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FCP260N65S3 N溝道SuperFET

數據:

產品信息

SuperFET
III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超結(SJ)MOSFET系列,利用均衡技術實現出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術可以最大限度地減少傳導損耗,提供更高的開關性能,并承受極高的dv / dt速率。因此,SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電力系統。 700 V @ T = 150°C 低效輸出電容(典型值Coss(eff。)= 248 pF) 超低柵極電荷(典型值Qg = 24 nC) 優化電容 內部柵極電阻:8.7ohm 典型值。 R =222mΩ 100%雪崩測試 符合RoHS
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