來模擬,根本不能算是加速試驗,更不要說常溫或60C了。就濕度上來說,沿海地區或內陸地區下完雷陣雨后85%的濕度也就是環境濕度,甚至還不到環境濕度。真的無法評說。

  那么,難道要放在釜里去煮啊?筆者沒有這樣的研究,或許將來真有這種需要,用HAST的方法做PID。

  除了溫濕度,再談談其它的可能環境因素。

  首當其沖的,筆者得講講光照的影響。

  PID在什么時候會發生?答曰:需要有系統電壓加在組件上,并且因邊框接地而對地形成電勢差。所以,形成PID必須是在系統發電的時候,不會在晚上。這就帶來一個問題,即光照條件對組件帶來什么影響。

  光照可能從兩方面對組件的PID產生作用。

  一是當光照時組件本身的發電情景,此時組件內部是有電流通過的,而現有PID試驗是將組件的正負極短接后進行實驗的,這到底有什么區別?有說法是產生PID效應時,陣列中的某塊組件正好處于不發電或低于正常發電量的狀態,如組件被局部遮擋時。此時被遮擋單元的電流不是或不完全是通過光生伏打效應進行的,而是系統的電流強行流過,甚至是沒有電流通過,而串聯陣列中的下游組件繼續在發電,被遮擋處就成了電流的瓶頸,導致接地的邊框產生從地到玻璃到電池片的“倒灌漏電流”,玻璃中的金屬離子遷移到電池片表面上,破壞了電池的N型電場結構。在這種情況下,光照對PID的影響到底是什么。

  第二種情況是經過長期光照的組件對PID的抵抗能力。一般客戶在自測或給認證機構送樣時都是新組件。這時候組件各部分材料的性能都保持得比較完整的。如EVA,是沒有經過任何光照、紫外降解的新鮮EVA。此時EVA材料內游離的醋酸成分(或者說VA中的V成分)是很少的,做PID試驗時只有靠這一點醋酸成分以及試驗過程中可能產生的游離醋酸成分帶動玻璃中金屬離子的遷移(當然EVA分子結構因為醋酸的存在相對于聚烯烴來說極性更強一點,分子極化可能也會有助于漏電流的形成,所以EVA的體積電阻(10的14次方數量級)一般要比聚烯烴(10的18次方數量級)低)。尤其是抗材料廠推出的抗PID的EVA,VA含量尤其低,這樣的組件做當前試驗方法下的抗PID試驗,漏電流就會比較低,給大家的結果自然是96小時內沒有發現PID效應。

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