本研究利用CFD模擬分析了半導體晶片干燥場非內部和晶片周圍的流動特性，并根據分析Case和晶片位置觀察了設計因子變化時的速度變化。
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圖表分析結果表明，晶圓表面在x軸上的速度分布可以確認烘干機內部從GARS管道噴射下降的氣流大部分都經過晶圓中心區域，在y軸上查看速度分布可以確認烘干機頂部到底部由排氣引起的速度驟減現象。據判斷，晶片×軸兩端速度急劇上升的原因是進入晶片區域的氣流離開晶片時排氣過程中產生的壓力差。

圖1

圖2
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對Casel進行了模擬結果的現狀分析，整體氣流的趨勢如圖1的遺跡線和圖2，通過觀察遺跡線，可以判斷，當下降氣流乘坐晶片表面流出下部時，氣流分成兩條支路，這里預計也會出現速度停滯，并有污染物殘留的可能性。根據晶片位置的不同，氣流的特性也有所不同，特別是晶片6上部產生的下降氣流相對于其他晶片而言較大，因此在中心的速度大幅上升，觀察到像圖3中一樣，下降到晶片中心的氣流主邊緣的速度急劇上升，這看起來像是晶片2上部左右側發生的渦流區域向下擴張。而且，在晶片10的下部，在速度轉向排氣部的過程中，觀察到了速度向量的貧化較大的區域。另外，烘干機內部共同出現的渦流區域和流動順暢。

圖3
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將氣體噴射角降低30度時，管道中噴射的氣體的角度朝向烘干機蓋和晶片之間，氣流無法乘坐烘干機蓋穩定地伸展出去，氣流不穩定，左右氣體無法正向碰撞，不對稱地相遇并下降到晶片一側。氣體質量流量翻倍時，整個流動的流動模式傾向沒有太大差異，但可以觀察到晶片頂部左右側發生的渦流整體向下以長模式突然下沉，由于全體積對下降氣流的速度崇尚，因此認為晶片10的中端表面上發生的速度停滯現象不會出現。將氣體噴射角降低30度，氣體質量流量增加2倍時，Case2和Case4中氣體噴射角的調節引起的氣流的不清新。

通過所有實驗分析，得出了以下結論：(1)烘干機內部左右管道噴射的氣體在烘干機頂部重陽相互碰撞，形成下降氣流，通過晶片形成扇形流場，同時掉進左右排氣部；(2)晶片上部形成渦流，氣體質量流量增加，渦流區域逐漸擴大到下部，通過晶片中心的氣流速度明顯增加；(3)降低氣體噴射角度，噴射的左右氣流的不對稱對撞力降低，越到前后晶片，晶片表面的氣流越不穩定；(4)排氣部輸入角對干燥器內部氣流變化影響不大；(5)晶片表面發生的渦流區域和速度百特的本月區域有可能殘留污染物。