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NLAS4599 單SPDT模擬開關單電源

數據:

NLAS4599是一款先進的高速CMOS單刀雙擲模擬開關,采用硅柵CMOS技術制造。它實現了高速傳播延遲和低導通電阻,同時保持低功耗。該開關控制模擬和數字電壓,這些電壓可能在整個電源范圍內變化(從V CC 到GND)。

設備的設計使得導通電阻(R <輸入電壓> sub )比典型CMOS模擬開關的R ON 更低且更線性。

通道選擇輸入與標準CMOS輸出兼容;通過上拉電阻,它與LSTTL輸出兼容。

無論電源電壓如何,當施加0 V和5.5 V之間的電壓時,通道選擇輸入結構可提供保護。此輸入結構有助于防止由電源電壓引起的器件損壞 - 輸入/輸出電壓不匹配,備用電池,熱插拔等。
特性
  • 通道選擇輸入過壓容忍5.5 V
  • 快速切換和傳播速度
  • 先斷后合電路
  • 低功耗:I CC = 2 mA(Max),T A = 25°C
  • 通道選擇輸入提供的二極管保護
  • 改善線性度并降低ON輸入電壓上的電阻
  • 閂鎖性能超過300 mA
  • ESD性能:HBM> 2000 V; MM> 200 V,CDM> 1500 V
  • 芯片復雜性:38個FET

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

數據手冊(1) 相關資料(6)
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