價格貨期電議
超高真空電子束蒸鍍設備 UHV E-beam Evaporation System
超高真空環(huán)境的特征為其真空壓力低于 10-8至10-12 Torr, 在化學物理和工程領域十分常見. 超高真空環(huán)境對于科學研究非常重要, 因為實驗通常要求, 在整個實驗過程中, 表面應保持無污染狀態(tài)和使用較低能量的電子和離子的實驗技術的使用, 而不會受到氣相散射的過度干擾. 在這樣超高真空環(huán)境下使用電子束蒸鍍,
上海伯東代理超高真空電子束蒸鍍設備腔體極限真空度約為 10-10Torr, 針對超高真空和高溫加熱設計基板旋轉鍍膜機構, 使用陶瓷培林旋轉, 并在內(nèi)部做水冷循環(huán)來保護機構以確保長時間運轉的穩(wěn)定性, 可以提供高質量的薄膜, 薄膜均勻度小于 ±3％.
超高真空電子束蒸鍍配置和優(yōu)點
客制化的基板尺寸, 最大直徑可達 8吋晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
具有水冷坩堝的多組坩鍋旋轉電子束源 (1/2/4/6坩堝）
自動鍍膜系統(tǒng)
具有順序操作或共沉積的多個電子束源
基板具有冷卻 ( 液態(tài)氮溫度低至-70°C ) 或加熱 ( 溫度最高800°C ) 等功能
電子束蒸鍍設備基本參數(shù)
| 系統(tǒng) | Real超高真空 | 超高真空 | 高真空 |
| 極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 全部 CF | 一些密封圈 | 全部密封圈 |
| Load-lock | 標準 | 標準 | 可選 |
| E-beam 源 | 4-6 坩堝 7-25 cc | 4-6 坩堝 7-25 cc | 4-6 坩堝 7-25 cc |
| 基板 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 | 4-8 英寸 加熱 / 水冷 / 液氮冷卻 |
| 真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 低溫泵 / 分子泵 |
| 監(jiān)控 | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM | 真空規(guī) 和 QCM |
| 工藝控制 | 速率控制 | 速率控制 | 速率控制 |
| 供氣 | 氮氣 | 氮氣 | 氮氣 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應用
腔體為使用金屬密封圈并可烘烤至 150°C
腔體的極限真空度約為 10-10Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結合美國 KRi 離子源, 濺鍍槍, 熱蒸發(fā)源, 等離子清潔...
應用領域
光學材料研究 (LED / Laser Diode)
光電元件
半導體元件
對傳統(tǒng)熱蒸發(fā)技術難以實現(xiàn)的材料蒸發(fā), 可采用電子束蒸發(fā)的方式來實現(xiàn). 不同于傳統(tǒng)的輻射加熱和電阻絲加熱, 高能電子束轟擊可實現(xiàn)超過 3000℃ 的局域高溫, 這使得絕大部分常用材料都可以被蒸發(fā)出來, 甚至是高熔點的材料, 例如, Pt, W, Mo, Ta 以及一些氧化物, 陶瓷材料等. 上海伯東代理的電子束蒸發(fā)源可承載 1-6種不同的材料, 實現(xiàn)多層膜工藝; 蒸發(fā)源本身防污染設計, 使得不同材料之間的交叉污染降到最低.
若您需要進一步的了解電子束蒸鍍設備詳細信息或討論, 請聯(lián)絡上海伯東葉女士
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