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DXT2011P5Q 100V NPN中功率 低飽和 晶體管

型號: DXT2011P5Q

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DXT2011P5Q
  • 名稱 100V NPN中功率 低飽和 晶體管
  • 產地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®5

--- 產品詳情 ---

DXT2011P5Q  

產品簡介
DIODES 的DXT2011P5Q這種雙極結型晶體管(BJT)設計用于滿足汽車應用的要求。


產品規格  
品牌                    DIODES
型號                    DXT2011P5Q
名稱                    100V NPN中功率 低飽和 晶體管
產地                    臺灣
封裝                    PowerDI?5

 

產品參數
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 100
IC (A) 6
ICM (A) 10
PD (W) 3.2
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 2
hFE(Min 2) 30
hFE (@ IC2) (A) 5
VCE(sat) Max (mV) 65
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 1/100
VCE(sat) (Max.2) (mV) 125
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/100
fT (MHz) 130


主要特征
BVCEO > 100V
IC = 6A 高連續集電極電流
ICM = 10A 峰值集電極電流
PD高達3.2W
比SOT223小43%;比 TO252 小 60%
最大高度僅為1.1mm

 


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