足夠資金資助 IDM 進行大規模開發的公司。隨著后來,當我們開始進入第二個半導體時代時,這一切都改變了。
第二個半導體時代——ASIC
LSI Logic 和 VLSI Technology
2024-03-13 16:52:37
我有一個 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個 NOR 閃存,我可以從中將固件讀取到 RAM,然后 NOR 閃存的一部分內存應該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲設備。
我應該采取什么方法?
2024-03-05 07:23:50
芯片燒錄行業領導者-昂科技術近日發布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表,其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3058 我知道嵌入式軟件構建工具報告程序閃存使用情況。我認為他們也報告了 RAM 使用情況,但他們是否報告了最大 RAM 使用率?
生成工具可能不知道在運行時將使用多少堆。是否還有其他構建工具不知道的 RAM 使用情況?
如何準確找出運行時使用的RAM量?
2024-01-31 07:48:58
我嘗試讀取閃存,并定義宏內存(地址)來讀取閃存。
#define MEM(地址)* ((uint32 *)(地址))
aa = MEM (0xa0008000);bb=aa
;
但是不能讀取任何
2024-01-24 07:51:33
; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫尚未設置。在庫管理器1.0下,而我使用的是庫管理器2.0,在管理器2.0下找不到串行閃存庫。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
倉儲革新:AR技術引領物流進入智慧時代 根據《2022年中國物流行業研究:深度探析行業現狀(智能設備及智能軟件)》,報告中提及:“中國社會物流總額依然保持著較為良好的增長態勢,年增速已恢復至常年
2023-12-27 17:15:20178 NOR Flash是一種基于NOR門結構的閃存,NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結構,這意味著每個存儲單元都有一個地址,可以直接訪問任何存儲單元,這使NOR Flash具有快速的隨機訪問能力,適用于執行代碼和讀取關鍵數據。
2023-12-27 14:37:05292 Nor Flash采用NOR門結構,其中每個存儲單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實現高效的隨機訪問和快速的數據檢索。
2023-12-05 15:21:59363 閃存編程也不涉及將數據寫入存儲單元,為確保準確編程,Nor Flash 支持字節級編程,允許寫入或修改單個字節,而無需擦除整個塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲技術,用于存儲數據和代碼。它是一種閃存存儲器,類似于NAND Flash,但具有不同的特性和應用場景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲技術,對計算機存儲具有重大影響,閃存其獨特的特性和功能影響著計算機存儲系統的各個方面
2023-12-05 10:32:31332 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 閃速存儲器 (Flash Memory)簡稱閃存器或閃存,是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory, NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash)和與非閃存
2023-11-23 09:36:17909 i.MX RT500/600系列上串行NOR Flash雙程序可交替啟動設計
2023-10-27 09:36:12236 僅當存在待發送數據時串行時鐘波特發生器才產生對應數據位模式的時鐘脈沖嗎?如果緩沖區沒數據,串行時鐘就一直空閑嗎?
