電子發(fā)燒友網(wǎng)整理了網(wǎng)友針對Coolmos的選型及優(yōu)勢的一些談論，方便大家參考。Coolmos的使用是一個趨勢，因為普通MOS已經(jīng)不能滿足電源的實際需求。

　　稍稍談下我的看法。

　　1、Coolmos的選型 一般我們選擇一顆MOS 大致看以下幾個參數(shù) BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是這幾個參數(shù)，只有Qg和Id是交流參數(shù)，其他都是靜態(tài)參數(shù)。而半導體這東西就是隨溫升變壞的。那動態(tài)參數(shù)，其實是變壞的。25度的電流是100A，也許125度的時候，電流只有50A，所以選型的時候要以高溫下(老化房)的數(shù)據(jù)為準。那選好了電壓、電流，剩下就是看Coolmos的損耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 較低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的導通損耗必然較之平面管要低不少。MOS的另外一個損耗，開關(guān)損耗其實往往更加占主導。開關(guān)損耗在MOS里最直接體現(xiàn)的數(shù)值是Trr。這也是Coolmos最核心的參數(shù)。從coolmos的發(fā)展來看 C3 C6 CP CFD CFD2 都是在Trr上下功夫(C6除外，他是C3的Cost down)。你是電源設計者，Trr的合理使用，你比我清楚。Coolmos在實際應用中，MOS前段的Rg驅(qū)動，一般對電阻要求會低很多。這也能降低損耗。舉個例子，20N60C3 MOS前段的驅(qū)動電阻一般可做到15mohm以下，但是也不是越低越好，開關(guān)越高，EMI的問題就出來了。所以驅(qū)動電阻的選擇要綜合考慮，在EMI允許的情況下，盡量降低驅(qū)動電阻。

　　2.Coolmos是否需要采用散熱措施。我只能說要看功率，舉個例子，150W的LED電源上，你覺得可以不加散熱嘛?15W的LED電源上，加散熱裝置，那有地方么?Coolmos，在應用端，解決了有的電源方案需要電子器件更小的體積，甚至是去掉散熱片(如Iphone的充電器)，而大功率上看重Coolmos的還是他能降低損耗，所以散熱片是一定要加的。

　　3.Coolmos目前在國內(nèi)應用還是非常片面的，任重而道遠。舉個例子，在一個70W的筆記本適配器上，很多還是用的20A的平面管(或者是16A)，但是我們知道實際電路里的有效電流其實很小，用20A只是看重他的低內(nèi)阻，降低損耗，降低溫升。那現(xiàn)在很多工程師來Rreview這個方案的時候，腦子還是轉(zhuǎn)不過彎來。如果使用Coolmos，他認為還需要16A的，那同等電流，價格肯定不可比的。其實呢，Coolmos 10A足夠去替代了。開關(guān)損耗，Coolmos要較平面管低很多，內(nèi)阻的話Coolmos的10A較之16A的平面也不會高多少，在高溫下，基本內(nèi)阻是一致的。(有機會發(fā)個實驗數(shù)據(jù)，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，內(nèi)阻是相差不多的---前提，帶負載，體現(xiàn)開關(guān)損耗低的特點)，所以工程師要多了解Coolmos。

　　在中壓MOS(100-150V)，英飛凌、ST、AO、FC均有超低導通電阻、超低損耗的MOS出現(xiàn)，如Opti3MOS(艾默生、華為都有大量使用，是未來的主導)、SDMOS等。

　　總之一句話：MOS在發(fā)展，損耗會越來越低。電源方案只會像更高效率和更小體積發(fā)展。

　　Coolmos的宗旨是追求：開關(guān)最低損耗。在Coolmos上，是通過P柱，形成更大的PN結(jié)，從而降低Rds。但是就如同你講的，Coolmos，降低了Rds，所以他的EAS能力較之平面管要低，這也對電源設計者提出了更高的要求。但是我們都知道，能用得起Coolmos的電源，基本稱之為高檔電源，那方案的設計肯定是精益求精的。不是普桑上裝了個上萬的音響，而是寶馬上都是原裝配置。這就是差距。

　　coolmos之廠商談

　　Infineon我個人認為是coolmos中性能的王者，德國人的做事嚴謹風格讓你不得不相信他們的產(chǎn)品。同為法西斯，希特勒的本事絕對強于東條英機，但希特勒可能比東條英機更不容易合作，更死硬。但ST或者Toshiba如果是你說的一線品牌的話，你究竟有沒有實際測試比較一下他們和NCE的性能差異，究竟誰好?

