刻蝕機(jī)的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
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開關(guān)電源的高頻變壓器的頻率是由什么決定的呢
2024-03-01 06:52:45
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
隨著科技的飛速發(fā)展，超材料和超表面作為新興研究領(lǐng)域，吸引了廣泛關(guān)注。它們通過人工設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)，能夠在特定條件下表現(xiàn)出特殊的物理性質(zhì)，為光電子領(lǐng)域帶來革命性的變革。COMSOL Multiphysics
2024-02-20 09:20:23
輪廓儀，也被稱為白光干涉儀，是利用白光干涉原理進(jìn)行成像測量的儀器，是一種通過測量干涉光的干涉條紋來獲取物體表面形貌的方法。該儀器通過發(fā)射一束寬光譜的白光，并將其照射到
2024-02-20 09:10:09
0 臺(tái)階儀通過掃描被測樣品表面，獲取高分辨率的表面形貌數(shù)據(jù)，能夠揭示微觀結(jié)構(gòu)的特征和性能。了解工作原理和性能特點(diǎn)臺(tái)階儀利用掃描探針在樣品表面上進(jìn)行微觀測量，通過探測探針和樣品表面之間的相互作用力，獲取
2024-02-20 09:06:240 光學(xué)3D表面輪廓儀利用白光干涉原理，以0.1nm分辨率精準(zhǔn)捕捉物體表面細(xì)節(jié)，實(shí)現(xiàn)三維顯微成像測量。廣泛應(yīng)用于材料學(xué)領(lǐng)域，可測量各種材料表面形貌，提高超光滑表面形貌的測試精度。
2024-02-19 13:47:01237 
臺(tái)階儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測量儀，能高精度測量微觀表面形貌，揭示表面微觀特征。它具有高速掃描能力，測量范圍廣泛，可應(yīng)用于科學(xué)研究、材料表征、納米技術(shù)等領(lǐng)域。臺(tái)階儀的優(yōu)勢包括高精度、快速測量和廣泛適用范圍。
2024-02-18 10:51:05242 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量設(shè)備采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
中圖儀器CP系列臺(tái)階儀接觸式表面形貌測量儀器主要用于臺(tái)階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測量。測量時(shí)通過使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺(tái)移動(dòng)樣品時(shí)掃描其表面，測針的垂直位移距離被轉(zhuǎn)換
2024-01-04 10:08:52
中圖儀器VT6000系列3D共聚焦形貌顯微鏡以共聚焦技術(shù)為原理、結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等，測量表面物理形貌，進(jìn)行微納米尺度的三維形貌分析，如3D表面形貌、2D的縱深形貌、輪廓（縱深
2024-01-03 10:05:05
LT3748的工作頻率是由什么決定的呢，我查看了芯片手冊，里面的參考設(shè)計(jì)并沒有說清楚。另外，LT3748的最大工作頻率是多少
2024-01-03 07:24:04
微納米表面輪廓形貌的測量可以幫助我們了解材料的物理特性、表面形態(tài)以及質(zhì)量狀況。如白光干涉儀是一種常見的微納米表面輪廓儀測量儀器，常用于研究產(chǎn)品的微觀形貌和粗糙度；而共聚焦顯微鏡大傾角超清納米測量，在滿足精度的情況下使用場景更具有兼容性。選擇適合的測量儀器對于準(zhǔn)確獲取樣品表面形貌和特征至關(guān)重要。
2023-12-20 16:38:09358 
IC的片內(nèi)和片間非均勻性是什么？有什么作用呢？ IC的片內(nèi)和片間非均勻性是指在IC設(shè)計(jì)和制造的過程中，芯片內(nèi)部或芯片之間出現(xiàn)的性能或結(jié)構(gòu)的不均勻分布現(xiàn)象。這種非均勻性可以在多個(gè)層面上存在，例如晶體管
2023-12-19 11:48:24204 片內(nèi)和片間非均勻性是什么？有什么作用呢？ 片內(nèi)和片間非均勻性是指光學(xué)元件（如透鏡）表面上的厚度/形狀/折射率等參數(shù)的變化，以及元件之間的相對位置誤差所引起的光學(xué)性能差異。這種非均勻性在光學(xué)系統(tǒng)
2023-12-19 11:48:19198 眾所周知，化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
