▋影響VoLTE MOS的主要因素 VoLTE MOS的優(yōu)化和基礎的無線優(yōu)化息息相關，主要從以下幾個方面進行分析：容量、上行干擾、弱覆蓋、切換、RRC重建、故障告警以及UE問題等。 ▋VoLTE MOS優(yōu)化手段 1、容量優(yōu)化 高負荷場景下由于資源受限會導致VOLTE語音包無法及時調度，增大時延和抖動，嚴重時還會引起棄包，從而影響MOS值。 大話務導致高丟包最直接有效的優(yōu)化方法就是負載均衡、業(yè)務分擔，對于單層網(wǎng)或者周邊站點較少的情形，可以根據(jù)覆蓋場景建立多層網(wǎng)覆蓋，提升用戶VOLTE語音通話質量以及數(shù)據(jù)業(yè)務感知。負荷分擔參數(shù)如下： 2、上行干擾 在LTE系統(tǒng)中，由于UE上行功率有限，上行信道容易成為瓶頸。在移動TDD系統(tǒng)中，由于無法應用TTI bundling等技術，上行更容易成為受限因素。 針對干擾小區(qū)先進行干擾排查、定位干擾原因，最終清除干擾。從參數(shù)層面通過Power Control削減干擾對指標的影響，從 Differential Uplink Power Control、PRACH Power Control、PUSCH Power Control、PUCCH Power Control等方面考慮并修改參數(shù)。 開啟基于上行質量的ESRVCC切換功能，該功能增加了UL SINR作為第三連接質量檢測依據(jù)(傳統(tǒng)的是DL RSRP和RSRQ),上行SINR比較差時觸發(fā)門限，切換到更好的其他系統(tǒng)小區(qū)。UE在LTE原小區(qū)做VoLTE業(yè)務, 并向小區(qū)邊緣移動，進入UL search zone后，當eNB檢測當前SINR值低于a1a2UlSearchThreshold門限時，會向UE下發(fā)B2測量配置，當UE測量到滿足B2門限的GSM 小區(qū)后,則會向eNB上報B2事件，報告中會包含測量到的目標GSM小區(qū)的頻點和BSIC信息，隨后eNB會向UE下發(fā)B2事件中包含的GSM小區(qū)的切換命令, 完成一次成功的SRVCC 切換。修改參數(shù)如下： 3、弱覆蓋整治 VoLTE語音質量和覆蓋密切相關，MOS值與RSRP、SINR以及RSRQ之間呈正相關關系，通過大數(shù)據(jù)統(tǒng)計以及單小區(qū)驗證結果相符，增長趨勢一致。為了保持VOLTE通話質量優(yōu)勢，保證MOS >3.5，推薦的無線環(huán)境參數(shù)如下： RSRP> -105dbm，MOS> 3.5 RSRQ> -13，MOS> 3.5 SINR> 6，MOS約3.5 4、切換優(yōu)化 切換對VOLTE語音質量的影響，從大的分類來看： LTE系統(tǒng)內(nèi)切換 切換過程中，會造成語音包的時延和抖動增大，嚴重時還會造成丟包，所以會對MOS指標（無論是信令平臺還是路測）造成影響。 針對頻繁切換區(qū)域站點進行互操作參數(shù)調整，減少乒乓切換次數(shù)，優(yōu)化MOS。 切換參數(shù)以及重選優(yōu)先級策略： 切換方式策略： SRVCC切換： SRVCC切換后UE的MOS體驗會下降，因此路測過程中一般都會盡量避免SRVCC；針對高ESRVCC點進行LTE覆蓋分析，從故障處理、鄰區(qū)漏配、室分泄露、天饋優(yōu)化等方面對LTE弱覆蓋問題進行優(yōu)化。 5、RRC重建立 RRC 重建立的目的是恢復RRC信令連接，減少掉線，但重建過程會帶來較長的業(yè)務面中斷時間，對VOLTE語音質量造成嚴重影響。 重建的發(fā)生往往意味著其他潛在的問題：比如鄰區(qū)漏配、RRC重配置錯誤、弱覆蓋、重疊覆蓋等。因此，重建的優(yōu)化原則是盡量減少重建的發(fā)生，而不是簡單提高重建的成功率。 重建問題一般用重建發(fā)生率和重建成功率來指示。??? Reconfiguration failure：UE在安全模式激活的狀態(tài)下，收到了重配置消息后如果對于重配置消息內(nèi)的信元無法匹配或兼容，則發(fā)起原因值為“reconfiguration failure”的重建。