光子集成芯片是一種利用光波作為信息傳輸或數據運算載體的集成電路。它依托于集成光學或硅基光電子學中的介質光波導來傳輸導模光信號，將光信號和電信號的調制、傳輸、解調等功能集成在一起。
2024-03-22 17:29:33
63 光電集成芯片和光子集成芯片在多個方面存在顯著的區別。
2024-03-22 16:56:3855 光子集成芯片（Photonic Integrated Circuit，簡稱PIC）是一種將光子學和電子學功能集成在同一芯片上的技術。這種芯片利用光子（光的粒子）來傳輸、感知、處理和傳送信息，與傳統的基于電子信號的集成電路相比，光電集成芯片在某些應用中展現出獨特的優勢。
2024-03-22 16:55:1565 光子集成芯片，也稱為光子芯片或光子集成電路，是一種將光子器件小型化并集成在特殊襯底材料上的技術。這些特殊的光子器件，如光柵、耦合器、光開關、激光器、光電探測器、陣列波導等，被組合在一起以完成特定的功能。光子集成芯片的核心是光波導，它利用光的全反射現象將光線引導在芯片內部傳輸。
2024-03-22 16:51:1460 光子集成芯片的應用范圍非常廣泛，得益于其在高速數據傳輸、低功耗通信以及高度集成等方面的顯著優勢。
2024-03-20 17:05:35128 光子集成芯片，作為光電集成領域的重要分支，近年來受到了廣泛關注。其應用范圍廣泛，涉及通信、計算、傳感等多個領域，展現出了巨大的應用前景。
2024-03-20 16:27:49114 光子集成芯片的應用領域相當廣泛，其基于光子學的特性使得它在多個領域都能發揮重要作用。
2024-03-20 16:24:52123 微波光子集成芯片和硅基光子集成芯片都是光電子領域的重要技術，但它們在設計原理、應用領域以及制造工藝上存在著顯著的區別。
2024-03-20 16:14:06103 微波光子集成芯片是一種新型的集成光電子器件，它將微波信號和光信號在同一芯片上進行處理和傳輸。這種芯片的基本原理是利用光子器件和微波器件的相互作用來實現信號的傳輸和處理。光子器件通常由光源、光調制器
2024-03-20 16:11:22108 光子集成芯片，一種新型的光電子器件，將光子器件與集成電路技術相結合，實現了光信號與電信號的集成處理。它以其獨特的工作原理和廣泛的應用領域，成為當前科技研究的熱點。
2024-03-20 16:10:1195 (a)光子器件內傳播波成像實驗裝置的示意圖。1550 nm信號脈沖(橙色)通過光柵耦合到絕緣體上硅(SOI)波導中，而780 nm泵浦脈沖(紅色)使用長工作距離物鏡聚焦到器件上。當兩個脈沖在時間
2024-02-29 06:29:02143 
Intel 硅光子Intel?硅光子將硅集成電路和半導體激光兩個重要發明結合在一起。與傳統電子產品相比，它可以實現更遠距離的數據傳輸。它利用了Intel?大批量硅制造的效率。特性為數據中心及其他領域
2024-02-27 12:19:00
近日，北京大學電子學院王興軍、舒浩文團隊提出集成微波光子寬頻段精細信號處理解決方案，通過操控波導內空間模式的耦合關系來調控諧振峰劈裂的狀態；
2024-02-26 09:28:52267 
光子和電子集成電路的集成簡化了組裝過程并降低了生產成本，使OCT系統更容易為更廣泛的醫療機構和患者所使用。
2024-02-25 11:09:39249 研究人員正在利用光子學來開發和擴展硬件，以滿足量子信息技術的嚴格要求。通過利用光子學的特性，研究人員指出了縮放量子硬件的好處。
2024-01-25 09:14:14272 
mA/mm的ID，最大值和27Ω·mm的RON，創下了金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）生長的III族氮化物p-FET的記錄。 高密度鈮酸鋰光子集成電路 在這里，我們證明了類金剛石碳（DLC）是制造基于鐵電體的光子集成電路的優越材料，特別是LiNbO3。使用DLC作為硬掩模，我們展示了深蝕刻、緊密
2024-01-16 17:12:33146 
對其帶載能力有很大影響，常用的MOS管材料有硅、碳化硅和氮化硅等。不同材料具有不同的特性，硅材料具有高電子遷移率和較低的電阻，適用于高頻應用；碳化硅具有高電子飽和速度和高電壓傳導能力，適用于高功率應用；氮化硅具有高溫特性和較高的能帶間隙，適
2024-01-12 14:43:47424 硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導體材料，具有廣闊的應用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結合在一起，利用其優勢來加速集成電路發展的速度。本文將介紹硅基氮化鎵集成電路芯片的背景、特點
2024-01-10 10:14:58226 同為第三代半導體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度高和抗輻射能力強等特點展現了它的優越性。
2024-01-10 09:53:29567 
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 摘要：本文介紹了LTCC（低溫共燒陶瓷）技術中廣泛采用的IWG（集成式波導[1]）濾波器。設計了通帶為35-36GHz的七級契比雪夫型IWG濾波器，它在34-37GHz外可以提供50dB的衰減
2024-01-02 14:01:23439 
3D集成硅PIC芯片 來自美國加州大學圣巴巴拉分校與加州理工學院的科研團隊合作開發出了首款同時集成激光器和光子波導的芯片，向在硅上實現復雜系統和網絡邁出了關鍵一步。相關論文已發表于近日出版的《自然
2024-01-02 06:38:14184 
氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 與電子元器件類似，光子電路也可以微型化到芯片上，形成所謂的光子集成電路（PIC）。
