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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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CES2320-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: CES2320-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi VB1330 N-Channel MOSFET**

- **參數(shù)說明:**
 - 電壓:30V
 - 電流:6.5A
 - 開態(tài)電阻 (RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓 (Vth):1.2~2.2V

- **封裝:** SOT23

- **應(yīng)用簡介:**
 - VB1330是一款N-Channel溝道MOSFET,適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域。
 - 其低開態(tài)電阻和高電流特性使其在高性能電路中表現(xiàn)出色。

- **應(yīng)用領(lǐng)域:**
 1. **電源模塊:** 由于其低開態(tài)電阻和高電流能力,VB1330可用于電源開關(guān)模塊,提高功率轉(zhuǎn)換效率。
 2. **驅(qū)動電路:** 在驅(qū)動電路中,VB1330可用于控制信號,實現(xiàn)快速且可靠的開關(guān)操作。
 3. **電流控制模塊:** 適用于需要精準(zhǔn)電流控制的電路,如電機(jī)控制和電流穩(wěn)定器。

該MOSFET適用于各種需要高性能開關(guān)和電流控制的電子領(lǐng)域,為電路設(shè)計提供了靈活性和可靠性。

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