2023-10-17 08:20:06
目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術,但是據我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 恩智浦i.MX RT1060/1010上串行NOR Flash冗余程序啟動設計
2023-09-26 16:53:52364 Programming – IAP)可以使用微控制器支持的任一種通信接口(如I/O端口、USB、CAN、UART、I2C、SPI等)下載程序或數據到存儲器中。IAP允許用戶在程序運行時重新燒寫閃存存儲器中
2023-09-26 06:18:33
電子發燒友網站提供《使用STARTUPE3對并行NOR閃存進行配置后訪問的UltraScale FPGA應用說明.pdf》資料免費下載
2023-09-14 15:18:201 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢?從字面意思上看, NAND = not AND(與非),NOR = not OR(或非),也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發
2023-09-11 16:59:231901 引言:串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件,在特殊應用場景中具有不可替代的地位,本節是數字存儲器件系列第一節,介紹串行Nor Flash的結構和參數特性。
2023-09-05 10:09:341663 的50.4%。 這標志著數據存儲市場的拐點已來臨。過去幾年,全球經濟和市場經歷了大的動蕩與變化,全閃存存儲依然能穿越周期和保持增長,實屬難能可貴。 與此同時,隨著千行百業的數字化轉型步入深水區,數據已然成為數字化時代的核心生產要素、戰略資源以及價
2023-08-29 18:30:03204 點擊上方 藍字 關注我們 NOR閃存已作為FPGA(現場可編程門列陣)的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數據吞吐量特性使得FPGA在工業、通信和汽車ADAS(高級駕駛輔助系統
2023-08-15 13:55:02330 )接口提高了系統性能,簡化了設計,并降低了系統成本。Serial Nor Flash的最新八進制系列產品包括:八進制(xSPI)Flash、八進制RAM和八進制MCP。OctaBus Memory將閃存和RAM存儲器集成到同一數據I/O總線中,將引腳數量減少到12個。
2023-08-11 15:45:32896 引言:串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件,在特殊應用場景中具有不可替代的地位,本節是數字存儲器件系列第一節,介紹串行Nor Flash的結構和參數特性。
2023-08-11 15:44:221074 一個通用的Flash控制器,該控制器具有大多數eFlash宏支持的通用功能。次級側具有用于特定實現的進程相關Flash宏。GFB用作訪問閃存資源的數據路徑,通過其他接口處理與控制相關的訪問。這有助于通用功能在不同過程中的可重用性。
2023-08-11 07:55:01
制造商: Winbond 產品種類: NOR閃存  
2023-08-04 12:46:29
近年來,在物聯網和消費電子產品的需求下,特別是在各種新興應用的推動下,NOR?Flash迎來了低谷翻轉的機遇。不僅中高容量價格穩定,而且低容量NOR?Flash價格的下降也大大縮小。特別是在TWS
2023-07-31 14:33:10460 Flash閃存是一種存儲器,主要用于一般性程序存儲,以及電腦與其他數字產品間交換傳輸數據。根據內部存儲結構不同,Flash主要有兩種,NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 我正在嘗試讓我的 ESP-12F 進入閃存模式以從 Arduino IDE 上傳程序。然而,當我嘗試將 ESP-12F 置于閃存模式時,我在 GPIO0 上獲得了時鐘輸出 (26 MHz)。如果我
2023-06-05 07:47:50
我們知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外設引腳上,有時串行NOR Flash啟動也叫FlexSPI NOR啟動。
2023-06-02 17:43:28928 大家好,我之前使用過 esp12 f,但在這個特定模塊中,我無法通過串行 uart gpio 0/15 low 進入上傳代碼模式,也無法使用 arduino ide 上傳代碼,它只是像此處的視頻一樣
2023-06-01 06:05:16
我需要為生產目的對 ESP8285 IC 進行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內完成此操作的 SPI 閃存編程器,而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎?
2023-05-31 10:11:19
和 26(U0TXD,U0RXD)。有與 SD_Data_2 和 3(引腳 18 和 19)的連接,所以我的問題是 - 我可以使用 18 和 19 通過串行連接進入閃存模式,還是我有一塊不是為訪問通常的串行引腳而設計的板?在無法訪問 25 和 26 的情況下,他們如何在生產環境中閃現這個東西?
