型號 NTD3055L170T4G-VB
絲印 VBE1695
品牌 VBsemi
參數(shù)
類型 N溝道
最大耐壓 60V
最大電流 18A
靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON)) 73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V
門源極電壓 (Vgs) 20V (±V)
閾值電壓 (Vth) 2V
封裝類型 TO252
應用簡介
NTD3055L170T4G-VB是一款N溝道MOSFET，適用于多種電子應用，以下是一些可能的應用領域
1. 電源模塊 這款MOSFET可用于電源模塊中的功率開關，幫助提高電源管理的效率，適用于便攜式設備、嵌入式系統(tǒng)和電源逆變器。
2. DC-DC轉換器 NTD3055L170T4G-VB可以用于DC-DC轉換器中，將一個電壓轉換成另一個電壓，適用于電池驅動的設備、電子終端和通信設備。
3. 電池管理 它還可以用于電池管理系統(tǒng)中，控制電池的充電和放電，確保電池的安全和性能。
4. 電機驅動 NTD3055L170T4G-VB可用于電機驅動電路，如電機控制器和電動工具，以實現(xiàn)高效的電機運行。
5. 汽車電子 由于其高電流承受能力和低導通電阻，這種MOSFET也適用于汽車電子系統(tǒng)，如車輛電源管理和驅動控制。
NTD3055L170T4G-VB的特性使其適用于多種中等功率電子應用，尤其是在需要高電流承受能力和低導通電阻的情況下。然而，在選擇和使用該器件時，仍然需要詳細了解其數(shù)據(jù)手冊和性能參數(shù)，以確保其滿足特定應用的要求。
