年相比）SiC成長(zhǎng)10倍，GaN翻至60倍，Si增長(zhǎng)45.1％。 該機(jī)構(gòu)指出，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要在中國和歐洲擴(kuò)張，從2017年~2018年，SiC增長(zhǎng)41.8％至3.7億美元。目前，SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）占70％，并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低，預(yù)計(jì)將進(jìn)一
2019-06-25 11:22:42
7827 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采 用；與此同時(shí)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體也已開始
2016-03-24 08:26:111305 （SiC）和氮化鎵（GaN）占有約90％至98％的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù)，但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷卻），正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體來獲
2021-04-06 17:50:533168 
電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:024596 全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美元，預(yù)計(jì)2021年至2027年的復(fù)合年增長(zhǎng)
2021-05-21 14:57:182257 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 技術(shù)的異構(gòu)集成實(shí)現(xiàn)卓越系統(tǒng)性能，并結(jié)合適當(dāng)?shù)闹圃旆椒▉斫档统杀荆嘈哦▽⒛軌驗(yàn)閲篮兔裼?b class="flag-6" style="color: red">市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)提供有力支持。基本構(gòu)件：二極管2018年的另一個(gè)主要趨勢(shì)將是對(duì)于二極管的持續(xù)依賴性。數(shù)十年來，業(yè)界
2018-02-08 11:01:42
2020年科技的需求趨勢(shì)，市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的良性需求持續(xù)上升，隨著5G的引入和數(shù)據(jù)中心的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)將從半導(dǎo)體受益開始從設(shè)備升級(jí)和產(chǎn)能擴(kuò)張。隨著先進(jìn)晶圓工藝的萎縮，埃斯莫爾對(duì)EUV工藝的需求強(qiáng)勁，對(duì)EUV
2019-12-03 10:10:00
仍在于Wafer Cost，根據(jù)yole development測(cè)算，單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測(cè)到2025年SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到30億美元。在未來的10
2019-05-06 10:04:10
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
，從功率電子的發(fā)展來看，至1975年線性穩(wěn)壓器到1985年開關(guān)穩(wěn)壓器發(fā)展的十年間，功率器件的尺寸減小5倍，而在1985年到2015年這三十年間，尺寸和效率都沒有得到很大的改變，此后GaN功率IC誕生
2017-09-25 10:44:14
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
[color=rgb(51, 51, 51) !important]基于碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:15:56
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能支撐未來的發(fā)展相比于2009年今年全球半導(dǎo)體 業(yè)的態(tài)勢(shì)好了許多,但是仍有少部分人提出質(zhì)疑,2010年有那么好嗎？即具備條件了嗎？在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會(huì)上(ISS),有些
2010-02-26 14:52:33
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了2019年的低迷，但其在2020年的潛力卻被很多業(yè)內(nèi)人士看好。摩根大通分析師Harlan Sur在其于去年年底發(fā)布的一則研究報(bào)告中指出，半導(dǎo)體市場(chǎng)將于2020年復(fù)蘇，預(yù)測(cè)到 2020
2020-02-27 10:42:16
最高可達(dá)100W (20V/5A)，大幅縮短充電時(shí)間，因此，大功率充電器需求量增加在未來是可預(yù)期的。隨著電源功率的提高，電池勢(shì)必變得體積更大、重量更重，因此業(yè)界在半導(dǎo)體構(gòu)造及封裝的研究與改良上，持續(xù)
2018-10-23 16:12:16
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的最新報(bào)告指出，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商由于預(yù)期客戶有較高的需求，在2012年第一季再度提高庫存水位；據(jù)統(tǒng)計(jì)，第一季全球半導(dǎo)體供應(yīng)商庫存量占據(jù)廠商當(dāng)季營收的五成，該比例在
2012-06-12 15:23:39
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購壓力。Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)
2015-09-15 17:11:46
未來半導(dǎo)體照明市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，將如何發(fā)展呢？哪部分照明將占主要部分呢？依業(yè)內(nèi)人士推測(cè)，通用照明將是未來半導(dǎo)體照明市場(chǎng)最大部分。 通用照明包括室內(nèi)照明和室外照明兩大類。這兩類應(yīng)用都要求燈具具有高發(fā)光效率
2013-10-10 18:01:59
`①未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來發(fā)展回顧基站市場(chǎng)的發(fā)展，從GSM時(shí)代的窄帶寬，以LDMOS產(chǎn)品為主流，到3G/4G時(shí)代信號(hào)的帶寬越來越寬，由于LTE的多載波聚合，對(duì)效率的要求更高，成本越來越敏感，散熱的要求也在
2017-05-23 18:40:45
的實(shí)驗(yàn)也提供了一系列電子特性的信息。文獻(xiàn)中已經(jīng)有大量關(guān)于 III 族氮化物的光學(xué)特性的數(shù)據(jù)，這里我們將重點(diǎn)介紹一些最新的科學(xué)知識(shí)。近幾十年來，關(guān)注這些材料的技術(shù)應(yīng)用現(xiàn)狀，重點(diǎn)是 GaN、InGaN
