Qorvo 的 QPD2018D 是一款分立式 180 微米 GaAs pHEMT 晶體管，工作頻率為直流至 20 GHz。它提供 14 dB 的增益和 55% 的功率附加效率，噪聲系數(shù)為 1 dB。該晶體管采用 Qorvo 的標(biāo)準(zhǔn) 0.25 um 功率 pHEMT 生產(chǎn)工藝設(shè)計(jì)，采用先進(jìn)技術(shù)，可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化微波功率和效率。它以尺寸為 0.41 x 0.34 x 0.10 毫米的芯片形式提供，帶有氮化硅保護(hù)涂層，可提供環(huán)境穩(wěn)定性和劃痕保護(hù)。該晶體管非常適合用于通信、雷達(dá)、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電和衛(wèi)星通信應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格

產(chǎn)品詳情

零件號(hào)             QPD2018D

制造商              科爾沃

描述                 從 DC 到 20 GHz 的分立 GaAs pHEMT 晶體管芯片

一般參數(shù)

晶體管類(lèi)型       pHEMT

應(yīng)用行業(yè)          廣播、雷達(dá)、衛(wèi)星通信

頻率                直流至 20 GHz

力量                22 dBm (Psat)

功率(W)          0.15 瓦（Psat）

P1dB               22分貝

獲得                14分貝

噪聲系數(shù)         1分貝

電源電壓          8 伏

當(dāng)前的             29 毫安

無(wú)鉛                 是的

包裝類(lèi)型          表面貼裝

包裹                 死

方面                0.41 x 0.34 x 0.10 毫米

RoHS               是的

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