　　包括上面有朋友說的有的超結(jié)mosfet要通過加大驅(qū)動電阻來解決Qg和結(jié)電容的問題，主要是針對Toshiba之流的吧?如果把Infineon歸入Toshiba一類就不客觀了，NCE的實際測試性能比Toshiba和ST的要好，Qg的表現(xiàn)比Toshiba之流的要好。

　　Coolmos的Rds是正溫度系數(shù)的東西，但Toshiba和ST的Rds標示的是25C是的參數(shù)，實際mosfet工作起來是25C還是125C?有測過除開Infineon的外ST和Toshiba之流的125C時候的實際Rds是否是他規(guī)格書中的參數(shù)嗎?把Toshiba或者ST的所謂20N60的coolmos和NCE，Infineon的20N60拿來做一下對比測試就知道誰在忽悠人了。

　　把coolmos的封裝打開就知道誰在偷工減料了。就如當初迷信日本車省油的人一樣，不知道他省油是因為車輕，把厚鋼板變成薄鋼板，把本應用鋼板做的前后保護杠變成樹脂板包裹泡沫料把一個安全件搞成了一個只講外觀的馬屎湯圓外面光的東西來忽悠以貌取車而不懂車的中國人，把鋼板變成樹脂板，還謂之高科技，不清楚樹脂板做飛機外購件可以，因為樹脂板強度也和鋼板差不多高，在天上飛的時候因為碰撞風險小，有助于減輕機體重量，所以省油，而用在車上，但車在路上跑，是很容易碰撞的，樹脂板強度高，但韌性不夠，脆性強，無鋼板的變形通過韌性來吸收碰撞能量，最后出車禍的時候才發(fā)現(xiàn)自己的日本車一撞就容易一分為二，被迷信日本車省油給把生命都給省掉了。

　　Infineon和NCE都是誠實地標示的在125C下的Rds參數(shù)，這才是客戶真正用到的參數(shù)，那些標25C的都是忽悠人的，因為你不可能把電源冷凍起來居然能保持mosfet的內(nèi)部溫度25C,實際上一工作里面就往125C沖了。等你真正用起來，你才會發(fā)現(xiàn)原來ST,Toshiba的20N60的這所謂國際品牌的東西實際和Infineon和NCE的20N60是不一樣的，原來他們工作起來可能只相當于16A的玩意，datasheet沒看清楚惹的禍，一個測試溫度就忽悠了人，不能說ST和Toshiba騙你，他們還是會標榜國際信譽的，就如日本省油車給你宣傳樹脂板強度高的高科技最后車體卻一分為二一樣，他會責怪你沒有認真去鉆研樹脂板的特性，他會給你說你使用環(huán)境不合適，沒有嚴格按他規(guī)格書操作，樹脂板的東西不能碰撞的，你碰撞了就是不合他使用條件，他的車適合在天上飛，或者在無車無障礙的路上跑，不適合車多路況差的容易碰撞的路上，因為碰撞除開要求強度外還要求韌性，而他只給你承諾了強度，沒有給你承諾韌性，所以責任在你不在他。所以你要說他溫度為什么高，他告訴你他的使用環(huán)境是要保持管芯25C,你沒有加冰箱保持電源冷凍，到了125C了，使用環(huán)境差，所以你使用環(huán)境不合格造成的問題是你自己的問題，與他們沒關(guān)系。

　　國際品牌要佩服，但不能迷信。搞清楚他門怎么做的東西的內(nèi)幕再說。

　　NCE的和Infineon的C3是基本同一個平臺但有工藝改進而來的，那驅(qū)動Qg和結(jié)電容導致炸機的風險Toshiba和ST之類的風險要高于NCE。

　　雖然我對你的結(jié)論持懷疑和保留態(tài)度，但我說的確實不一定完全對，但個人目前覺得NCE做的東西還是有一定技術(shù)含量的，這與他們的老板原來是從Infineon出來的負責coolmos研發(fā)和制造的工作經(jīng)歷有關(guān)系。我們也是觀察好久才和他們合作的，接觸評估時間都花了8個月左右之后才向客戶推廣的，目前客戶在用他們的東西，至少目前還沒有收到過投訴，coolmos和中低壓大電流的mosfet我們都在給他們賣。