1. Brown-Out Reset

掉電復(fù)位，或電源電壓跌落復(fù)位， 當(dāng)輸入電壓VCC跌到某一門(mén)限時(shí)芯片復(fù)位

The MCU is reset when the supply voltage VCC is below the Brown-Out Reset threshold voltage

and the Brown-out Detector is enabled. The Brown-out threshold voltage is programmable.

2. Totem-pole

推拉輸出電路

3. IAR調(diào)試出現(xiàn)The stack plug-in failed to set a breakpoint on “main”

The Stack window will not be able to display stack contents. （You can change this setting in the Tool》Options dialog box.）的警告，程序能燒進(jìn)去，但不能調(diào)試。

需要進(jìn)行如下配置：

iar-》options-》linker-》output-》format;

選擇 Debug information for c-SPY選項(xiàng)

4. newlib

newlib是一個(gè)用于嵌入式系統(tǒng)的開(kāi)放源代碼的C語(yǔ)言程序庫(kù)，由libc和libm兩個(gè)庫(kù)組成，特點(diǎn)是輕量級(jí)，速度快，可移植到很多CPU結(jié)構(gòu)上。newlib實(shí)現(xiàn)了許多復(fù)雜的功能，包括字符串支持，浮點(diǎn)運(yùn)算，內(nèi)存分配（如malloc）和I/O流函數(shù)（printf，fprinf（）等等）。其中l(wèi)ibc提供了c 語(yǔ)言庫(kù)的實(shí)現(xiàn)，而libm提供了浮點(diǎn)運(yùn)算支持。

5. Open-drain

open-drain是漏極開(kāi)路輸出的意思，相當(dāng)于集電極開(kāi)路（open-collector）輸出，即ttl中的集電極開(kāi)路（oc）輸出。

一般用于線或、線與，也有的用于電流驅(qū)動(dòng)。

open-drain是對(duì)mos管而言，open-collector是對(duì)雙極型管而言，在用法上沒(méi)啥區(qū)別。

開(kāi)漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn)：

（1）。 利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。 或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。

（2）。可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin，連接到一條線上。通過(guò)一只上拉電阻，在不增加任何器件的情況下，形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。如果作為圖騰輸出必須接上拉電阻。接容性負(fù)載時(shí)，下降延是芯片內(nèi)的晶體管，是有源驅(qū)動(dòng)，速度較快;上升延是無(wú)源的外接電阻，速度慢。如果要求速度高電阻選擇要小，功耗會(huì)大。所以負(fù)載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。

（3）。 可以利用改變上拉電源的電壓，改變傳輸電平。例如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。

（4）。 開(kāi)漏Pin不連接外部的上拉電阻，則只能輸出低電平。一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)漏是用來(lái)連接不同電平的器件，匹配電平用的。

6.C語(yǔ)言中將絕對(duì)地址轉(zhuǎn)換為函數(shù)指針以及跳轉(zhuǎn)到內(nèi)存指定位置處執(zhí)行的技巧

要對(duì)絕對(duì)地址0x100000賦值，我們可以用

* （unsigned int * ） 0x100000 = 1234;

那么要是想讓程序跳轉(zhuǎn)到絕對(duì)地址是0x100000去執(zhí)行，應(yīng)該怎么做？

*（（void （*）（ ））0x100000 ） （ ）;

首先要將0x100000強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成函數(shù)指針，即：

（void （*）（））0x100000

然后再調(diào)用它：

*（（void （*）（））0x100000）（）;

用typedef可以看得更直觀些：

typedef void（*）（） voidFuncPtr;

*（（voidFuncPtr）0x100000）（）;

又如

如果用 C 語(yǔ)言，可以像下列示例代碼這樣來(lái)調(diào)用內(nèi)核：

void （*theKernel）（int zero， int arch， u32 params_addr）

= （void （*）（int， int， u32））KERNEL_RAM_BASE;

……

theKernel（0， ARCH_NUMBER， （u32） kernel_params_start）;

KERNEL_RAM_BASE 是內(nèi)核在系統(tǒng)內(nèi)存中的第一條指令的地址。

7. On Die Termination

ODT（On-die Termination，片內(nèi)終結(jié)器）是內(nèi)建核心的終結(jié)電阻器。

使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號(hào)需要大量的終結(jié)電阻，它大大增加了主板的制造成本。實(shí)際上，不同的內(nèi)存模組對(duì)終結(jié)電路的要求是不一樣的，終結(jié)電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號(hào)比和反射率。因此主板上的終結(jié)電阻并不能非常好地匹配內(nèi)存模組，還會(huì)在一定程度上影響信號(hào)品質(zhì)。DDRII內(nèi)建了終結(jié)電阻器，為DDRII帶來(lái)了兩個(gè)好處，一個(gè)是去掉了主板上的終結(jié)電阻器使主板的成本降低，也使PCB板的設(shè)計(jì)更加容易。第二個(gè)好處是終結(jié)電阻器可以和內(nèi)存顆粒的“特性”相符，使DRAM處于最佳狀態(tài)。