前不久，國(guó)家無(wú)線(xiàn)電監(jiān)測(cè)中心與全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)（GSMA）共同發(fā)布了關(guān)于未來(lái)寬帶移動(dòng)通信與頻譜高效利用的合作研究報(bào)告。
2023-07-17 09:56:00
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蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達(dá)克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車(chē)生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告》。報(bào)告結(jié)果表明，汽車(chē)制造商正面對(duì)著來(lái)自各方面的壓力，他們需要滿(mǎn)足消費(fèi)者對(duì)整體制造過(guò)程的可持續(xù)性和透明度不
2023-07-12 13:09:55287 蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進(jìn)數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術(shù)公司（納斯達(dá)克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車(chē)生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報(bào)告》。報(bào)告結(jié)果表明，汽車(chē)制造商正面對(duì)著來(lái)自各方面的壓力，他們需要滿(mǎn)足消費(fèi)者對(duì)整體制造過(guò)
2023-07-07 16:07:24321 自己的模板
研究 報(bào)告《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場(chǎng)前景
報(bào)告》，如需領(lǐng)取
報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào)，后臺(tái)回復(fù) ? 虛擬人? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需入群交流 ，請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02283 
隨著集成電路互連線(xiàn)的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀(guān)的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
前言
橙果電子是一家專(zhuān)業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無(wú)塵生產(chǎn)車(chē)間，為客戶(hù)進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
國(guó)產(chǎn)化率認(rèn)證報(bào)告（摘錄2）
圖3 國(guó)產(chǎn)化率認(rèn)證報(bào)告（摘錄3）
圖4 國(guó)產(chǎn)化率認(rèn)證報(bào)告（摘錄4）
來(lái)自“中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室”，很權(quán)威
工業(yè)和信息化部電子第五研究所（中國(guó)賽寶實(shí)驗(yàn)室），又名
2023-06-15 16:56:01
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質(zhì)的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來(lái)（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類(lèi)第一次制備出能夠發(fā)出藍(lán)
2023-06-15 15:50:54
% 化學(xué)物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過(guò) 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢(shì)，將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)，如主動(dòng)有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級(jí) FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡(jiǎn)單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
研究報(bào)告1.0版》，總計(jì)192頁(yè)，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來(lái)篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章，對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究和分析
2023-06-09 10:32:36550 
步入式恒溫恒濕試驗(yàn)房的用途:適用于塑膠、電子、食品、服裝、車(chē)輛、金屬、化學(xué)、建材、航天等多種行業(yè)的溫濕變化產(chǎn)品可靠性檢測(cè)。是指能同時(shí)施加溫度、濕度應(yīng)力的試驗(yàn)箱,由制冷系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、溫度
2023-06-09 10:30:45
可程式恒溫恒濕試驗(yàn)箱試驗(yàn)溫度:持續(xù)時(shí)間不能試驗(yàn)的化學(xué)品系統(tǒng)組成需注意的幾個(gè)問(wèn)題，溫濕度箱的選擇，本機(jī)專(zhuān)門(mén)測(cè)試各種材料耐熱、耐寒、耐干、耐濕的性能。本機(jī)可選擇中文或英文液晶顯示觸控式屏幕畫(huà)面，操作簡(jiǎn)單
2023-06-05 14:33:56
發(fā)展研究報(bào)告1.0版》，總計(jì)192頁(yè)，分為技術(shù)篇、產(chǎn)業(yè)篇、評(píng)測(cè)篇、職業(yè)篇、風(fēng)險(xiǎn)篇、哲理篇、未來(lái)篇、團(tuán)隊(duì)篇等多個(gè)篇章，對(duì)AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)進(jìn)行了詳盡研究和分析。 以下為報(bào)告內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報(bào)告預(yù)覽 后臺(tái)回復(fù)【 AIG
2023-06-04 16:15:01503 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
用于電動(dòng)摩托 砷化鎵+ Si混合可編程線(xiàn)性霍爾IC-GS302SA-3產(chǎn)品概述：GS302SA-3通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化，輸出等比例霍爾電勢(shì)，從而感知電流及線(xiàn)性位移，廣泛用于電流傳感器、線(xiàn)性馬達(dá)等。由于
