開電源開關轉換期間的開關損耗就更復雜，既有本身的因素，也有相關元器件的影響。
2019-07-22 14:16:09
15824 
實際的印刷電路板中存在電路圖中沒有的成分，因此，比如開關節點中如果布局不當，會隨著開關而產生較大振鈴，可能導致無法正常工作或噪聲較多等問題。
2020-04-05 10:25:004211 
在導通數據中，原本2，742μJ的開關損耗變為1，690μJ，損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開關損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
PCB布局的關鍵：開關節點走線尺寸滿足電流？|深圳比創達EMC（3）
2023-08-08 11:00:521005 貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。
2020-04-13 14:58:561374 變化的環路中的寄生分量。布線中存在布線電感，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內的圖例所示，開關節點將產生100MHz
2018-11-29 14:47:35
變化的環路中的寄生分量。布線中存在布線電感，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內的圖例所示，開關節點將產生100MHz
2019-03-18 06:20:14
要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現，下面將分別討論。 與功率
2023-03-16 16:37:04
要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會在有損元器件中同時出現。
2021-03-11 06:04:00
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗，器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間，也稱作死區時間，在這個過程中會產生
2021-12-29 07:52:21
和200MHz之間時，干擾會急劇增加。這就使得開關模式電源開發人員必須在高頻率范圍內，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。圖1. 對開關模式電源進行開關轉換，在開關節點處施加輸入電壓。圖1顯示了快速...
2021-10-28 09:43:36
一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
存在電路圖中沒有的成分，因此，比如開關節點中如果布局不當，會隨著開關而產生較大振鈴，可能導致無法正常工作或噪聲較多等問題。現在應該明白關于PCB板布局經常提到的“布線要短”的原因了。后續將介紹具體
2018-12-03 14:33:38
引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內的圖例所示，開關節點將產生100MHz～300MHz的振鈴。所產生的電流及電壓，可通過兩個公式求得。此振鈴會作為高頻開關噪聲帶來各種影響。雖然有采取相應的措施，但由于
2021-12-29 19:00:19
，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內的圖例所示，開關節點將產生100MHz～300MHz的振鈴。所產生的電流及電壓
2021-03-15 10:35:11
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關，與MOS管的結電容，輸入電容，輸出電容都有關系吧？具體的關系是什么？有沒有具體計算開關損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
本文，使用一問一答的方式，解說STM32系統時鐘配置操作的一些關節點。不討論配置的過程、步驟，網上不缺絮絮叨叨的各種教程。一句話:過程高深,使用簡單.詳細代碼解釋下載
2021-08-11 07:17:18
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。1. 開通過程中MOSFET開關損耗2. 關斷過程中MOSFET開關損耗3. Coss產生的開關損耗4.Coss對開關過程的影響希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的開關損耗。
2021-01-30 13:20:31
波形振鈴，因為它會增大低側MOSFET的電壓應力，并產生電磁干擾。圖1：同步降壓轉換器為了確定圖1中降壓轉換器的開關節點振鈴與其所產生電磁干擾之間的關系，我按照國家無線電干擾特別委員會(CISPR
2022-11-17 08:00:20
所增加，但其增加比例遠低于IGBT模塊。可以看出結論是：在30kHz條件下，總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個優勢。可見這正如想象的一樣，開關損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來的。關于
2018-11-27 16:37:30
一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？一、開關損耗
2021-11-18 07:00:00
“軟開關”是與“硬開關”相對應的。硬開關是指在功率開關的開通和關斷過程中，電壓和電流的變化比較大，產生開關損耗和噪聲也較大，開關損耗隨著開關頻率的提高而增加，導致電路效率下降；開關噪聲給電路帶來嚴重
2019-08-27 07:00:00
保持電源電壓VDD不變，當VGS電壓減小到0時，這個階段結束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關斷過程中，t6~t7和t7~t8二個階段電流和電壓產生重疊交越區，因此產生開關損耗。關斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
完全開通，只有導通電阻產生的導通損耗，沒有開關損耗。t1-t2、t2-t3二個階段，電流和電壓產生重疊交越區，因此產生開關損耗。同時，t1-t2和t2-t3二個階段工作于線性區，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
