DMN10H120SE 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN10H120SE

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN10H120SE
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H120SE這種新一代MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)，使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN10H120SE
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 SOT223

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 110 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 122 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 10 nC
CISS Typ (pF) 549 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V

主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
小型表面貼裝封裝
完全無(wú)鉛且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)（注釋 1 和 2）
不含鹵素和銻。“綠色”設(shè)備（注3）

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