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CGHV27015S高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號： CGHV27015S

--- 產品參數 ---

  • 操作頻率 2.4 – 2.7 GHz
  • 典型輸出功率 15 W
  • 增益 2.5 W PAVE 時 21 dB
  • PAVE -38 dBc ACLR，2.5 W
  • PAVE 時效率 2.5 W 為 32%
  • 可應用高度 APD 和 DPD 校正

--- 產品詳情 ---

CGHV27015S 是無與倫比的；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV27015S 成為 LTE 的理想選擇；4G 電信和 BWA 放大器應用。CGHV27015S GaN HEMT 器件適用于 3300-3500MHz；4900-5900MHz；700-960MHz；1800-2200MHz；2500-2700MHz 和擴展的 S 和 C 波段應用。CGHV27015S 在 50 伏電壓軌上運行。晶體管尺寸為 3mm x 4mm；表面貼裝; 雙扁平無引線 (DFN) 封裝。

CGHV27015S

 

特征
2.4 – 2.7 GHz 操作
15 W 典型輸出功率
2.5 W PAVE 時 21 dB 增益
-38 dBc ACLR，2.5 W PAVE
2.5 W PAVE 時效率為 32%
可應用高度 APD 和 DPD 校正


應用
長期演進；4G；電信和 BWA 放大器
戰術通訊
有線電視；無人機數據鏈


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