2023-12-25 10:26:49462 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
京瓷株式會社（以下簡稱京瓷）成功研發用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設備。
2023-12-14 09:23:06548 
碳化硅和氮化鎵的區別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質
2023-12-08 11:28:51740 VIGO預計，在氣體分析、空氣質量檢測、有害物質檢測和激光探測等主要應用的推動下，2020年至2030年期間，光子紅外傳感器市場的復合年增長率（CAGR）約為20%，從3.05億美元增至9.69億美元。
2023-12-04 15:26:16420 
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 硅光子學因其從量子計算到生物傳感的廣泛應用而成為一項關鍵技術和廣泛研究的領域。光子結構的測試和表征需要靈敏、精確和定量的成像和光譜解決方案，從可見光到紅外波長(電信波長)。 光子集成電路是利用光執行
2023-11-24 06:33:40214 
，氮化鎵芯片具有許多優點和優勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優缺點，以及與硅芯片的區別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
2023-11-21 16:15:302310 ）級別氮化硅硅光芯片的量產，工藝良率超95%。 ? 相對于傳統硅光技術，氮化硅材料具有損耗低、光譜范圍大、可承載光功率大等突出優點。此外，氮化硅硅光芯片也是優異的多材料異質異構平臺，可集成磷化銦（InP）、鈮酸鋰（LiNbO?）等材料，實現應用更
2023-11-17 09:04:54654 懸浮二氧化硅結構對于許多光學和光子集成電路(PIC)應用是重要的，例如寬光譜頻率梳，低傳播損耗波導，以及紫外-可見光濾光器等。除了這些應用，懸浮波導還可以應用于紫外吸收光譜和一類新興的基于氮化
2023-11-16 11:13:50231 
光子芯片，這是一種依托光子學的集成電路，它將光子器件集成在芯片上 實現 光電子的集成。相較于傳統的電子芯片，光子芯片在數據傳輸速度、能耗以及帶寬方面都有著顯著的優勢。
2023-11-15 17:41:501017 這是納米碳化硅模塊燒結工藝，使用銅鍵合技術，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上，車輛行駛距離5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 電子發燒友網站提供《Ka波段基片集成波導帶通濾波器的設計.pdf》資料免費下載
2023-10-25 11:18:32
0 氮化硅（Si3N4） 基板在各項性能方面表現最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級電動汽車驅動逆變器中的應用。
2023-10-23 12:27:13408 
訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導熱墊加強散熱。充電器內置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內置英諾賽科氮化鎵開關管和森國科碳化硅二極管。采用同步整流，固定電壓輸出。
2023-10-20 10:40:56477 
根據專利摘要，本申請提供下列光芯片、光模塊及通信設備，光芯片包括：硅波導層、氮化硅波導層、電光調制器和光電探測器。光電探測器包括鍺本征結構，以及位于鍺本征結構兩側的P型摻雜區和N型摻雜區；鍺本征結構、P型摻雜區和N型摻雜區集成于硅波導層內。
2023-10-10 10:20:02574 
作為第三代功率半導體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業界特別是電氣工程師的關注。電氣工程師之所以如此關注這兩種功率半導體，是因為它們的材料與傳統的硅材料相比具有許多優點。
氮化
2023-10-07 16:21:18325 
PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝，對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面，從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491772 
GaN 技術持續為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化鎵的主導地位，但它的出現將影響供應鏈，并可能塑造未來的電信技術。
2023-09-14 10:22:36647 
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
在光電子融合中，硅光子學發揮著核心作用。硅光子學是一種利用CMOS制程技術，支援半導體工業在硅基板上整合光接收元件、光調變器、光波導和電子電路等元件的技術。負責轉換光訊號和電訊號的光收
2023-08-24 10:36:02295 
陶瓷散熱基板中的“陶瓷”，并非我們通常認知中的陶瓷，屬于電子陶瓷材料，主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板，主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統的陶瓷有個共性，主要化學成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:30638 
