TC2282 低噪聲陶瓷封裝PHEMT GaAs FET

FET GaAs 晶體管

型號： TC2282

--- 產品參數 ---

廠家 Sumitomo
型號 TC2282
名稱砷化鎵HEMT
產地日本
封裝 Chip

--- 產品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的TC2282是一種高性能場效應晶體管，封裝在帶有TC1202的陶瓷micro-x封裝中PHEMT芯片。它具有非常低的噪聲系數、高的相關增益和高的動態范圍，使該設備成為可能適用于低噪聲放大器。所有設備都經過100%直流測試，以確保質量一致。

型號規格
廠家 Sumitomo
型號 TC2282
名稱砷化鎵HEMT
產地日本
封裝 Chip

型號參數
0.5 dB 12 GHz時的典型噪聲系數
高相關增益：Ga=12 dB，典型頻率為12 GHz
Lg=0.25μm，Wg=300μm
嚴密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
100%直流測試
Micro-X金屬陶瓷封裝

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