電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:03
0 該內(nèi)存速度高達5600MT/s，并可同時兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:05
89 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。
2024-03-12 11:23:34118 隨著人工智能（AI）技術(shù)的飛速發(fā)展，對高性能內(nèi)存的需求也日益增長。特別是高帶寬內(nèi)存（HBM）和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DDR5）等高端DRAM產(chǎn)品，正受到市場的熱烈追捧。為了順應(yīng)這一
2024-03-06 10:49:49261 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS65295完整 DDR4 存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-06 10:17:540 三星作為行業(yè)領(lǐng)軍者，在本季度DRAM營收達到79.5億美元，環(huán)比增長近50％，主要受益于1αnm DDR5的出貨提速，服務(wù)器DRAM出貨量躍增逾60％。
2024-03-05 15:40:57162 服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條的區(qū)別? 服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條是計算機中常見的兩種內(nèi)存設(shè)備。它們在設(shè)計、功能和應(yīng)用方面存在一些顯著的區(qū)別。 1.物理特性 普通內(nèi)存條通常采用DIMM封裝形式，而服務(wù)器
2024-02-19 10:19:58466 截至目前，健鼎已經(jīng)開始供應(yīng)DDR5內(nèi)存條使用的PCB板，其業(yè)務(wù)涵蓋存儲模組與汽車、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備PCB板等多個領(lǐng)域。其中，汽車板比重高達25%，服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備PCB板比重為20%，DRAM及DDR模組板比重超過18%。
2024-01-29 14:18:24218 和2個FTC310核，其中FTC664核主頻可達1.8GHz，F(xiàn)TC310核主頻可達1.5GHz。主板板載64位 DDR4內(nèi)存，分2G和4G兩個版本，支持SD或者eMMC外部存儲。主板板載WiFi藍牙
2024-01-22 00:47:47
0.85mm 間距，288Pin, 垂直穿板腳長 4.3mm, 鍍金30"， 黑色，內(nèi)存條DDR4 連接器
2024-01-18 10:14:36
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052849 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價格將進一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195 DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達到 3200Mb/s,這樣高速的信號，對信號完整性的要求就更加嚴格，JESD79‐4 規(guī)范也對 DDR4 信號的測量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
，上游制造商的關(guān)注點正在從NAND轉(zhuǎn)移到DRAM，特別是DDR4和DDR5等型號，成為下一輪價格上漲的關(guān)鍵推動力。 盡管市場需求目前尚未完全穩(wěn)定，但存儲器行業(yè)內(nèi)部人士透露，他們最近收到了三星提出的警告，預(yù)計第1季DRAM價格至少將上漲15%。至于NAND的漲幅雖然尚未明確提出，但預(yù)
2024-01-03 18:14:16872 國產(chǎn)高性能、低功耗通用計算微處理器的設(shè)計研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化推廣。飛騰派是一款面向行業(yè)工程師、學(xué)生和愛好者的開源硬件，采用飛騰嵌入式四核處理器，兼容ARM V8架構(gòu)，板載64位 DDR4內(nèi)存，分為2G和4G兩個版本
2024-01-02 22:43:09
FTC310核，其中FTC664核主頻可達1.8GHz，F(xiàn)TC310核主頻可達1.5GHz。主板板載64位 DDR4內(nèi)存，分2G和4G兩個版本，支持SD或者eMMC外部存儲。主板板載WiFi藍牙，陶瓷天線
2024-01-02 22:23:36
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 
在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00247 
對于DRAM業(yè)務(wù)，這個公司的主要是低端市場，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標準接口DRAM產(chǎn)品線，推動DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:31247 ）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
時，位寬變?yōu)?4bit，即8個字節(jié)，于是SIMM就順勢變?yōu)镈IMM（Double-Inline Memory Module）。這種形態(tài)一直延續(xù)至今，也是內(nèi)存條的基本形態(tài)。
2023-12-16 15:00:571071 
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀元邁進，無論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對DDR5有強烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41304 
PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進
2023-12-07 15:15:58753 追風A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶在使用臺電內(nèi)存條時獲得更快速、更流暢的電腦體驗。
2023-12-05 15:52:49405 
為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求，DDR5相比其前身DDR4實現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40211 
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加，為進一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風險，同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
對于ddr5市場的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上，ddr5的單價比ddr4高4-50%，從威強的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。
2023-11-10 10:29:51279 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機內(nèi)存的標準。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003885 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
在2023年2月在國際學(xué)會ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58783 
飛騰派是由飛騰攜手中電港螢火工場研發(fā)的一款面向行業(yè)工程師、學(xué)生和愛好者的開源硬件，采用飛騰嵌入式四核處理器，兼容ARM V8架構(gòu)，板載64位 DDR4內(nèi)存，分為2G和4G兩個版本。主板板載WiFi
2023-10-25 11:44:22
遇到一個比較有意思的問題。一個朋友問我說：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。
2023-10-10 11:18:13605 
做高速鏈路的小伙伴都知道，Stub總是會帶來各種影響，或者導(dǎo)致阻抗突變，或者導(dǎo)致插入損耗曲線上存在諧振，等等。本文介紹了Via stub在DDR4并行鏈路上的表現(xiàn)。下面是論文的全文。
2023-10-09 10:35:30321 
在電腦上拆到2條rdram內(nèi)存條，這個和sdram內(nèi)存條有什么區(qū)別，可以兼容嗎
2023-10-08 09:01:45
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進行詳細的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標準，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:188973 我們在買DDR內(nèi)存條的時候，經(jīng)常會看到這樣的標簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器） 市場，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗證。