電磁波的激發(fā)原理主要分為電極激發(fā)原理和磁極激發(fā)原理，兩者均需要調(diào)整電場和磁場，激發(fā)物理過程從而產(chǎn)生電磁波。
2023-12-13 16:43:37984 
變頻器控制一個(gè)電機(jī)，最高轉(zhuǎn)速由什么決定
2023-12-13 08:31:48
是在銅面上包裹一層厚厚的、電性良好的鎳金合金，是常見的表面處理工藝。
好處主要包括表面平整和保質(zhì)期長。
缺點(diǎn)是成本較高，焊接強(qiáng)度一般。
綠油板
綠油是指涂覆在PCB銅箔上面的油墨，也叫液態(tài)光致阻焊劑
2023-12-12 13:35:04
20多米的四氟傳輸帶在運(yùn)行的過程中老是跑偏，控制是變頻控制，求各位大俠幫忙?謝謝
電機(jī)的功率；3KW
2023-12-11 07:01:06
中圖儀器SuperViewW系列3d表面微觀形貌輪廓儀可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。它是以3D非接觸方式，測量
2023-12-08 11:27:29
中圖儀器SuperViewW1非接觸表面形貌儀白光干涉儀具有測量精度高、功能全面、操作便捷、測量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)。它基于白光干涉原理，以3D非接觸方式，測量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸，測量
2023-12-06 14:04:23
該專利詳細(xì)闡述了一種針對含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 中圖儀器SuperViewW1白光干涉表面形貌檢測儀是利用光學(xué)干涉原理研制開發(fā)的超精細(xì)表面輪廓測量儀器。它具有測量精度高、操作便捷、功能齊全、測量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)，測量單個(gè)精細(xì)器件的過程用時(shí)短
2023-12-04 14:52:41
晶圓測溫系統(tǒng)tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫晶圓表面溫度均勻性測試的重要性及方法 在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個(gè)重要的參數(shù)
2023-12-04 11:36:42
在工業(yè)應(yīng)用中，光學(xué)3D表面輪廓儀超0.1nm的縱向分辨能力能夠高精度測量物體的表面形貌，可用于質(zhì)量控制、表面工程和納米制造等領(lǐng)域。與其它表面形貌測量方法相比，SuperViewW系列光學(xué)3D表面
2023-11-29 10:04:380 與其它表面形貌測量方法相比，SuperViewW系列光學(xué)3D表面輪廓儀達(dá)到納米級別的相移干涉法(PSI)和垂直掃描干涉法(VSI)，具有快速、非接觸的優(yōu)點(diǎn)。它結(jié)合了跨尺度納米直驅(qū)技術(shù)、精密光學(xué)干涉
2023-11-28 10:59:58241 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
中圖儀器CP200國產(chǎn)臺(tái)階形貌儀是一種接觸式表面形貌測量儀器，可以對微米和納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測量。測量時(shí)通過使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺(tái)移動(dòng)
2023-11-09 09:11:26
干涉現(xiàn)象，使用白光源照射物體，并將反射光經(jīng)過干涉儀的分光裝置后形成干涉圖樣。通過觀察干涉圖樣的變化，就可以獲得物體表面形貌的細(xì)節(jié)信息。
如何使用白光干涉儀來測量坑的形貌？在使用白光干涉儀測量坑的形貌
2023-11-06 14:27:48
晶圓在加工過程中的形貌及關(guān)鍵尺寸對器件的性能有著重要的影響，而形貌和關(guān)鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺(tái)階高度、應(yīng)力及線寬測量等就成為加工前后的步驟。以下總結(jié)了從宏觀到微觀的不同表面測量方法：單種測量手段
2023-11-03 09:21:580 晶圓在加工過程中的形貌及關(guān)鍵尺寸對器件的性能有著重要的影響，而形貌和關(guān)鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺(tái)階高度、應(yīng)力及線寬測量等就成為加工前后的步驟。以下總結(jié)了從宏觀到微觀的不同表面測量方法：單種測量手段