2023-05-26 10:02:03
為了避免在一些用于測試 ESP8266 固件的串行終端和一些閃存編程工具之間切換,我制作了自己的小 win 程序,它將這兩個任務合并到一個 exe 中。
如果 USB2UART 橋的 RTS
2023-05-24 07:39:04
記:S32G_QSPI_NOR_20211125_V3.pdf。不幸的是,在中文中,為 MT35XU256ABA1G12-0AAT 提供了 QSPI 重新配置數據,與我們的非常相似:
LUT@0x244(從閃存基地址 0
2023-05-22 09:35:01
我對從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板(不是 NXP RDB2 或 EVP 之一)。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我有一個帶有兩個 rt600 處理器的設置,其中只有一個連接了閃存。
我想從閃存啟動一個處理器,然后該處理器通過串行連接將圖像發送到另一個處理器。
兩個圖像都需要經過身份驗證。我已經成功地為第一個
2023-05-18 06:56:48
了 evkmimxrt1160_flexspi_nor_config.c 中的閃存配置。
代碼編譯但在我運行它時永遠不會進入主要狀態(請參見下面的屏幕截圖):
知道我哪里出錯了嗎?我附上了 MCUXpresso 項目。
2023-05-18 06:28:12
是 0x90000000
根據文檔(表 1. 系統內存映射)
兩者都是有效的( DRAM - GPP DRAM 區域#1( 0-2 GB))。
上傳圖片時沒有錯誤。
NOR 閃存的標準刻錄命令是(來自文檔
2023-05-16 07:43:42
我正在使用 S32G274A 板(不是 NXP 產品之一,它是由第三方制造的),它安裝了 Micron
MT35XU512ABA 八進制串行 NOR 閃存。對于 M7_0,我必須調整 RTD
2023-05-16 06:04:49
我們在板上使用 MIMXRT1051CVL5B。
通過 LPSPI NOR/EEPROM(BOOT_MODE[1:0]= x01 串行下載器)成功連接到引導實用程序。
在燒斷保險絲并定義
2023-05-10 08:53:24
500 毫秒在閃存上切換一次,所以有東西在運行。我的理解是,對于未初始化的閃存,它最終應該會故障轉移到串行下載器。使用 blhost 嘗試與其交談毫無進展(無回復)。我已經將 BOOTMODE 更改
2023-05-09 07:42:23
MXRT1050 FlexSPI 模塊具有 LUT,最多支持 16 個序列,相當于 16 個閃存命令。
現在許多 NOR 閃存芯片支持的命令遠遠超過 16 條。
1. 有沒有辦法支持超過 16 個
2023-05-08 06:52:22
我正在為我們的原型使用 IMXRT1172xx 微控制器。因為我們計劃將 LittleFS 與在 Ext 中運行的應用程序代碼一起使用。64MB的閃存。
出于測試目的,我能夠成功運行 SDK 中提
2023-05-08 06:44:03
從 QSPI NOR flash 重啟開發板并停止自動啟動以進入 U-Boot 提示符。
3. 在 U-Boot 下,使用以下選項之一將固件下載到參考板:
? 從 TFTP 服務器加載固件
2023-05-06 08:30:16
我正在使用帶有連接到 lpspi3 接口的 NOR 閃存的 i.MX8Q。
這是我的設備樹的相關部分
&lpspi3 {
pinctrl-names = \\\"
2023-05-06 06:23:09
我有一個iMX8X iMX8QXP,我正在嘗試在 NOR 閃存(最終是 eMMC)上設置輔助引導容器集。我試圖在燒掉任何 OTP 保險絲之前驗證基本功能,所以這就是我目前對 NOR 閃存進行分區
2023-05-05 10:40:17
、BA、AMASK寄存器) 》
RCW 的 IFC 起始地址為 0x0000_0000
我假設 IFC 在 CS0 上的 NOR 閃存設備的第一個地址找到 RCW。它是否正確?
PowerPC 內核復位
2023-05-04 07:16:23
。SPI-NOR 內存有類似的東西嗎?fitImages 有用嗎?