2021-07-08 13:08:32
/ xzl1019 未來 5 年 GaN 預(yù)測(cè)的最大市場(chǎng)是移動(dòng)快速充電，預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
發(fā)展較快的電子器件，其增長(zhǎng)率一直高于半導(dǎo)體整體市場(chǎng)的增長(zhǎng)率，整體來看，近幾年來中國功率器件市場(chǎng)的增長(zhǎng)率都保持在20%以上，2002 到2006 年的復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到29.4%，市場(chǎng)的高速發(fā)展主要是因?yàn)槭褂?b class="flag-6" style="color: red">功率器件的下游產(chǎn)品產(chǎn)量的大幅增長(zhǎng)以及功率器件技術(shù)的快速更新。
2009-09-23 19:36:41
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
方形，通過兩個(gè)晶格常數(shù)（圖中標(biāo)記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
當(dāng)今的半導(dǎo)體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場(chǎng)需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場(chǎng)，如今這種局面已被全新的市場(chǎng)格局所取代 - 有多個(gè)新興市場(chǎng)出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進(jìn)行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動(dòng)著市場(chǎng)格局不斷變化？
2019-09-02 07:55:41
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，有數(shù)據(jù)顯示，國內(nèi)電子元器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模已超過20,000億元。如果以代購作為元器件電商的開端來計(jì)算，中國元器件電商的發(fā)展已經(jīng)有十個(gè)年頭。這十年是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的十年，產(chǎn)業(yè)規(guī)模的持續(xù)增長(zhǎng)、國際原廠
2021-08-23 14:55:18
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:46:29
指標(biāo)六年以來的最高值。 IHS表示全球個(gè)人電腦市場(chǎng)的消費(fèi)需求持續(xù)低迷，由此導(dǎo)致了經(jīng)銷商對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)品的采購量減少，進(jìn)而使得半導(dǎo)體廠商庫存量升高。此外，IHS還夸大歐美消費(fèi)者在2012年年末假日季消費(fèi)
2013-01-30 09:56:19
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間較大。從中長(zhǎng)期看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長(zhǎng)。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)，到2026年分立器件的市場(chǎng)需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)，安森美半導(dǎo)體推出了許多IGBT、低中高壓MOSFET、高壓整流器、汽車模塊和數(shù)字隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以及一個(gè)用于48V系統(tǒng)的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽車電源
2018-10-25 08:53:48
中國的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個(gè)，與現(xiàn)有的接近50萬個(gè)相比，未來2年多內(nèi)將安裝430萬個(gè)，其中將至少有200萬個(gè)是大功率直流充電樁。安森美半導(dǎo)體是嶄露頭角的電動(dòng)汽車
2019-08-06 06:39:15
全球汽車市場(chǎng)發(fā)展整體向好，汽車中的半導(dǎo)體含量將持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是動(dòng)力系統(tǒng)、照明、主動(dòng)安全和車身應(yīng)用領(lǐng)域。新能源汽車推動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中半導(dǎo)體成分增高約5倍。燃油經(jīng)濟(jì)性、先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、便利及信息娛樂系統(tǒng)，以及占全球汽車銷售比例50%以上的新興市場(chǎng)，推動(dòng)全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增長(zhǎng)7%。
2020-05-04 06:30:06
時(shí)代。當(dāng)前全球LED產(chǎn)業(yè)處于飛速發(fā)展階段，我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)進(jìn)入自主創(chuàng)新發(fā)展時(shí)期，今年以來，半導(dǎo)體照明市場(chǎng)呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。加之國家對(duì)節(jié)能環(huán)保政策推動(dòng)，技術(shù)進(jìn)步使得價(jià)格降低，市場(chǎng)需求連年上升，驅(qū)動(dòng)
2016-03-03 16:44:05
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風(fēng)帶雨，好不風(fēng)光。不過隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。未來半導(dǎo)體技術(shù)的提升，除了進(jìn)一步
2019-07-05 04:20:06
1965年4月19日，36歲的戈登·摩爾在《電子雜志》中預(yù)言：集成電路中的晶體管數(shù)量大約每年就會(huì)增加一倍。十年過后，摩爾根據(jù)實(shí)際情況對(duì)預(yù)言進(jìn)行了修正，把“每年增加一倍”改為“每?jī)?b class="flag-6" style="color: red">年增加一倍”。半導(dǎo)體
2019-07-01 07:57:50
流的情況下阻斷電流，同時(shí)阻斷關(guān)斷狀態(tài)下其端子上的明顯電壓。較高的開關(guān)頻率也意味著工程師可以設(shè)計(jì)出更小的整體功率變換解決方案。最重要的是，半導(dǎo)體開關(guān)必須可靠且能夠經(jīng)濟(jì)高效地制造。 幾十年來，硅電源開關(guān)的功效