鈮酸鋰多功能集成件（Y波導）采用微電子工藝在鈮酸鋰晶片上制造波導和電極，光纖與波導精密耦合可讓外部光源耦合進Y波導中，通過電壓調制可實現輸入光的起偏、檢偏、分束、合束、相位調制等功能。
2023-08-18 10:16:571120 
平面波導延時線具有尺寸小、易集成等優勢，不僅可以通過精確調制波導長度控制延時時間，而且能容易地制備出超長的波導線，在硅光子集成芯片系統中有著重要的應用。
2023-08-14 11:00:09212 
來自美國加州大學圣巴巴拉分校與加州理工學院的科研團隊合作開發出了首款同時集成激光器和光子波導的芯片，向在硅上實現復雜系統和網絡邁出了關鍵一步。
2023-08-12 09:24:21842 
美國研究人員首次將超低噪聲激光器（ultralow-noise lasers）和光子波導（photonic waveguides）集成到單個芯片上。這一期待已久的成就可以使在單個集成設備中使用原子鐘和其他量子技術進行高精度實驗成為可能，從而消除在某些應用中對房間大小的光學平臺的需求。
2023-08-10 10:15:38250 氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導地位，它們將減少數十億噸溫室氣體排放。
2023-08-07 14:22:08837 
早前，納微半導體率先憑借氮化鎵功率芯片產品，踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應用爆發的節奏，成為氮化鎵領域的頭部企業。同時，納微也不斷開發氮化鎵和碳化硅產品線，拓展新興應用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:191553 
液晶技術和MEMS技術使可重新編程光子集成電路（PIC）成為可能，這些PIC能夠支持多種功能，并顯著加速未來光子芯片的開發周期。
2023-07-31 09:29:413678 
紅外探測器是紅外熱成像技術領域的核心器件，其主要用于檢測物體發出的紅外輻射。按照探測器原理不同，紅外探測器通常可以分為兩大類：熱探測器和光子探測器。這兩種探測器各自具有一套獨特的工作原理，在本文
2023-07-19 17:12:471266 
氮化硅是一種半導體材料。氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性，被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過摻雜來調節其導電性能，因此被視為一種重要的半導體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鋁具有較高的熱導性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環境中可以更有效地傳導熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅陶瓷軸承球與鋼質球相比具有突出的優點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質球相同。陶瓷球作為高速旋轉體產生離心應力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉體外圈上的離心應力。
2023-07-05 10:37:061561 
，是大氣遙感、三維成像等激光雷達系統的理想工作波段。近紅外波段單光子探測技術主要包括超導納米線單光子探測器、上轉換單光子探測器和InGaAs/InP單光子探測器。其中，InGaAs/InP單光子探測器具有體積小、低成本、易于系統集成和良好的綜合性能指標等優勢，是實用化1.5 μm激光雷達的最佳選擇。
2023-07-03 16:31:45466 
高性能的中長波單光子探測器在紅外天文和軍事國防領域具有重要的研究價值，也是單光子探測技術領域的研究難點。
2023-06-29 09:46:02368 
光子芯片（Photonics Chip）是一種基于光子學原理的集成電路芯片，其主要應用于光通信、光存儲、光計算、光傳感等領域。與傳統電子芯片相比，光子芯片具有更高的速度、更低的功耗、更大的帶寬等優勢，因此被視為下一代信息技術的重要發展方向。本文將從光子芯片的原理、制造技術、應用等方面進行詳細介紹。
2023-06-28 17:27:498167 工作在零偏壓下的波導光探測器外電路簡單，器件具有低功耗、易集成等優點，因此設計零偏壓下的高速、高響應度、具有波長選擇性的波導光探測器具有重要意義和更廣闊的應用前景。
2023-06-28 09:34:38473 
單光子探測器達到了光電探測的極限靈敏度，InP/InGaAs 短波紅外單光子探測器 (SPAD) 是目前制備技術較為成熟且獲得廣泛應用的單光子探測器。
2023-06-28 09:31:54533 
目前常用的高導熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發展綠色環保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開始退出歷史的舞臺。
2023-06-27 15:03:56543 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現的性能。那么，為什么關于氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于氮化鎵技術
2023-06-25 14:17:47
光子芯片是一種基于光子學的集成電路，將光子器件集成在芯片上，實現了光電子集成。相比傳統的電子芯片，光子芯片具有更高的數據傳輸速度、更低的能耗和更大的帶寬。光子芯片的出現將會改變通信、計算、傳感等領域的面貌，具有廣闊的應用前景。
