IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。但是，IGBT模塊會經(jīng)常出現(xiàn)爆炸的情況。

因為某些原因，模塊的損耗十分巨大，熱量散不出去，導(dǎo)致內(nèi)部溫度極高，產(chǎn)生氣體，沖破殼體，這就是所謂的IGBT爆炸。下面，對IGBT爆炸的原因進行簡明扼要的介紹。 IGBT爆炸原因主要圍繞內(nèi)部因素、人為因素、常見因素、其他因素四方面。

1、內(nèi)部因素： 從爆炸的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率，內(nèi)部原因應(yīng)該就是過熱。

2、人為因素： 進線接在出線的端子上；變頻器接錯電源 ；沒按要求接負載。

3、常見因素： 過電流：一種是負載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通。 絕緣的損壞 過電壓：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設(shè)計高性能吸收回路，降低線路雜散電感。 過熱：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導(dǎo)致?lián)p壞。 通訊誤碼率：通訊一段時間后，突然的錯誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸;通訊板FPGA程序運行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸。

4、其他因素： 電路中過流檢測電路反應(yīng)時間跟不上。 IGBT短路保護是通過檢測飽和壓降，而留給執(zhí)行機構(gòu)的時間一般是10us(8倍過流)在上電的時候容易燒預(yù)充電電阻和制動單元里的IGBT。 工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。 短時大電流：原因也有很多，比如死區(qū)沒設(shè)置好、主電路過壓、吸收電路未做好。 驅(qū)動電源也是個應(yīng)該特別注意的問題，該隔離加隔離、該濾波加濾波。 電機沖擊反饋電壓過大導(dǎo)致IGBT爆炸。但對于充電時爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大。 電機啟動時，輸入測電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測電壓恢復(fù)后電容充電時的浪涌電流過大致使IGBT爆炸。

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審核編輯：湯梓紅