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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>FRAM車規(guī)級(jí)是滿足汽車電子無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇

FRAM車規(guī)級(jí)是滿足汽車電子無(wú)延遲要求的優(yōu)先存儲(chǔ)器選擇

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一文通過(guò)AEC-Q102規(guī)級(jí)芯片測(cè)試認(rèn)證了解激光雷達(dá)核心技術(shù)及行業(yè)格局

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0722_03 fifo存儲(chǔ)器作用和結(jié)構(gòu)模型 - 第2節(jié)

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存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
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SALELF4系列FPGA數(shù)據(jù)手冊(cè)

級(jí) IO 擴(kuò)展應(yīng)用需求。EF4 器件采用 55nm 低功耗工藝,針對(duì)規(guī)器件的嚴(yán)苛要求設(shè)計(jì),以滿足器件的可靠性和性能要求。安路科技提供豐富的設(shè)計(jì)工具幫助用戶有效地利用 EF4 平臺(tái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜設(shè)計(jì)。業(yè)界領(lǐng)先的綜合和布局布線工具,為用戶設(shè)計(jì)高質(zhì)量產(chǎn)品提供有力保障。
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EF4系列器件概述

SALELF?4(以下簡(jiǎn)稱 EF4)系列器件是安路科技的第四代 FPGA 產(chǎn)品,基于 EF3 器件改進(jìn)以滿足汽車(Grade-2)應(yīng)用需求,符合規(guī)器件的嚴(yán)苛設(shè)計(jì)要求,同時(shí)也能廣泛應(yīng)用于通信、工業(yè)
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PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制(PL092)技術(shù)參考手冊(cè)

PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制(SMC)是一款符合高級(jí)微控制總線架構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備,由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 SMC是一個(gè)AMBA從模塊,連接到高級(jí)高性能
2023-08-02 12:21:46

SC054 ASB靜態(tài)存儲(chǔ)器控制技術(shù)參考手冊(cè)

SC054 ASB靜態(tài)存儲(chǔ)器控制(SMC)是一款符合高級(jí)微控制總線架構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備,由ARM開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。SC054 ASB SMC是一個(gè)AMBA從模塊,連接到高級(jí)系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫速度快,沒(méi)有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28874

笙泉MCU喜獲AEC-Q100認(rèn)證,正式在車規(guī)賽道上奔馳

笙泉MCU喜獲AEC-Q100認(rèn)證,正式在車規(guī)賽道上奔馳 用MCU需求強(qiáng)勁受益于汽車電動(dòng)化、智慧化、網(wǎng)聯(lián)化程度加深,汽車電子在全球MCU(微控制單元)下游構(gòu)成占比逐年升高至35~40%,據(jù)
2023-06-26 13:07:39

PLIC管理的中斷的優(yōu)先級(jí)和RISC-V本身的機(jī)器定時(shí)以及軟中斷的中斷優(yōu)先級(jí)問(wèn)題

請(qǐng)問(wèn)PLIC管理的外設(shè)中斷的優(yōu)先級(jí)和RISC-V本身的機(jī)器定時(shí)以及軟中斷誰(shuí)的優(yōu)先級(jí)會(huì)更高? 機(jī)器定時(shí)中斷和軟中斷不歸PLIC管(PLIC管理其他外設(shè)的中斷優(yōu)先級(jí)),那么機(jī)器定時(shí)中斷和軟中斷可以嵌套其他PLIC管理的外設(shè)中斷嗎?還是要等其他外設(shè)中斷執(zhí)行完畢再執(zhí)行機(jī)器定時(shí)中斷和軟中斷?
2023-06-25 19:05:17

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在MCU中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391