2023-06-21 10:04:517253 近年來，基于InGaAs單光子雪崩二極管（SPAD）的近紅外單光子探測技術在遠距離激光雷達等系統中的應用日益廣泛，展現了其低功耗、小體積等優勢。
2023-06-21 09:37:55531 
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓撲結構中結合了頻率、密度和效率優勢。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開關拓撲結構到軟開關拓撲結構的改變，初級FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現，將成為第二次電力電子學革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
,構建基于光子集成芯片技術的微波光子射頻前端微系統勢在必行。文章分析了集成微波光子射頻前端微系統目前在器件層面和系統集成層面面臨的挑戰,并從高精細、可重構的光濾波器設計、混合集成系統架構設計和系統頻率漂移抑制方案三個方面重點介紹了作者所在課題組開展的關于混合集成可重構微波光子射頻前端的研究現狀。
2023-06-14 10:22:321273 
。常用的陶瓷基材料包括氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR線路板是指以環氧玻璃纖維布作為主要材料的線路。那么，陶瓷線路板與普通PCB板材區別在哪？
一、陶瓷基板與pcb板的區別
1、材料
2023-06-06 14:41:30
氮化鋁為大功率半導體優選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經投入生產應用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化鋁技術成熟度最高、綜合性能好、性價比高，是功率器件最為常用 的陶瓷基板，市占率達 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 
首先，一些背景：與IC設計中使用的典型電信號相比，光子信號相當復雜。光子信號可以以幅度、相位、偏振和空間模式傳輸信息。此外，使用多個波長的光將許多信號多路復用到一個公共波導上是很常見的。最后，對于
2023-05-24 14:23:39510 
? 紅外相機InGaAs在光波導方向的應用案例介紹。 案例介紹 推薦相機 案例：波導耦合 InGaAs相機 案例：光纖波導耦合對準 InGaAs相機 案例：硅波導損耗分析 InGaAs相機
2023-05-23 07:03:42303 
熱管理對高集成度和高功率密度電子器件的正常運行至關重要。高性能電子器件運行時會產生大量的熱量，如果不能有效及時地將這些熱量排出，就會導致器件過熱，進而影響性能，甚至損壞器件。優秀的熱管理材料應當同時具備高導熱性能和機械性能，以避免器件過熱或斷裂。
2023-05-16 17:45:44756 
新能源電動汽車爆發式增長的勢頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊，對提升新能源汽車加速度、續航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
香港大學電機與電子工程系助理教授向超以異質光子集成、硅光子學、半導體激光器和光子集成電路為研究方向，并主導研發了一系列硅基異質集成光電子器件，主要包括氮化硅上單片集成激光器、硅基激光光孤子頻率梳生成器、硅基窄線寬激光器等。
2023-04-25 10:16:011093 
了一系列III-V材料以及各種各樣的設備。?最初，設計，制造和光學表征研究了鋁砷化鎵波導增強光學非線性文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁耳相互作用。?基于我們的研究結果，我們提出了一種新型的AlGaAs集成非線性光學波導。波導是集成光子器件中極具吸引力的元件，
2023-04-19 10:04:00130 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過添加一定比例氧化物燒結助劑，經冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結工藝燒結制備出了能充分滿足高性能導彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰才是最有發展前途的封裝材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應用前景和市場需求，正因為如此斯利通現正全力研發氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
光隔離器是一種只允許單向光通過的無源光器件，其主要特點是：正向插入損耗低，反向隔離度高，回波損耗高。目前已經有多種片上光隔離方案，但這些方案大多依賴于磁光材料的集成或聲光或電光調制器的高頻調制。
2023-04-03 16:19:041633 
氮化硅研磨環由于研磨環存在內外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場景中快速的上下運動，氮化硅磨介圈在大的球磨機里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環會發生共振現象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統控制器的戰略性集成， 實現易用、高效、可快速充電的電源系統 美國加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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