臺積電先進制程布局火力全開。除20奈米（nm）已先行導入試產外，臺積電2013～2015年還將進一步采用鰭式場效應晶體（FinFET）技術，打造16、10奈米制程；同時亦可望推出18寸（450mm）晶圓樣品制造設備，全力防堵三星（Samsung）及格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）追趕。

　　臺積電執行副總經理暨共同營運長劉德音表示，臺積電正致力于構建完整的半導體產業生態系統，從而加速產業技術創新。

　　臺積電執行副總經理暨共同營運長劉德音表示，擴增實境（Augmented Reality， AR）、行動匯流（Mobile Convergence）、無所不在的連結（Ubiquitous Connectivity）、云端運算和物聯網（IoT）五大發展趨勢興起，半導體產業在制程、IC設計、電源管理與軟體服務方面均要革新。其中，晶圓制程演進更至為關鍵，將有助業界設計高效能與低功耗兼具的半導體解決方案，以依循摩爾定律（Moore’s Law）腳步。

　　劉德音指出，臺積電已擬定一套完整作戰計劃，強攻20奈米以下先進制程，并規畫旗下超大晶圓（GIGAFAB）12和14廠全力沖刺20、16及10奈米晶圓產能。目前，基于高介電常數金屬閘極（HKMG）的20奈米制程正展開試產，并將于今年底前展示具體市場成果；下一階段則將在2013年部署FinFET 16奈米制程，并于2014年商用量產。

　　至于10奈米方面，臺積電亦選定FinFET技術做為基石，并將導入極紫外光（EUV）混搭雙重曝光（Double Patterning）的生產模式，同時擷取兩種制程優勢，加速晶圓產出時程和降低開銷。

　　臺積電研發副總林本堅分析，晶圓代工業者原先規畫在20奈米世代就引進EUV微影制程；然而，EUV生產成本驚人且相關設備至今難產，遂導致制程技術發展延宕。預計在2015年步入10奈米世代后，才會突顯出EUV技術的必要性。

　　值得一提的是，臺積電綜合制造成本與客戶需求考量，同一片10奈米晶圓部分制程仍將沿用雙重曝光方式。林本堅指出，雖然EUV僅須曝光一次，生產效率高，但機臺昂貴將加重生產成本；因此，在不同的光罩層搭配雙重曝光技術，方能改善成本結構加速商用。

　　至于10奈米以下制程，林本堅認為，屆時EUV技術將更臻成熟，成本也大有改進，更適合用來提升10奈米以下晶圓生產效率。不過，到時候多重電子束（Multi E-Beam）也可望突破技術桎梏，成為晶圓代工業者另一個選擇；臺積電將密切觀察兩項技術進展，并審慎評估生產效益，擇其一切入7奈米制程研發。

　　在此同時，臺積電亦揭橥2013～2018年18寸晶圓發展的階段性目標。臺積電十二寸廠營運副總經理王建光透露，該公司最快將于2013～2014年推出18寸晶圓樣品制造工具，隨后于2015年提供測試設備（Demo Tool）；整段18寸晶圓產線則預定在2016～2017年完成，并于2018年正式啟動量產。

　　顯而易見，臺積電今年積極參與G450C聯合組織（Global 450 Consortium），并大灑銀彈入股半導體設備大廠--艾司摩爾（ASML），分頭從18寸晶圓制程標準、機臺研發方向著手，成效已逐漸浮現。

　　王建光強調，除與國際大廠協商18寸晶圓發展共識外，臺積電也戮力拉攏***半導體材料、設備、電子設計自動化（EDA）與封測服務供應商，開發一套獨特18寸晶圓制作模式，實現差異化布局。2018年后，FinFET 10奈米將以18寸晶圓形式產出，大幅縮減晶片成本與功耗；同時降低晶圓制作過程中的水、電營運開支，進一步強化臺積電的市場競爭力。