1、  學(xué)習(xí)JFET自偏電壓電路。

2、  學(xué)習(xí)JFET分壓偏置電路。

3、  估算JFET自偏壓電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，幾柵源電壓Vgs、漏極電壓Id和漏源電壓V-ds,并比較估算值與計(jì)算值。

4、  檢驗(yàn)JFET自偏壓電路的穩(wěn)定性。

5、  估算JFET分壓偏壓便置電路的靜態(tài)工作點(diǎn)Vgs、Id、和Vds 、并比較估算值與測(cè)量值。

6、  檢驗(yàn)分壓偏置電路的穩(wěn)定性。

二、 實(shí)驗(yàn)器材

JFET MPF102                                1個(gè)

直流電源                                    1個(gè)

直流電壓表                                   3個(gè)

0—20mA直流毫安表                          1個(gè)

電阻：100Ω、1kΩ、1.3KΩ、500KΩ、1MΩ、和3.5MΩ     各一個(gè)

三、 實(shí)驗(yàn)原理

在圖1 所示的JFET自偏壓電路中，設(shè)柵極電流為零，柵極電阻Rg兩端的電壓Vg亦為零，則柵源電壓等于源極電壓Vs的負(fù)值

Vgs=Vg-Vs=0-Vs=-Vs

其中源極電壓Vs等于漏級(jí)電流Id與源極電阻Rs的乘積

Vs=IdRs

在圖2 所示的JFET分壓偏置電路中，設(shè)柵極電流為零，則柵極電壓Vgs等于柵極電壓Vg減去源極電壓Vs

                   Vgs=Vg-Vs

 其中源極電壓Vs 等于漏極電流Id與源極電阻Rs的乘積

                    Vs=IdRs

柵極電壓為分壓電阻R2與R1的分壓比乘以電源電壓Vdd

                   Vg=R2Vdd/(R1+R2)

四、 實(shí)驗(yàn)步驟

1、  在電子工作平臺(tái)上建立如圖所示的實(shí)驗(yàn)電路。單擊仿真開關(guān)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析。記錄漏極電流Id、漏極電壓Vds、源極電壓Vs和柵極電壓Vg的讀數(shù)。

2、  根據(jù)步驟1的讀數(shù)，計(jì)算柵源電壓Vgs，并確定JFET自偏壓電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。

3、  單擊場(chǎng)效應(yīng)管T，下拉電路菜單Circuit，選擇模式命令Model。在彈出的模式對(duì)話框中

選中JFET MPF102，單擊編輯按扭Edit，調(diào)出MPF102的參數(shù)。將傳輸系數(shù)Transconductance

Coefficient 由0.00104改為0.0005，然后單擊接受按鈕。改變這個(gè)傳輸系數(shù)，是為了檢驗(yàn)

更換JEFT對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管自偏壓電路漏極直流電路的影響，也可間接反映靜態(tài)工作電的穩(wěn)定性。

單擊仿真開關(guān)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析，并記錄漏極電流Id和漏源電壓Vds。

4、  確定T傳輸系數(shù)為0.0005時(shí)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，然后再將JFET  MPF102的傳輸系數(shù)改為0.00104。

5、  在EWB平臺(tái)上建立如圖4—13所示的分壓式電路。單擊仿真開關(guān)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析，記錄Id、Vds、Vs和Vg的讀數(shù)。

6、  根據(jù)步驟5的讀數(shù)，計(jì)算柵源電壓Vgs，確定電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。

7、  按步驟3的方式，將場(chǎng)效應(yīng)管T的傳輸系數(shù)由0.00104改為0.0005。單擊仿真開關(guān)運(yùn)行動(dòng)態(tài)分析，記錄Id、和Vds，確定傳輸系數(shù)為0.0005時(shí)電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，然后再將T的傳輸系數(shù)改回0.00104。

五、 思考與分析

1、  再兩種JFET偏置電路中，靜態(tài)工作點(diǎn)的測(cè)量值與計(jì)算值比較情況如何？

2、  根據(jù)步驟3和7的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，分析JFET自偏壓電路和分壓式電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定性。那種便置地電路的穩(wěn)定性較高？