2023-11-02 11:21:54462 
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 18:21:13608 
導(dǎo)語：均勻性在芯片制程的每一個(gè)工序中都需要考慮到，包括薄膜沉積，刻蝕，光刻，cmp，離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產(chǎn)品與性能。那么片內(nèi)和片間非均勻性是什么？如何計(jì)算？有什么作用呢？
2023-11-01 18:21:12503 
？它是利用干涉現(xiàn)象，使用白光源照射物體，并將反射光經(jīng)過干涉儀的分光裝置后形成干涉圖樣。通過觀察干涉圖樣的變化，就可以獲得物體表面形貌的細(xì)節(jié)信息。 如何使用白
2023-10-26 10:47:58
WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2023-10-24 09:42:25554 
WD4000半導(dǎo)體晶圓表面三維形貌測量設(shè)備自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
眾所周知，傾斜光纖光柵可以激發(fā)眾多的包層模式，并且對光纖表面周圍環(huán)境敏感。當(dāng)光纖包層模式與表面等離子共振相位匹配時(shí)，傾斜光纖光柵可以在金表面激發(fā)倏逝表面等離子體共振波。
2023-10-20 15:48:08330 
但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:21454 
白光干涉儀廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究和工程實(shí)踐各個(gè)領(lǐng)域中。它作為一款用于對各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級測量的檢測儀器，在測量坑的形貌方面扮演著舉足輕重的角色。白光干涉儀怎么測量坑的形貌？它是利用
2023-10-20 09:52:210 CAN總線上最多掛多少設(shè)備由什么決定？
2023-10-16 06:39:28
在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-11 18:18:43978 
納米級測量中，由于物體尺寸的相對較小，傳統(tǒng)的測量儀器往往無法滿足精確的要求。而納米級測量儀器具備高精度、高分辨率和非破壞性的特點(diǎn)，可以測量微小的尺寸。1、光學(xué)3D表面輪廓儀SuperViewW1光學(xué)3D
2023-10-11 14:37:46
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會(huì)遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
SuperViewW系列白光干涉顯微形貌儀是以白光干涉技術(shù)原理，通過測量干涉條紋的變化來測量表面三維形貌，是一款用于精密零部件之重點(diǎn)部位表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸的納米級測量儀器。產(chǎn)品簡介
2023-09-26 14:12:49
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
SuperViewW1白光干涉表面形貌儀用于對各種精密器件及材料表面進(jìn)行亞納米級測量，可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等
2023-09-19 14:31:26
IO的電平難道不是由對應(yīng)bank電源引腳的輸入電壓決定的嗎？在硬件上已經(jīng)把bank0的電源連接到3.3V了，通過sysctl_set_power_mode似乎不能把某個(gè)引腳設(shè)定到1.8V，請問是這個(gè)函數(shù)作用是什么？
2023-09-15 07:17:14
臺(tái)階儀是一種接觸式表面形貌測量儀器，可以對微米和納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測量。中圖儀器CP系列臺(tái)階儀接觸式表面形貌測量儀廣泛應(yīng)用于：大學(xué)、研究實(shí)驗(yàn)室和研究所
2023-09-14 16:10:14
SuperViewW1三維白光干涉表面形貌儀采用光學(xué)干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和3D重建算法組成測量系統(tǒng)，高精度測量；隔振系統(tǒng)能夠有效隔離頻率2Hz以上絕大部分振動(dòng)，消除地面振動(dòng)噪聲和空氣中聲波振動(dòng)
2023-09-13 10:30:22
