近日全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
1813 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產品。
2012-05-18 09:25:34782 
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術平臺采用
2012-11-17 10:40:171505 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業電機驅動及不間斷電源 （UPS） 應用進行了優化。
2013-06-14 15:22:001278 該器件耐受負瞬態電壓可達-100 V，支持重復700納秒寬脈沖，實現出色的耐用性和可靠運行。
2020-12-04 13:36:15876 測試1200V輸入時，加十多分鐘后就炸機了，不是一開始就炸，MOS管那一串都炸了，變壓器沒燒毀。大神幫我看一下電路和波形，600V以后的CS波形感覺就不太好看了，不知道是什么導致的。示波器通道2壞了，沒法雙通道，只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開關特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高壓工作環境下，依然體現優異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。 1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
;1200V系列SiC二極管。
陸芯科技的產品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術優勢：通過優化耐壓終端環，實現IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達到工業級和汽車級可靠性
2023-10-16 11:00:14
等級，從而提升變流器的功率等級。考慮到前者功率密度相對較低，從性價比出發，IGBT并聯技術是最好的選擇。1IGBT并聯運行分析1.1 影響并聯IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯二極管靜態參數
2015-03-11 13:18:21
，如圖6所示，優化的組裝技術顯著改善了功率循環（PC）周期。這至少能確保在工作結溫增大的情況下，輸出電流增大，但功率器件壽命不變。 圖6：1200V標準模塊的功率循環（PC）可靠性圖和搭載IGBT
2018-12-07 10:23:42
電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網的電壓等級。考慮到過載，電網波動，開關過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結構、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
SDB—IGBT特點為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數易于并聯，在600V和1200V電壓范圍性能優良，分為UF、RUF兩大系統，三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接鍵合)技術，在IC生產線
2012-03-19 15:16:42
大家好，我畢設遇到一個問題想問一下大家：用HCPL3120驅動IGBT，但是手冊上面說只能驅動1200V/100A的IGBT，我不明白為什么用電壓驅動IGBT，怎么還與IGBT電流有關，我現在的IGBT要260A電壓1100V，用什么芯片能驅動？
2013-03-22 15:19:08
無刷直流電機的三相全橋逆變開關管IGBT的驅動芯片有及推薦的驅動電路
2016-12-03 15:41:23
工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12
：4.8mm腳間距：5.45mm 25N120描述：25N120使用專有的溝槽設計和先進的NPT技術，1200V NPT IGBT提供卓越的傳導和開關性能、高雪崩耐用性和易于并行操作。25N120該器件非常適合諧振或軟開關應用如感應加熱、微波爐等。
2022-01-04 17:03:28
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數選型表：
2021-11-10 09:10:42
二極管該模塊采用了最新的半導體技術芯片［1、2］：IGBT4和Emitter controlled 4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供
2018-12-03 13:49:12
RD-354，參考設計使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:23:30
RD-354，參考設計使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆變器。該參考設計支持1200 V Motion SPM 2系列的設計
2020-07-18 12:46:31
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
ZNH-IR04工業機器人綜合應用實訓平臺一、產品概述ZNH-IR04工業機器人綜合應用實訓平臺由ABB IRB 1200工業機器人（可選）、主機架、多功能末端執行器，以及控制模塊、上料模塊、裝配
2021-07-01 11:14:47
ZNL-IR03工業機器人綜合實訓平臺是什么？ZNL-IR03工業機器人綜合實訓平臺有哪些特點？ZNL-IR03工業機器人綜合實訓平臺有哪些技術參數？
2021-08-16 07:16:23
我想把nvidia tesla m40卡安裝到hp proliant dl380p gen8 p70服務器上。它不工作，在DMESG日志中發現以下錯誤。[959.113417] NVRM：系統
2018-09-12 15:57:03
工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。功率半導體器件制造商不斷在導通損耗和開關時間上尋求突破。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高
2019-07-24 04:00:00
電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊）中的 ISO5852S 進行性能評估。評估的一些重要功能和性能包括使用 DESAT 檢測的短路保護、軟關斷、在不同逆變器 dv
2018-12-27 11:41:40
目前國內絕大多數IGBT功率模塊/MOSFET功率模塊廠家灌封采用傳統的硅膠灌封方式。隨著國內客戶在新能源車用和電網電力風電方面（1200V以上領域）對IGBT模塊使用的要求越來越高；采用硅膠灌
2022-02-20 15:29:36
