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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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C2M0045170D碳化硅MOSFET

型號： C2M0045170D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1700V
  • 柵極 - 源極電壓 -10/+25V
  • 柵極 - 源極電壓 -5/+20
  • 脈沖漏極電流 160A
  • 功耗 520W
  • 工作結(jié)溫和存儲溫度 -40to+150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C2M0045170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉(zhuǎn)換提供更快的開關(guān)和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現(xiàn)更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關(guān)頻率；較小的設(shè)計；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。

C2M0045170D

優(yōu)點
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率


特征
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 抗閂鎖
? 無鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

 

應(yīng)用
? 太陽能逆變器
? 開關(guān)模式電源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 電機驅(qū)動
? 脈沖電源應(yīng)用

 

漏源電壓:1700V
柵極-源極電壓動態(tài):-10/+25V
柵極-源極電壓靜態(tài)：-5/+20V
脈沖漏極電流：160A
功耗：520W
工作結(jié)溫和存儲溫度:-40 to+150?C
焊接溫度:260?C


相關(guān)型號
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