2023-05-31 10:02:47
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
自己的模板 研究 報(bào)告《 汽車(chē)電子2023車(chē)載充電機(jī)(OBC)市場(chǎng)分析》，如需領(lǐng)取報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào)，后臺(tái)回復(fù) ? OBC? 即可領(lǐng)??！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需
2023-05-29 17:55:02896 
過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴(lài)蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過(guò)程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專(zhuān)業(yè)人員。因此，英思特開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)濕化學(xué)蝕刻硅襯底來(lái)制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 拋光硅晶片是通過(guò)各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤(pán)（晶片），然后是一個(gè)稱(chēng)為拍打的扁平過(guò)程，包括使用磨料清洗晶片。通過(guò)蝕刻消除了以往成形過(guò)程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線(xiàn)性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過(guò)程中，由于金剛石線(xiàn)和硅片的反復(fù)摩擦，硅片表面發(fā)生了大量的脆性損傷和塑性損傷。
2023-05-15 10:49:38489 
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2023-05-11 20:16:37145 減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 [技術(shù)領(lǐng)域] 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種酸性化學(xué)品供應(yīng)控制系 統(tǒng)。 由于半導(dǎo)體行業(yè)中芯片生產(chǎn)線(xiàn)的工作對(duì)象是硅晶片，而能在硅晶片上蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質(zhì)、微粒子的化學(xué)
2023-04-20 13:57:0074 SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開(kāi)關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開(kāi)關(guān)
2023-04-18 15:19:22
MA4AGSW2AlGaAs 反射式MA4AGSW2 是一種鋁-鎵-砷、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)采用增強(qiáng)型 AlGaAs 陽(yáng)極，采用 MACOM
2023-04-18 12:00:04
MA4AGSW1MA4AGSW1AlGaAs 反射式MACOM 的 MA4AGSW1 是一種鋁-鎵-砷、單刀、單擲 (SPST)、PIN 二極管開(kāi)關(guān)。該開(kāi)關(guān)采用增強(qiáng)型 Al-GaAs 陽(yáng)極，采用
2023-04-18 11:06:14
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研究 報(bào)告《 汽車(chē)MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
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2023-04-12 15:10:02390 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類(lèi)型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 計(jì)算機(jī)類(lèi)競(jìng)賽研究報(bào)告》（下簡(jiǎn)稱(chēng)《研究報(bào)告》），這是全國(guó)性大學(xué)生計(jì)算機(jī)類(lèi)競(jìng)賽研究報(bào)告的首次發(fā)布。廣和通歷年重點(diǎn)參與的賽事：榜單內(nèi)賽事全國(guó)大學(xué)生嵌入式芯片與系統(tǒng)設(shè)計(jì)競(jìng)賽、全國(guó)大學(xué)生物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)競(jìng)賽均被研究報(bào)告專(zhuān)家工作組選取作為計(jì)算機(jī)類(lèi)競(jìng)賽研究報(bào)告數(shù)據(jù)采集覆蓋的計(jì)算機(jī)類(lèi)競(jìng)賽項(xiàng)目之一。
2023-04-10 10:16:15
濟(jì)南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國(guó)際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國(guó)工業(yè)邊緣市場(chǎng)分析》研究報(bào)告（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《報(bào)告》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機(jī)器視覺(jué)等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30540 清洗過(guò)程在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒、無(wú)金屬雜質(zhì)、無(wú)有機(jī)、無(wú)水分、無(wú)天然氧化物、無(wú)表面微粗糙度、無(wú)充電、無(wú)氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類(lèi)。
2023-03-31 10:56:19314 
印刷線(xiàn)路板從光板到顯出線(xiàn)路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導(dǎo)體的物理特性會(huì)根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251 
調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗(yàn)箱”是航空、汽車(chē)、家電、科研等領(lǐng)域必備的測(cè)試設(shè)備，用于測(cè)試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗(yàn)
2023-03-28 09:02:36
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