國(guó)產(chǎn)規(guī)級(jí)32位微控制MCU單片機(jī)-KF32A250

產(chǎn)品概述:KF32A250 系列單片機(jī)是基于 KF32 內(nèi)核架構(gòu)開(kāi)發(fā)的規(guī)級(jí)32位單片機(jī)。KF32A250滿足AEC-Q100汽車可靠性認(rèn)證;可支持到Grade1級(jí)規(guī)工作溫度范圍。KF32A250
2023-06-14 18:40:59

國(guó)產(chǎn) 芯馳D9系列核心板-芯馳D9開(kāi)發(fā)板-規(guī)級(jí)平臺(tái)-米爾電子

MYC-JD9X核心板及開(kāi)發(fā)板芯馳D9系列高安全性、規(guī)級(jí)國(guó)產(chǎn)平臺(tái)支持100%國(guó)產(chǎn)物料定制,滿足客戶的個(gè)性化需求1/4/5/6xCortex-A55@1.6GHz+2/3Cortex-R5,滿足
2023-06-14 16:56:18

風(fēng)華高科推出低損耗、高耐電壓1210C0G630~1000V系列車規(guī)電容

較高的應(yīng)用場(chǎng)景。事實(shí)上,1210C0G630~1000V系列車規(guī)電容器在高性能規(guī)電容器市場(chǎng)中穩(wěn)居領(lǐng)先地位。風(fēng)華高科在先進(jìn)材料和制造工藝方面的優(yōu)勢(shì),使這個(gè)系列的產(chǎn)品能夠滿足客戶對(duì)高品質(zhì)電子元器件的要求
2023-06-09 10:30:42

汽車電子市場(chǎng)主推車規(guī)級(jí)32位單片機(jī)(MCU)-KF32A141系列

產(chǎn)品描述KF32A141 系列單片機(jī)是基于 KF32 內(nèi)核架構(gòu)開(kāi)發(fā)的規(guī)級(jí)32位單片機(jī)。KF32A141滿足AEC-Q100汽車可靠性認(rèn)證;可支持到Grade1級(jí)規(guī)工作溫度范圍。KF32A141
2023-06-08 10:37:58

國(guó)芯思辰 |國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可在多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料,這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性,芯片能在常溫、沒(méi)有電場(chǎng)的情況下,數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上,鐵電
2023-06-08 09:52:17

什么是外部存儲(chǔ)器

磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。 存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061411

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì): 1、存儲(chǔ)器介紹 存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下: ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37

國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,讀寫速度較慢,存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫后容易損壞,無(wú)法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求,故此,國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫,擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1,是本方案最理想的選擇
2023-05-18 12:39:21137

優(yōu)先級(jí)執(zhí)行了75s怎么辦?它會(huì)被殺死嗎?

態(tài)持續(xù)運(yùn)行了60s)就判斷它時(shí)異常了嗎?2-這個(gè)超時(shí)時(shí)間是指再延遲個(gè)15s確定他為異常線程,也就是總共經(jīng)過(guò)75s這個(gè)搶占住CPU的線程會(huì)被殺死或者重新載入。 綜合來(lái)看,即使是用戶的最高優(yōu)先級(jí)線程,也
2023-05-17 14:41:09

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

新能源時(shí)代來(lái)臨,用電阻市場(chǎng)機(jī)遇顯現(xiàn)

,行業(yè)頭部發(fā)展優(yōu)勢(shì)顯著 相比消費(fèi)類市場(chǎng),用市場(chǎng)對(duì)電阻的技術(shù)要求也要高很多。汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商在汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中扮演著至關(guān)重要的角色。在傳統(tǒng)汽車行業(yè)生態(tài)體系中,半導(dǎo)體供應(yīng)商將產(chǎn)品銷售給一級(jí)電子系統(tǒng)供應(yīng)商
2023-04-28 11:40:22

汽車電阻:新能源時(shí)代來(lái)臨,用電阻市場(chǎng)機(jī)遇正在顯現(xiàn)