表面貼裝技術(shù)中的鋼網(wǎng)設(shè)計(jì)是決定焊膏沉積量的關(guān)鍵因素，而再流焊后形成的焊點(diǎn)形貌與鋼網(wǎng)的開口設(shè)計(jì)有著千絲萬縷的聯(lián)系。從SMT錫膏印刷工藝的理論基礎(chǔ)出發(fā)，結(jié)合實(shí)際PCB（印制線路板）上錫膏印刷量，針對在不同線寬的高速信號線衍生形成的焊盤上印刷不同體積的錫膏量，論證再流焊后形成的焊點(diǎn)形貌。
2023-09-12 10:29:03383 
SuperViewW1光學(xué)材料表面形貌測試儀是利用光學(xué)干涉原理研制開發(fā)的超精細(xì)表面輪廓測量儀器，具有測量精度高、操作便捷、功能齊全、測量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn)，測量單個(gè)精細(xì)器件的過程用時(shí)2分鐘以內(nèi)，確保
2023-09-08 17:32:10
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
白光干涉儀是一種常見的測量設(shè)備，它能夠利用不同的光束干涉原理來觀察和測量顯微形貌。當(dāng)白色光經(jīng)過分束鏡分成兩束光線，這些光線在目標(biāo)物體上反射后重新合并。這樣，生成的光束會(huì)發(fā)生干涉，由此產(chǎn)生一系列明暗相間的干涉條紋。這些條紋的形狀和間距與目標(biāo)物體的表面形貌直接相關(guān)。
2023-08-23 10:35:21441 
激光共聚焦顯微鏡原理是由LED光源發(fā)出的光束經(jīng)過一個(gè)多孔盤和物鏡后，聚焦到樣品表面。之后光束經(jīng)樣品表面反射回測量系統(tǒng)。再次通過MPD上的針孔時(shí)，反射光將只保留聚焦的光點(diǎn)。最后，光束經(jīng)分光片反射后在
2023-08-22 15:19:49
白光干涉儀以白光干涉為原理，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)等領(lǐng)域，對各種產(chǎn)品、部件和材料表面的平面度、粗糙度、波紋度、面形輪廓、表面缺陷、孔隙間隙、臺(tái)階高度、彎曲變形情況、磨損情況、腐蝕情況、加工情況等表面形貌
2023-08-21 13:46:12
光學(xué)3D表面輪廓儀是基于白光干涉技術(shù)，結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等快速、準(zhǔn)確測量物體表面的形狀和輪廓的檢測儀器。它利用光學(xué)投射原理，通過光學(xué)傳感器對物體表面進(jìn)行掃描，并根據(jù)反射光的信息來
2023-08-21 13:41:46
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 和共聚焦3D顯微形貌檢測技術(shù)，廣泛應(yīng)用于涉足超精密加工領(lǐng)域的三維形貌檢測與表面質(zhì)量檢測方案。其中，VT6000系列共聚焦顯微鏡，在結(jié)構(gòu)復(fù)雜且反射率低的表面3D微觀形貌重構(gòu)與檢測方面具有不俗的表現(xiàn)。
一
2023-08-04 16:12:06
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在半導(dǎo)體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接決定了晶圓廠所能實(shí)現(xiàn)的最高工藝節(jié)點(diǎn)，所用產(chǎn)品
2023-07-30 03:24:481556 
白光干涉儀利用白光干涉原理，通過測量光的相位變化來獲取物體表面的形貌信息。在工業(yè)制造、科學(xué)研究等領(lǐng)域，被廣泛用于測量精密器件的形貌、表面缺陷檢測等方面。白光干涉儀通過對干涉條紋進(jìn)行圖像處理，可以獲得
2023-07-21 11:05:48418 
白光干涉儀測量的結(jié)果通常以二維形貌圖或三維形貌圖的形式展示。二維形貌圖是對干涉條紋進(jìn)行圖像處理得到的，顯示出被測物體表面的高低起伏。而三維形貌圖則是在二維圖像的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步還原出物體表面的立體形貌
2023-07-21 11:03:00522 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
NightN光學(xué)表面形貌測試儀HION產(chǎn)品介紹：光學(xué)測試儀HION用于光學(xué)表面測試。該技術(shù)基于 Shack-Hartmann 方法。激光束從被測光學(xué)表面反射并進(jìn)入 Shack-Hartmann 波前
2023-06-29 14:12:45
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對PCB進(jìn)行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 11:17:44