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
，庫存對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的負(fù)面影響將至少持續(xù)到年底，不過需求增長(zhǎng)將在2012年出現(xiàn)。 美國單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商Microchip于本月初宣布第三財(cái)季業(yè)績(jī)時(shí)表示，2011年第四季度將是該行業(yè)循環(huán)周期的谷底
2012-01-15 10:07:58
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
用的MCU的市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以11%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)增長(zhǎng)，從2014年的17億美元增加到2019年的28億美元。2019年前，預(yù)計(jì)總體MCU市場(chǎng)將以4%的年均復(fù)合增長(zhǎng)率微幅增長(zhǎng)。 “有些人仍認(rèn)為只是
2016-06-29 11:45:30
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來，以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色。功率雙極性晶體管及晶閘管的問世，大大減小的電力電子設(shè)備的體積重量
2021-03-25 14:09:37
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來預(yù)估5-10年內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體，如果不妥，請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
和電池就好比是人的心臟。而功率器件就好比是人的血液和神經(jīng)系統(tǒng)。而三代半導(dǎo)體就是在這個(gè)領(lǐng)域在未來取代部分的硅器件為整個(gè)系統(tǒng)提供更加優(yōu)良的解決方案的核心材料。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，硅材料已經(jīng)接近完美晶體，對(duì)于
2017-05-15 17:09:48
材料的代表，寬禁帶材料SiC和GaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì)，可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09
?2020年，半導(dǎo)體行業(yè)可以說是風(fēng)云變幻的一年。在新冠肺炎疫情的沖擊下，市場(chǎng)先抑后揚(yáng)，從一度悲觀預(yù)測(cè)的負(fù)增長(zhǎng)，轉(zhuǎn)為5.1%的正增長(zhǎng)。資本領(lǐng)域更是提速換擋，美國費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)從2020年年初的1800
2021-07-27 06:50:31
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng)）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場(chǎng)（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331387 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:059833 根據(jù)Yole Développement公司最新名為“2017年RF功率市場(chǎng)和技術(shù)：GaN、GaAs以及LDMOS”的報(bào)告預(yù)測(cè)，隨著電信運(yùn)營商投入的減少，射頻功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2015年和2016
2018-07-09 16:43:00879 
Yole電力電子技術(shù)與市場(chǎng)分析師Ana Villamor與意法半導(dǎo)體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會(huì)面，討論意法半導(dǎo)體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況，以及未來幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:275745 安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個(gè)階段，第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si)，第二代半導(dǎo)體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門的是第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:48910 尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來臨
2021-04-01 14:10:192124 
預(yù)計(jì)在 2021 年突破 10 億美元。 報(bào)告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體的銷售收入，預(yù)計(jì)從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020 年底的 8.54 億美元。預(yù)計(jì)未來十年，每年
2020-11-16 10:19:322223 第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì)
2021-05-03 16:18:0010174 
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。
2022-04-16 17:13:015712 本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:18350 
由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長(zhǎng)34.5%，2035年擴(kuò)大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長(zhǎng)31.1倍。
2023-04-13 16:10:46444 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24365 
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司，注意以上信息僅供參考，如果想了
2023-10-18 16:14:30586 SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，Luminus將成為湖南三安SiC和GaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道，面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:561042
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