日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Silicon Laboratories 日前宣布其被廣泛采用的Si24xx ISOmodem系列推出新產品，為各種數據調制解調器應用提供先進的語音功能、更低的功耗、更少的BOM成本和更靈活的接口選擇。
2011-08-08 09:05:471392 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列卡扣式功率鋁電容器---193 PUR-SI Solar
2012-11-05 10:00:40730 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 — 202 2 年 8 月 15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出Vishay BCcomponents 193 PUR-SI
2022-08-16 10:57:15737 
SI8424DB - N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI8424DB-T1-E1 - N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI8802DB-T2-E1 - N-Channel 8 V (D-S) MOSFET - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SI9182DB - Si9181DB/Si9182DB Demonstration Board - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
：Vishay Semiconductors正向跨導 - 最小值：5 S下降時間：7 ns產品類型：MOSFET上升時間：10 ns工廠包裝數量：3000子類別：MOSFETs典型關閉延遲時間：10 ns典型接通延遲時間：4 ns零件號別名：SI2308BDS-GE3單位重量：8 mg
2020-09-24 14:33:55
：Vishay Semiconductors正向跨導 - 最小值：5 S下降時間：7 ns產品類型：MOSFET上升時間：10 ns工廠包裝數量：3000子類別：MOSFETs典型關閉延遲時間：10 ns典型接通延遲時間：4 ns零件號別名：SI2308BDS-GE3單位重量：8 mg
2020-09-17 15:25:07
SI24R2F+與R2E是完全pin對pin替代的，在功率上上調到12dbm，距離可達600-700米；4通道，不同信道可以發不同信息；開放2個IO口，滿足了2個按鍵功能；溫度報警，指定溫度值，超出
2023-02-02 14:14:04
2.4G產品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時對客戶產品提出Costdown以及升級方案。針對電動車防盜車、校園卡的SI24R2E單發內置MCU，出了一款針對冷鏈產品SI24R2F，性能上大大
2020-01-10 13:48:24
產品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時對客戶產品提出Costdown以及升級方案。針對電動車防盜車、校園卡推出一款SI24R2F，是可兼容之前的SI24R2E，性能上大大的提升。內置64次
2020-04-14 11:43:20
專注于超低功耗無線射頻收發IOT解決方案芯片結合中科微2.4G產品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時對客戶產品提出Costdown以及升級方案。針對電動車防盜車、校園卡推出一款SI
2019-12-19 16:30:26
于超低功耗無線射頻收發IOT解決方案芯片結合中科微2.4G產品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時對客戶產品提出Costdown以及升級方案。針對電動車防盜車、校園卡推出一款SI
2020-10-08 14:42:22
鎖相環（PLL），調制模式：FSK(移頻鍵控)，支持OOK(通斷鍵控調制)傳輸速率：最高可達256kbps發射功率：1至8db接收型芯片靈敏度： -104 dBm至-110 dBm極低的待機
2011-12-07 16:30:46
這款模塊（或者說芯片Si4438無線模塊是Silicon labs公司專門針對中國市場推出的一款無線收發神器。其工作頻段是425MHz到525MHz。這款芯片的技術參數如下：參數名稱 SI
2017-05-27 13:57:30
SI9114采用MOSFET電路圖
2019-05-20 09:24:31
SI9241 是一款單發芯片，提供在汽車雙向串行通訊，診斷應用程序，集成了過壓保護和短路到v。型號：SI9241AEY-T1-E3品牌：VISHAY封裝：SOIC-8年份：新年份
2020-07-03 09:23:48
SI9241 是一款單發芯片，提供在汽車雙向串行通訊，診斷應用程序，集成了過壓保護和短路到v。型號：SI9241AEY-T1-E3品牌：vishay封裝：SOIC-8年份：新年份
2020-12-19 12:09:22
上一章針對與Si-MOSFET的區別，介紹了關于SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。與IGBT的區別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
?Si24R2F+是針對IOT應用領域推出的新款超低功耗2.4G內置NVM單發射芯片。廣泛應用于2.4G有源活體動物耳標，帶實時測溫+計步功能。相較于Si24R2E，Si24R2F+增加了溫度監控
2023-09-05 14:48:00
用于Si8751隔離式MOSFET驅動器的Si8751-EVB，Si875x評估套件是驅動各種應用中使用的功率開關的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
的AC/DC轉換和功率轉換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個方面進行闡述：一是以傳統的硅半導體為基礎的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
Si9241AEY是一個單片總線收發器提供汽車雙向串行通信診斷應用程序。該裝置具有過電壓保護和VBAT短路。收發信管腳受到保護可以驅動超過VBAT電壓。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
你好，我的Dev面臨問題。板（ZCU102）。當我嘗試用12VDC電源供電時，電源進入CC模式，電壓下降到~5.5VDC，電流約為5.2A。我試圖在電路中調試它，發現功率MOSFET
2019-05-05 06:58:16
安國半導體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領先地位，現在為擴大經營范圍 特推出新款觸摸按鍵 價格比義隆合泰都更有優勢 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過要是感興趣的話可以 聯系***
2013-10-08 15:48:39