市場(chǎng),行業(yè)頭部發(fā)展優(yōu)勢(shì)顯著 相比消費(fèi)類市場(chǎng),用市場(chǎng)對(duì)電阻的技術(shù)要求也要高很多。汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商在汽車產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中扮演著至關(guān)重要的角色。在傳統(tǒng)汽車行業(yè)生態(tài)體系中,半導(dǎo)體供應(yīng)商將產(chǎn)品銷售給一級(jí)電子
2023-04-28 11:31:47

如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器

通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

兆易創(chuàng)新全系列車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品累計(jì)出貨1億顆

打造具備高可靠性、高安全性、覆蓋不同電壓、不同容量的規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品,在應(yīng)用端得到了充分的驗(yàn)證并深受客戶認(rèn)可。全系列創(chuàng)新產(chǎn)品覆蓋,滿足行業(yè)所需隨著自動(dòng)駕駛、聯(lián)網(wǎng)和新能源汽車的快速發(fā)展,在緊湊空間
2023-04-13 15:18:46

數(shù)字存儲(chǔ)示波器的取樣頻率要滿足什么要求呢?

數(shù)字存儲(chǔ)示波器的取樣頻率要滿足什么要求呢?
2023-04-10 16:23:35

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲(chǔ)器,用以存儲(chǔ)單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲(chǔ)信息。盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲(chǔ)嵌入式設(shè)備中使用的信息,但是它們的體系結(jié)構(gòu)
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

的可擦寫次數(shù)多,并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣,肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:41:05

FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢(shì)?

/寫存儲(chǔ)器,在斷電時(shí)無(wú)需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述:MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門狗定時(shí),非易失性事件計(jì)數(shù),可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

mcu芯片是指什么芯片

設(shè)集成在單一芯片上發(fā)揮功能,形成芯片級(jí)計(jì)算機(jī)。  MCU產(chǎn)品種類繁多,主要分類依據(jù)為用途、應(yīng)用領(lǐng)域、存儲(chǔ)器類型和結(jié)構(gòu)、位數(shù)、指令集等:  1.按用途可分為通用型和專用型。專用型MCU的硬件和指令是按照
2023-04-03 15:32:56

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

MB85RS128BPNF-G-JNERE1

存儲(chǔ)器FRAM 128K(16 K×8)位SPI
2023-03-29 21:29:57

MB85RS16PNF-G-JNERE1

存儲(chǔ)器FRAM 16 K(2 K x 8)位SPI
2023-03-29 21:29:57

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

存儲(chǔ)器FRAM 64 K(8 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:56

MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1

存儲(chǔ)器FRAM 16 K(2 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

存儲(chǔ)器FRAM 1M(128 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

存儲(chǔ)器FRAM 256 K(32 K×8)位I2C
2023-03-29 21:29:55

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

存儲(chǔ)器FRAM 256 K(32 K×8)位SPI
2023-03-29 20:47:37

MB85RC64APNF-G-JNERE1

64 K(8 K×8)位I2C存儲(chǔ)器FRAM
2023-03-27 13:39:18

STM32中斷中設(shè)置的先占式優(yōu)先級(jí)與從優(yōu)先級(jí)如何理解?

STM32中斷中設(shè)置的先占式優(yōu)先級(jí)與從優(yōu)先級(jí)如何理解?
2023-03-24 17:55:46

汽車無(wú)鑰匙啟動(dòng)軟硬件開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)交流及信息資源共享

汽車無(wú)鑰匙進(jìn)入及啟動(dòng)系統(tǒng)深度技術(shù)解析,無(wú)鑰匙進(jìn)入系統(tǒng)系統(tǒng)的概念 ,無(wú)鑰匙進(jìn)入系統(tǒng)指的是持有遙控感應(yīng)的駕駛者,在距離車門2米范圍內(nèi)時(shí),通過(guò)和車內(nèi)設(shè)置的控制盒的自動(dòng)感應(yīng)直接打開(kāi)車門,便可一鍵啟動(dòng)
2023-03-23 16:30:29

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