2023-09-26 10:32:33849 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
三星公司計劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺更換為ddr4， ddr4的需求開始減少。因此，三星大幅減少ddr4的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向ddr5，試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:33555 在全默認設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當。
2023-09-15 10:40:42750 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Teledyne e2v的宇航級DDR4的硬件設(shè)計指南.pdf》資料免費下載
2023-09-13 17:14:551 2022年第四季度DRAM行業(yè)營收環(huán)比下降超過三成，跌幅超過2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價格環(huán)比下降23-28%，DDR5內(nèi)存價格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 
有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個芯片就可以儲存與整個hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。
2023-09-08 09:41:32399 最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！
2023-09-04 14:28:11264 日前有信息稱，三星將采用 12納米 (nm) 級工藝技術(shù)，生產(chǎn)ERP開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，而這樣就可以在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍。
2023-09-04 10:53:46470 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們在性能上會有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0528247 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
使用DDR4作為外接存儲單元時，蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經(jīng)過vivado的Block design后使用DDR4，在板子上跑測試DDR4讀寫程序，報store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512792 大大降低通信成本。2 路IIC，可接多個IIC設(shè)備。1路CAN，能夠滿足汽車電子領(lǐng)域需求。
板載PCIE3.0和SATA接口，支持固態(tài)硬盤M.2，SATA硬盤，可擴展大容量硬盤。
三星的DDR4和EMMC
2023-08-07 10:00:25
以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
隨著制程工藝的進步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機，但是設(shè)備實在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
DDR是運行內(nèi)存芯片，其運行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標識上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
本設(shè)計筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
★ DDR內(nèi)存條治具六大特點 有哪些呢？
讓凱智通小編為你解答~
①通用性高：只需換顆粒限位框，即可測試尺寸不同的顆粒；
②操作省力方便：采用手動翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu)，相比同類產(chǎn)品減少磨損，達到更高的機械
2023-06-15 15:45:22
市場上，DRAM價格已連續(xù)12個月下跌，4月份DDR4 8Gb批發(fā)價為每個1.48美元左右，環(huán)比下跌1%。
2023-06-01 17:59:111713 前期我們從工作電壓，頻率，容量等產(chǎn)品規(guī)格，prefetch/burst length內(nèi)部訪問方式的角度介紹了DDR3/DDR4/LPDDR4(X)的一些主要feature及區(qū)別。
2023-06-01 10:10:241309 
倚天710支持支持最先進的DDR5 DRAM，為云計算和HPC提供巨大的內(nèi)存帶寬。
2023-05-30 15:09:002017 
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進入 DDR5 新世代，標準升級拉動相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢可簡單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
、時序和可編程參數(shù)。DFI 適用于所有 DRAM 協(xié)議，包括 DDR4、DDR3、DDR2、DDR、LPDDR4、LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR。
2023-05-26 15:27:314566 
S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
我有一塊自制的imx8mp主板，使用DDR4的型號是：K4ABG165WA-MCWE，單片容量32Gb，主頻3200Mhz，我的主板使用了兩顆芯片，但是使用MX8M_Plus_DDR4_RPA_v9.xlsx無法完成配置
2023-05-17 06:12:25
嗨，你的模擬 LED 燈條的規(guī)格是什么？他們需要多少伏特和多少安培才能工作？
2023-05-11 07:36:14
你好！我用 DDR4 創(chuàng)建了我的自定義 IMX8MM 板。所有 DDR4 測試都在 IMX 配置工具中成功通過。
我正在嘗試通過 Yocto 為我的開發(fā)板制作一個 u-boot。我以
2023-05-09 08:03:48
DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441330 我們有一個帶有連接到 LS1046A 的 DDR4 內(nèi)存 (DDR4T04G72) 的定制板，目前正在為 DDR 控制器進行配置。目前我們對為什么我們甚至沒有啟動和運行 DDR 時鐘 (MCK0
2023-05-06 08:20:49
我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B（商業(yè)級DDR4）。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B（工業(yè)級 DDR4
2023-04-24 08:08:20
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
NXP IMX8M Mini DDR4 校準
2023-04-20 07:36:55
DDR5 已占據(jù)整個 DRAM 市場份額的 10%，2024年則將進一步擴大至 43%。服務(wù)器市場可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場對高性能有著絕對的需求。
2023-04-18 11:36:471604 電容器............................................. 41.5 速度補償.....................................52 DDR4
2023-04-14 17:03:27
我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存，一個 ddr 控制器連接 8GB。三個問題：1)在codewarrior ddr config上，我們應(yīng)該選擇什么dram類型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
你能告訴我在哪里可以獲得 i.MX8M Plus 的詳細 DDR4 布局跟蹤路由指南嗎？我在 i.MX8M Plus 硬件開發(fā)人員指南中找不到它。順便問一下，NXP 有帶 DDR4 的 i.MX8M Plus 評估板嗎？
2023-03-31 07:52:02
武漢萬象奧科HD-G2UL-CORE核心板支持512MB/1GB DDR4配置，本文檔主要評估測試核心板內(nèi)存512MB（DDR4）性能（讀寫速率）。
2023-03-28 18:14:58414 
你好 我們正在使用 4 * 2GB DDR4 芯片構(gòu)建我們的定制 ls1046a 板。（我們參考LS1046AFRWY，容量翻倍，去掉ECC）首先我生成了 BL2 二進制文件制作 PLAT
2023-03-24 08:50:43
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