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深圳市三佛科技

代理 芯茂微,統懋,臺灣富鼎,新潔能,PFC,華潤華晶,長電,遠翔,成啟,華能MOS管,二三極管。

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MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管

型號: MSM06065G1

--- 產品參數 ---

  • 品牌 美浦森
  • 封裝 DFN5*6
  • 型號 MSM06065G1

--- 產品詳情 ---

深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管,原裝,庫存現貨熱銷

MSM06065G1  品牌:美浦森  封裝:DFN5*6   電壓:650V  電流:6A  碳化硅二極管

MSL06065G1,碳化硅二極管,耐壓650V,150℃連續正向電流6A,工作溫度范圍-55到175℃,正向壓降1.4V,并具有正溫度系數特性,可直接并聯使用。可應用于開關電源,功率因數校正,馬達驅動和氙氣燈照明應用。

 

MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管產品特性:
650V肖特基整流器
更短的恢復時間
可實現高速切換
極高頻率
開關行為與溫度無關
切換速度極快
VF為正溫度系數

 

 

MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管產品優勢:
更高的過電壓安全裕量
提高所有負載條件下的效率
與硅二極管相比提高了效率,降低了散熱器要求
無熱失控,可并聯
基本上沒有開關損耗。

應用領域
開關電源
PFC電路
電機驅動器
PD快充
充電樁
光伏逆變器。


售后服務:公司免費提供樣品,并提供產品運用的技術支持。
阿里店鋪:阿里 “供應商 ”搜索 ,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服購買
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MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管 產品供應

 

碳化硅材料優點:
碳化硅材料有很多優點,如禁帶寬度很大、臨界擊穿場強很高、熱導率很大、飽和電子漂移速度很高和介電常數很低如表 1-1。首先大的禁帶寬度,如 4H-SiC其禁帶寬度為 3.26 eV,是硅材料禁帶寬度的三倍多,這使得器件能耐高溫并且能發射藍光;高的臨界擊穿場強,碳化硅的臨界擊穿場強 (2-4 MV/cm)很高,4H-SiC的臨界擊穿場強為 2.2 MV/cm,這要高出 Si 和 GaAs 一個數量級,所以碳化硅器件能夠承受高的電壓和大的功率;大的熱導率,熱導率是 Si 的 3.3 倍和 GaAs 的10 倍,熱導率大,器件的導熱性能就好,集成電路的集成度就可以提高,但散熱系統卻減少了,進而整機的體積也大大減小了;高的飽和電子漂移速度和低的介電常數能夠允許器件工作在高頻、高速下。但是值得注意的是碳化硅具有閃鋅礦和纖鋅礦結構,結構中每個原子都被四個異種原子包圍,雖然 Si-C 原子結合為共價鍵,但硅原子 1.8 的負電性小于負電性為 2.6 的 C 原子,根據 Pauling 公式,離子鍵合作用貢獻約占 12%,從而對載流子遷移率有一定的影響,據目前已發表的數據,各種碳化硅同素異形體中,輕摻雜的 3C-SiC 的載流子遷移率最高,與之相關的研究工作也較多,在較高純的 3C-SiC 中,其電子遷移率可能會超過 1000 cm/(V.s),最高的跟硅也有一定的差距。
與 Si 和 GaAs 相比,除個別參數外(遷移率),SiC 材料的電熱學品質全面優于 Si 和 GaAs 等材料,僅次于金剛石。因此碳化硅器件在高頻、大功率、耐高溫、抗輻射等方面具有巨大的應用潛力,它可以在電力電子技術領域打破硅的極限,成為下一代電力電子器件。

 

 

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