4. 由于 uuu 強制 bootcmd=fastboot 0,我如何將其更改為從我的 SPI-NOR 閃存加載?我需要 2 個不同版本
2023-05-04 06:30:41
的 uboot 映像的簽名有一些問題,但是當我使用 SDP 將簽名的映像下載到開放板時,我沒有看到 HAB 錯誤。
我認為 imx6ul 在關閉后無法進入串行模式,這沒有多大意義。我的理解是,如果無法驗證圖像
2023-04-23 07:11:40
據表 SMBR2 寄存器時它的含義第 4 位 BT 保險絲選擇是邏輯 0 那么 BT 保險絲選擇有什么用,我認為 BT 保險絲選擇位狀態發生變化,這就是為什么處理器不使用 GPIO 啟動模式引腳進入 ISP
2023-04-20 06:20:48
我們有一個定制板,其中存在 T1042 處理器。以前我已經能夠通過修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 項目的 u-boot 源代碼從 SDCARD 啟動它。現在,我試圖從 NOR 閃存啟動它,但我無法成功。 我已經將圖像寫入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21
我正在使用 mpc5777c 微控制器。我在 nxp 閃存代碼示例中看到了這些代碼。我不明白為什么他們在閃存操作后恢復閃存控制器緩存。據我了解,RestoreFlashControllerCache
2023-04-17 07:17:57
大家好,我們剛剛獲得了自己設計的第一個原型,其中包含以下組件:- MCU 是 MIMXRT1061CVL5B - 閃存是連接到 QSPI1 的微芯片 SST26VF064B - J-link SWD
2023-04-17 07:06:03
我從使用板載 NOR 閃存映像啟動的 LS1028A 處理器 EVM 開始。現在,需要從 I2C EEPROM [RCW] 啟動并跳轉到 NOR Flash [U-Boot Image]。如何在 RCW PBI 命令中指定它?
2023-04-14 07:45:39
帶多I/O SPI的3V四路串行閃存
2023-04-06 11:13:39
在 sdk 的“lvgl demo widgets”示例中添加 flash 支持時,我已經能夠重現該問題。當 lvgl 正在運行時通過 spi 發送閃存擦除命令時,應用程序會停止。調試器通常會
2023-04-06 06:14:27
方式對其進行預配置?我從 Keil MDK-ARM 示例中獲取了“flexspi/nor”項目,將其構建為在 RAM 中運行,啟動進入調試,并鏈接到閃存。讀取 VendorID 和狀態寄存器。QE 狀態寄存器的第 6 位設置為“1”
2023-04-06 06:03:46
4 Mbit SPI串行閃存
2023-04-04 20:31:37
我需要一些關于 i.MX RT 1160 EVK 中的閃存支持的說明1. 在 SPT V4.1 中,我可以看到一些 FLEX SPI NOR 變體,如 IS25WP128、AT25SF128A
2023-03-29 08:24:08
512 Kbit SPI串行閃存
2023-03-28 18:25:33
512K位CMOS串行NOR閃存 TSSOP8_3X4.4MM
2023-03-28 17:08:17
16M位串行閃存
2023-03-28 16:48:13
微米串行NOR閃存3V,多I/O,4KB扇區擦除
2023-03-28 15:18:09
512K位[x 1]CMOS串行閃存
2023-03-28 15:17:15
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
8M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
超低功耗,8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗,8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗,8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
4/2M 位 SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:07
8M位串行NOR閃存,1024K字節
2023-03-28 12:50:24
16 Mbit SPI串行閃存
2023-03-28 00:21:26
3V 4位串行NOR閃存,帶雙和四芯SPI SOP8
2023-03-28 00:18:22
串行閃存與雙/四spi
2023-03-27 11:56:46
我正在使用 i.MXRT1176 并計劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應用程序將從同一外部存儲器運行,但是,更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲器
2023-03-24 08:08:30
我有一個有趣的問題,我確定是配置問題。這是我第一次使用 QSPI 閃存設備和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的機器上跑得慢很多。我有 2 個 NOR 閃存設備連接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
的 ivt_flashloader.bin 文件和實用程序從我們的 FlexSPI NOR 閃存讀取/寫入。為了進步我實際上有兩個問題:- 有人可以向我解釋一下為 EVKB 板提供的 ivt_flashloader.bin
2023-03-24 07:17:47
)。現在我們正在嘗試從未融合單元上的 FLEXSPI NOR 存儲器啟動生產測試應用程序。我正在嘗試使用 MIMXRT1060 的閃存加載器將應用程序加載到 NOR 內存中。寫入似乎沒問題,但應用程序似乎
2023-03-23 07:37:28
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認逐個扇區擦除閃存是可行且有效的,然后繼續我測試的其他階段。(我不想一次擦除整個芯片,因為我們的主要軟件需要從閃存中
2023-03-23 06:06:43
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