DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護，每個存儲塊可寫8次。DS28E80通過單觸點1-Wire?總線進行標準速率或高速率通信。每片器件都擁有唯一的64位識別碼，由工廠寫至芯片。通信符合1-Wire協議，在多器件的1-Wire網絡中，64位識別碼作為節點地址。
應用
- 鑒定和校準醫療工具/附件
- 醫用消費品鑒定
- 高耐γ輻射能力，允許用戶在醫療滅菌之前進行編程制造或校準數據
- 承受高達75kGy (千戈瑞) γ輻射
- 可重編程248字節用戶存儲器
- 較小的存儲塊大小，用戶存儲器編程較靈活
- 存儲器分為8字節存儲塊
- 每個存儲塊可寫8次
- 每個存儲塊均提供用戶可編程寫保護
- 高級1-Wire協議，將接口減小為單觸點
- 緊湊的封裝和單IO接口，減小電路板空間，增強可靠性
- 唯一的工廠編程64位識別碼
- 1-Wire標準速率(最大15.3kbps)和高速(最大76kbps)通信
- 工作范圍：3.3V ±10%，-40°C至+ 85°C，讀操作；0°C至+50°C，寫操作
- IO引腳具有±8kV HBM ESD保護(典型值)
- 6引腳TDFN封裝
DS28E30
DS28E40
DS28E84
DS28E16
DS28E39
DS1964S
DS28E50
DS2477
DS28E83
DS28E36
DS28E38
DS28E80
DS2475
DS24L65
DS28E35
DS28EL22
DS28EL15
DS28E22
DS2465
DS28E15
DS28E25
DS28E02
DS28E10
DS28E01-100