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過渡到目前國際最新的溝槽柵場截止(Trench+FS)技術(圖3 c)。針對焊機產品的1200V系列正是采用了這一最新技術。相對于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
工業電機驅動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩定性的要求不斷提高。功率半導體器件制造商不斷在導通損耗和開關時間上尋求突破。有關增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導通損耗的一些權衡取舍是：更高
2019-10-06 07:00:00
，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念，是DC-DC轉換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
Transistor：JFET）效應。以Trench + Field-Stop技術命名的IGBT主要包括英飛凌、富士電機、飛兆半導體和IR等公司的新型IGBT產品。表 2給出了英飛凌1200V/100A NPT
2015-12-24 18:23:36
現有國產IGBT免費申請送樣，規格1200V/25A，試用后只需提供試用報告即可。有需要的請與我聯系。hyngng@yahoo.com.cn
2011-05-04 10:30:53
PZT分子的模型相比之下，FRAM將數據按分子極化狀態存儲。由于該過程為非破壞性，因此FRAM具有幾乎無限期的保留性與耐用性。對必須在整個設備使用壽命期間執行20,000至40,000次交易的移動支付
2014-09-01 17:44:09
通特性。 圖2.對于不同的ROUTREF值，使用恒流源驅動器BM60059和1200V IGBT在空載時測量柵極電流和柵極電壓。 圖2顯示了三種不同R的柵極電流和柵極電壓波形奧特雷夫
2023-02-21 16:36:47
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
焊接后的晶振耐用性和靈活性為什么沒預期好?松季電子解答如下： 首先需經檢查，進行原因分析：元器件自身質量良好，其所在電路也一切正常，所以只能是焊接加工過程有問題，仔細觀察后發現受損晶體管
2014-03-17 15:15:06
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評估驅動板的開發是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進行首次設計時為其提供支持。評估驅動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅動器，其中兩個1ED020I12-F驅動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
第一部工業以太網解決方案的優勢和作用目前，世界各地的制造工廠都依賴以太網解決方案來滿足工業應用對實時性能和耐用性的要求。與傳統現場總線相比，以太網能提供更快的速率，能更好地處理大批量數據，最終還能
2019-07-18 07:40:03
上海回收IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發射極,用于矩陣開關,雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57
IR全新堅固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術領先供應商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出用于工業電機驅動控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:28798 IR針對汽車應用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32697 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應用包括自動驅動系統的頻率變換器,光伏電壓系統的中央逆變器,汽車柴油發動機驅動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093084 
華潤上華已開發完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺，各項參數均達到設計要求，成功進入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:061470 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內燃機 (ICE) 和混合動力車平臺應用
2011-04-12 09:47:051054 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管
2011-09-07 17:59:471386 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ，該產品為焊接、高功率整流等感應加熱
2011-09-28 09:08:05916 國際整流器（IR）推出新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）技術平臺。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技術平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術，為工業及節能應用提供卓越的性能。
2012-11-27 09:17:331054 飛兆半導體是全球領先的高性能電源和移動半導體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業應用為目標，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和電焊機，此新型IGBT 系列將幫助電源工程師在其設計中實現更好的效率和可靠性。
2013-12-05 14:49:571099 驅動IGBT 1200V模塊的輔助電源（3 W反激式），感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:45
34 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優化，兼具可靠性與性能優勢。它們在動態損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統等應用的系統改進，此后可將其范圍擴大到工業變頻器。
2016-05-10 17:17:498006 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設計_陳天
2017-01-08 14:36:357 中國，北京，2017年5月25日訊 -Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉換與智能運動（PCIM）展的開幕。