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會(huì)嚴(yán)重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對PCB進(jìn)行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 10:37:54
白光干涉儀是以白光干涉技術(shù)原理，對各種精密器件表面進(jìn)行納米級測量的光學(xué)3D表面輪廓測量儀，通過測量干涉條紋的變化來測量表面三維形貌，專用于精密零部件之重點(diǎn)部位表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸的非接觸
2023-06-16 11:53:051106 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353319 
刻蝕硅，硅的均勻剝離，同時(shí)帶走表面顆粒。隨著器件尺寸縮減會(huì)引入很多新材料（如高介電常數(shù)和金屬柵極），那么在后柵極制程，多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，制程關(guān)鍵是控制溶液的溫度和濃度，以調(diào)整刻蝕對多晶硅和其他材料的選擇比。
2023-06-05 15:10:011597 等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
白光干涉儀又叫做非接觸式光學(xué)3D表面輪廓儀，是以白光干涉掃描技術(shù)為基礎(chǔ)研制而成用于樣品表面微觀形貌檢測的精密儀器。它以白光干涉技術(shù)為原理，光源發(fā)出的光經(jīng)過擴(kuò)束準(zhǔn)直后經(jīng)分光棱鏡后分成兩束，一束經(jīng)被
2023-05-23 13:58:04
表面形貌即為表面微觀幾何形態(tài)，不僅對接觸零件的機(jī)械和物理特性起著決定作用，而且對一些非接觸零件的光學(xué)和外部特性影響也很大。所以對表面形貌的精準(zhǔn)測量能正確地識(shí)別出加工過程的變化和缺陷，對研究表面幾何
2023-05-19 16:52:10411 
PTFE表面等離子改性是一種有效的技術(shù)手段，可以改變PTFE表面的性質(zhì)，增加其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。通過引入親水基團(tuán)、改善表面形貌、形成致密的氟化物膜等方式，可以提高PTFE表面的粘附性、潤濕性、抗腐蝕性、耐磨性、生物相容性和電性能。
2023-05-19 10:45:39628 
決定PCB表面成型的參考之一。當(dāng)然，這些項(xiàng)目永遠(yuǎn)不可能是具有同等重要性的平均重要性。然后，在你準(zhǔn)備好依賴這個(gè)列表并考慮你具體的產(chǎn)品情況之前，應(yīng)該澄清每個(gè)項(xiàng)目的重要性程度。
ENIG和ENEPIG
2023-04-24 16:07:02
形成的鍍層更一致、更均勻，但是缺少如ENIG中鎳層提供的保護(hù)和持久性。雖然它的表面處理工藝比ENIG更簡單，而且比ENIG更劃算，但是它不適合在電路制造商那里長期儲(chǔ)存。4、化學(xué)沉錫化學(xué)沉錫工藝通過一個(gè)
2023-04-19 11:53:15
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 為什么電流互感器的二次測電流由一次側(cè)電流決定呢？
2023-04-13 10:47:57
%） 的圓臺(tái)硅通孔刻蝕方法被研究探索出來。該方法通過調(diào)節(jié) 下電極功率 （≤30 W），獲得了側(cè)壁角度可調(diào) （70°~88°）、通孔底部開口尺寸小于光刻定義特征尺寸 的圓臺(tái)硅通孔結(jié)構(gòu)。這一方法有望向三維集成電路領(lǐng)域推廣，有助于在封裝階段延續(xù)摩爾定律。
2023-04-12 14:35:411569 在DPC陶瓷基板制備過程中，由于電鍍電流分布不均勻，導(dǎo)致基板表面電鍍銅層厚度不均勻（厚度差可超過100μm），表面研磨是控制電鍍銅層厚度，提高銅層厚度均勻性的關(guān)鍵工藝，直接影響陶瓷基板的性能和器件封裝質(zhì)量。
2023-04-12 11:25:121592 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 開關(guān)電源功率是由開關(guān)管的最大電流決定嗎？例如5v1a的電源，開關(guān)管選多大的電流，這個(gè)電流是如何算出來的？謝謝
2023-04-04 16:56:04
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