描述

SMV512K32是一款高性能異步CMOS SRAM，由32位524,288個字組成。可在兩種模式：主控或受控間進行引腳選擇。主設件為用戶提供了定義的自主EDAC擦除選項。從器件選擇采用按要求擦除特性，此特性可由一個主器件啟動。根據用戶需要，可提供3個讀周期和4個寫周期（描述如下）。

特性

• 20ns讀取，13.8ns寫入（最大存取時間）
• 與商用
  512K x 32 SRAM器件功能兼容
• 內置EDAC（錯誤偵測和校正）以減輕軟錯誤
• 用于自主校正的內置引擎
• CMOS兼容輸入和輸出電平，3態雙向數據總線
  • 3.3±0.3VI /O，1.8±0.15V內核
• 輻射性能放射耐受性是一個基于最初器件標準的典型值。輻射數據和批量驗收測試可用 - 細節請與廠家聯系。
  • 設計使用基底工程和抗輻射（HBD）與硅空間技術公司（SST）許可協議下的< sup> TM 技術和存儲器設計。
  • TID抗擾度＆gt; 3e5rad（Si）
  • SER＆lt; 5e-17翻轉/位 - 天使用（CRPLE96來計算用于與地同步軌道，太陽安靜期的SER。 LET = 110 MeV
    （T = 398K）
• 采用76引線陶瓷方形扁平封裝
• 可提供工程評估（/EM）樣品這些部件只用于工程評估。它們的加工工藝為非兼容流程（例如，無預燒過程等），并且只在25°C的溫度額定值下進行測試。這些部件不適合于品質檢定，生產，輻射測試或飛行使用。不擔保完全軍用額定溫度
  -55°C至125°C范圍內或使用壽命內的部件性能。