開關與開關轉換器的電感交匯的節點被稱為開關節點。寄生電感和電容通常會產生互感，并導致開關節點上的電壓在200 MHz+ 的范圍內振蕩。如果該振鈴的振幅大于低側開關額定電壓的最大絕對值，將會損壞開關。此外
2008-09-25 08:45:25
MOSFET的驅動電流，減緩該MOSFET的接通時間，同時有助于降低開關節點振鈴噪音。注意：減慢高側MOSFET的關閉時間會增大開關損耗。在低電磁輻射和高側MOSFET的開關損耗之間選用RHO時，需要
2018-08-31 19:55:41
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據負載功率因子在不同扇區內靈活放置零電壓矢量，與傳統的連續調制SVPWM相比，在增加開關頻率的同時減小了開關電流。仿真結果也表明這種方法有著最小的開關損耗。
2019-10-12 07:36:22
控制同步降壓轉換器中的開關節點振鈴
2018-09-26 10:47:49
采用TI最新的GaN技術設計，圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過沖。 圖1：TI 600V半橋功率級——開關波形
2022-11-15 06:43:06
所有功率級設計者期望在開關節點看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關損耗，而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應力。采用TI最新的GaN技術設計，圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目
2019-08-26 04:45:13
的限制。以此超低功耗單片機MSP430為核心，結合無線收發模塊nRF24E1，對無線傳感器網絡的普通節點和網關節點進行了設計。
2019-10-18 07:28:32
不當，則會對電源發射，效率和元件應力產生不利影響。在Analog Design Journal的文章“ 控制同步降壓轉換器中的開關節點振鈴”中，Robert Taylor和我研究了幾種減少開關節點振鈴
2018-09-26 10:43:37
歡迎回到直流/直流轉換器數據表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統效率方面的內容，在本文中，我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化
2018-08-30 15:47:38
信號的消隱時間限制。轉換器的最高最小導通時間通常發生在最小負載條件下，對此有三個原因。較重負載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時間。開關節點的上升時間和下降時間。死區時間期間（從低側MOSFET
2019-08-09 04:45:05
信號的消隱時間限制。轉換器的最高最小導通時間通常發生在最小負載條件下，對此有三個原因。較重負載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時間。開關節點的上升時間和下降時間。死區時間期間（從低側MOSFET
2019-07-26 04:45:15
流檢測信號的消隱時間限制。轉換器的最高最小導通時間通常發生在最小負載條件下，對此有三個原因。 較重負載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時間。 開關節點的上升時間和下降時間。死區時間期間（從低側
2018-10-10 15:13:39
在本文中，我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化的圖像。圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關
2018-06-05 09:39:43
今天開始看電源界神作《開關電源設計》（第3版），發現第9頁有個名詞，叫“交流開關損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
了通過消除封裝電感LSOURCE的影響可提高開關速度并大大改善開關損耗。這雖然是事實，但考慮到穩定性和整個電路工作時，伴隨著開關速度的提高，也產生了一些需要探討的問題。就像“權衡（Trade-off
2020-07-01 13:52:06
明顯超出 VIN，而下降沿的開關節點電壓明顯低于接地端 (GND)。振蕩幅值取決于部分電感在回路內的分布，回路的有效交流電阻會抑制隨后產生的振鈴。這不僅為 MOSFET 和柵極驅動器提供電壓應力，還會
2020-11-03 07:54:52
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS，開關損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺實現最小開關損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關損耗SVPWM算法實現。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測量電源開關損耗。
2016-05-05 09:49:380 德州儀器（TI）近日推出了兩款36-V, 2.1-MHz同步降壓穩壓器，可消除開關節點的振鈴，以減少電磁干擾（EMI）、提高功率密度，并確保在高壓降條件下正常運行。此次推出的2.5-A LM53625-Q1和3.5-A LM53635-Q1穩壓器可用于多種高壓DC/DC降壓應用。
2016-07-06 16:27:101333 所有功率級設計者期望在開關節點看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開關損耗，而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應力。
2018-07-10 14:50:002917 
MOS門極功率開關元件的開關損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數據基礎上闡述了各寄生電感對IGBT開關損耗測量結果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 基于Cortex_M3的多功能樓宇控制系統網關節點設計
2017-09-25 13:07:227 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:578162 
