TC1606 2W高線性高效率GaAs功率場效應晶體管

晶體管

型號： TC1606

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo
型號 TC1606
名稱砷化鎵HEMT
產地日本
封裝 Chip

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的TC1606是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT），具有高線性和高功率附加效率。該裝置采用適當的通孔工藝進行處理，提供了低成本熱阻和低電感。長的柵極長度使得器件具有高擊穿電壓。所有設備都經過100%直流測試，以確保質量一致。焊盤為鍍金熱壓或熱聲引線接合。背面鍍金與標準AuSn兼容模具連接。典型應用包括商用高性能功率放大器

型號規格
廠家 Sumitomo
型號 TC1606
名稱砷化鎵HEMT
產地日本
封裝 Chip

型號參數
2W 6 GHz時的典型功率
線性功率增益：GL=12 dB 6 GHz時的典型值
高線性度：IP3=43 dBm，6 GHz時典型
過孔源接地
適用于高可靠性應用
擊穿電壓：BVDGO≥18V
Lg=0.6μm，Wg=5 mm
高功率附加效率：6 GHz時標稱PAE為43%
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試

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