自2011年，中科微推出的第一顆2.4G收發一體芯片SI24R1，到后續單發的SI24R2，以及2.4G內置MCU的SI24R2E，還有近年來最新推出的大功率的2.4G單發芯片SI24R2F，SI
2019-12-13 16:19:46
科技有限公司專注于超低功耗無線射頻收發IOT解決方案芯片結合中科微2.4G產品在向市場推出新款RFID芯片，滿足客戶的同時對客戶產品提出Costdown以及升級方案。針對電動車防盜車、校園卡推出一款
2020-07-10 10:07:37
深圳云佳科技 最新推出SI4432模塊本模塊SI4432數傳模塊設計工作頻率為470MHZ,在射頻部分，本司做了大量的優化匹配調試，使得發射效率達到最高，諧波最小，使得SI4432無線模塊對外界設備
2012-02-18 09:38:37
``VISHAY生產Si7658ADP，3000pcs/盤，Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8，60K原裝現貨，價格優勢。聯系QQ：864968599``
2014-04-02 16:25:18
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
Si2312/Si2312DS pdf datasheet (N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
2008-12-27 00:15:45
7 Si8499DB pdf,datasheet
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
APPLICATIONS• Low On-Resistance Load
2010-04-29 12:10:3111 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 場效應管SI2301BDS場效應管SI2301BDS 是Vishay Siliconix 的產品，它是一只P 溝道、150mW、0.8V（G-S）MOSFET 器件。MOSFET 的中文全稱是“金屬氧化物半導體場效應晶體管”
2009-04-25 09:05:385579 
SI9114采用MOSFET電路圖
2009-05-12 14:33:00650 
Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應用，136D器件
2009-11-06 08:38:41918 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay推出新款ESD保護陣列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護陣列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護USB-OTG端口免受瞬態電壓信號的損害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49898 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 Silicon Laboratories (芯科實驗室有限公司)日前推出Si824x隔離門極驅動器系列產品，其主要針對高功率D類音頻系統而設計，輸出功率可達30W~1000W。新推出的Si824x
2010-11-10 09:20:541010 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術
2011-06-16 09:35:042537 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Mouser Electronics開始供應Vishay Siliconix第一款採用業界最小的晶片級封裝，并將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 2013 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆
2013-10-10 15:08:061138 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創新獎之電源器件和模塊類最佳產品獎。
2013-12-20 09:10:031307 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道
2014-04-29 16:30:44885 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布有助于在智能手機、平板電腦、可穿戴設備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長電池使用時間的新款功率MOSFET---Si8457DB。
2014-10-21 14:18:221100 
PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列小型卡扣式功率鋁電容器---256 PMG-SI，在只有20mm x 25mm的外形尺寸
2015-04-27 14:01:25953 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用
2019-01-01 16:29:01380 目前全國有很多電動車因充電時電池溫度過高，而導致爆炸引起火災的情況。作為國內RFID行業的推動者，動能世紀聯合中科微向IOT應用領域推出新款大功率2.4G射頻芯片，并針對電動車防盜、電動車充電樁市場
2020-04-16 17:17:232312 
目前全國有很多電動車因充電時電池溫度過高，而導致爆炸引起火災的情況。作為國內RFID行業的推動者，動能世紀聯合中科微向IOT應用領域推出新款大功率2.4G射頻芯片，并針對電動車防盜、電動車充電樁市場
2020-04-16 17:15:231235 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274 
SI4432.SI4463.SI4438和LORA方案對比
2021-05-08 10:27:5932 新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm
2021-05-28 17:25:572153 Vishay 推出 Vishay BCcomponents193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率鋁電容器，額定電壓和類別電壓分別提升至 570V 和 475V。 器件面向太陽能
2022-08-19 09:32:27720 從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644 
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應用
2023-11-24 14:57:39195 
Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06149 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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