一個高質量的開關電源效率高達95％，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 圖1顯示了同步降壓轉換器的原理圖以及其開關節點波形。高側MOSFET的開關速度和高側/低側MOSFET與印刷電路板(PCB)雜散電感和電容都具有在開關節點波形達到峰值時振鈴的功能。而我們不需要開關節點波形振鈴，因為它會增大低側MOSFET的電壓應力，并產生電磁干擾。
2019-08-23 16:45:282775 
一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關節點振鈴，以及可將開關損耗降低多達80%的零反向恢復。
2020-05-29 16:39:072547 功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-22 10:51:0611 和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 歡迎回到直流/直流轉換器數據表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統效率方面的內容，在本文中，我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開關設備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關器件的損耗可以說是開關電源中最為重要的一個損耗點，課件開關損耗測試是至關重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關損耗測試方案中的探頭應用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 會隨之失去意義。接下來普科科技PRBTEK分享在開關損耗測量中的注意事項及影響因素。 一、開關損耗測量中應考慮哪些問題？ 在實際的測量評估中，我們用一個通道測量電壓，另一個通道測量電流，然后軟件通過相乘得到功率曲線，再
2021-12-15 15:22:40416 
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗，器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間，也稱作死區時間，在這個過程中會產生
2022-01-07 11:10:270 大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關損耗，我們都知道IGBT開關損耗產生的原因是開關暫態過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功率，對外做功產生熱量。那為什么IGBT開關
2022-04-19 16:00:383400 方波波形開關節點大受歡迎
2022-11-02 08:16:080 開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發現有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
在探討DC/DC轉換器的PCB板布局之前，需要了解實際的印刷電路板中存在寄生電容和寄生電感。它們的影響之大超出想象，即使電路沒錯，因布局而產生無法按預期工作的情況，往往是因為對它們的考慮不足。本次就“開關節點的振鈴”來驗證其主要原因。
2023-02-23 09:33:05761 
從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉換器的開關節點產生的開關損耗。本文將探討開關節產生的死區時間損耗。死區時間損耗是指在死區時間中因低邊開關（MOSFET）體二極管的正向電壓和負載電流而產生的損耗。
2023-02-23 10:40:491600 
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗：見文識意，開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
圖1所示為基于MAX1744/5控制器IC的簡化降壓轉換器，具有異步整流功能。由于二極管的關斷特性，主開關（Q1）的導通開關損耗取決于開關頻率、輸入環路的走線電感（由C1、Q1和D1組成）、主開關
2023-03-10 09:26:35556 
GaN FET具有低端子電容，因而可快速切換。然而，當GaN半橋在高di / dt條件下切換時，功率環電感在高壓總線和開關節點處引入振鈴/過沖。這限制了GaN FET的快速切換功能。
2023-04-10 09:14:40324 
引言：降壓轉換器IC的開關節點容易產生很多高次諧波噪聲，緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一，本節簡述如何使用RC緩沖電路去除開關節點諧波噪聲。
2023-06-28 15:56:561413 
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224674 
開關穩壓器或功率變換器電路的開關節點是關鍵的傳導路徑，在進行PCB布局時需要特別注意。該電路節點將一個或多個功率半導體開關（例如MOSFET或二極管）連接到磁能存儲設備（例如電感或變壓器繞組
2023-08-02 15:19:33368 
PCB布局的關鍵：盡量縮短開關節點走線長度？|深圳比創達EMC（2）
2023-08-07 11:20:23655 
（指MOS上升時間和下降時間變短）提高以后，電磁干擾EMI隨之增加。同步降壓DC-DC中，高速開關的場效應管在開關節點會有巨大的電壓過沖和振鈴，振鈴的大小與高側MOS的開關速度以及布局和FET的封裝的雜散電感有關，我們必須選擇正確的電路和布局設計方法，以將這種振鈴維持在同步FET最大絕對額定值以下。
2023-08-30 16:28:071010 
同步buck電路的mos自舉驅動可以降低mos的開關損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅動可以降低MOS的開關損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉換器，它具有高效、穩定、可靠的特點
2023-10-25 11:45:14522 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
電子發燒友App
工商網監
湘ICP備 2023018690 號
評論