2017-05-26 14:43:591111 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37377 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21461 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08356 IR2133IR2135 / IR2233IR2355（J＆S）是高壓，高速功率MOSFET和IGBT驅動器，具有三個獨立的高端和低端參考輸出通道，用于3相應用。專有的HVIC技術可實現堅固耐用的單片結構
2018-05-31 13:00:0058 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關頻率在15kHz以上的硬開關和諧振拓撲而設計，可滿足其對更高能效以及更低導通損耗和開關損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836 
一加6已經在海外正式發布，國行版發布會正在進行中，現在YouTube頻道JerryRigEverything已經發布了該機的耐用性測試，它能幸存下來嗎？
2019-04-04 10:15:291975 ROHM新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-13 18:30:571418 隨著市場對SiC技術的效率和功率密度的要求不斷上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可為客戶提供更多選擇。
2019-05-17 08:51:43795 據外媒報道，最近，日本羅姆半導體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內的逆變器，以及正溫度系數（PTC）加熱器中的開關電路。
2019-05-27 08:41:501493 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產品。
2019-05-29 15:15:504947 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率
2021-03-01 12:16:022084 。IR-HiRel的解決方案在正向和阻塞狀態下具有非常低的功耗，只需要較低的驅動功率，并且具有較高的效率。IGBT可承受高達6.5 kV的電壓，并在2 kHz至50 kHz的開關頻率下工作。 由于廣泛的技術產品組合，工業和功率控制IGBT設計具有優異的電流能力和更高的脈沖負載能力，以實現超低
2021-11-11 18:05:20886 是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現場停止技術；低開關損耗；正溫度系數；簡單的平行技術。廣泛應用在中等功率驅動器、1200V光伏、電焊機、工業縫紉機、伺服馬達等等領域。
2022-07-14 09:27:501839 
是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現場停止技術；低開關損耗；正溫度系數；簡單的平行技術。
2022-07-28 09:27:241022 
Nytro XF1440 2.5 英寸和 Nytro XM1440 M.2 NVMe 固態硬盤面向具有高可靠性和耐用性的企業和云應用。它們具有 PCIe Gen 3 ×4 接口。
2022-08-29 10:24:24728 當地時間11月15-17日，美國夏威夷，高通將舉辦一年一度的驍龍技術峰會。按照慣例，驍龍8 Gen2將會正式登場。 這幾年，驍龍旗艦平臺的升級力度有些疲軟，加之功耗發熱問題，被很多網友斥為“擠牙膏
2022-10-10 18:23:405620 新技術星期二：耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501015 
功率GaN技術已證明可為電源轉換帶來出色的效率。但對于汽車應用這樣的市場，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質量和可靠性。我們必須證明，Nexperia的GaN技術不但可以在高電壓和高溫下提供操作耐用性，還能在生產中兼顧質量、可靠性和可擴展性，以便成功地投入大電流、高功率的汽車應用。
2023-02-09 09:36:50206 
ROHM新開發的“RGS系列”是滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號，傳導損耗非常低，非常有助于應用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457 
功率 MOSFET 單次和重復雪崩耐用性等級-AN10273
2023-02-09 19:23:422 。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51608 
RJH1CV7DPQ-E0 數據表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 RJH1CM7DPQ-E0 數據表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-24 17:03:09749 
RJH1CV7DPQ-E0 數據表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 RJH1CM7DPQ-E0 數據表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CM6DPQ-E0 數據表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM5DPQ-E0 數據表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 ) 是基于Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間。這種卓越的耐用性使PTC加熱器能夠在過流情況下免受永久性故障的影響。 此外，TO-247封裝的厚大散熱器使這些新型IGBT具有出
2023-09-19 16:04:38306 彈簧扭轉測試儀如何測量彈性與耐用性？|深圳磐石測控儀器
2023-09-26 09:34:121093 
本文介紹了針對電機驅動進行優化的全新1200 V IGBT和二極管技術。該IGBT結構基于全新微溝槽技術，與標準技術相比，可大幅減少靜態損耗，并具備高可控性。而二極管因為優化了場截止設計，其振蕩發生
2024-01-09 14:24:50235 
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59347 博士和韓國化學工業大學的Jong-hyeop Baek博士組成的團隊韓國光子學與技術研究所的光學半導體顯示研究部門開發出技術來克服超細 Micro LED 光效率和耐用性的挑戰。
2024-03-08 17:38:40549 
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