電子發燒友App
??? 與通常的冶金方法不同,離子注入是用高能量的離子注入來獲得表面合金層的,因而有其特點:
??? (1)離子注入是一個非熱平衡過程,注入離子的能量很高,可以高出熱平衡能量的2～3個數量級。因此,原則上周期表中的任何元素都可以注入任何基體材料。
??? (2)注入元素的種類,能量,劑量均可選擇,用這種方法形成的表面合金,不受擴散和溶解度的經典熱力學參數的限制,即可得到用其他方法難以獲得的新合金相。
??? (3)離子注入層相對基體材料沒有明顯的界面,因此表面不存在粘附破裂或剝落問題,與基體結合牢固。
??? (4)離子注入可以通過控制注入劑量,注入能量及束流密度來精確控制注入離子的濃度和深度的分布。
??? (5)離子注入一般是在常溫真空中進行,加工后的工件表面無形變,無氧化,能保持原有尺寸精度和表面粗糙度,特別適合于高精密部件的最后工序。
??? (6)可以在工件表面層形成壓應力,減少表面裂紋。
??? (7)采用清潔的高真空和無毒的工藝和材料，處理溫度低，待處理材料的整體性能不受影響。
??? (8)由于注入僅達表面區域，可節約昂貴材料或戰略材料。
?
離子注入的特點
- 離子注入(10211)
相關推薦
探討碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響
本文從離子注入工藝的溫度控制出發，研究了離子注入工藝中的束流、注入能量、接觸面粗糙度等因素對溫控的影響，并結合器件的I-V曲線，探究了碲鎘汞紅外探測器工藝中注入溫度的影響。
2023-09-29 10:45:00
569
569
華林科納研究化合物半導體中離子注入引起的起泡和薄層分裂現象學
半導體的這些參數的最佳值。在廣泛使用的絕緣體上硅晶片的制造過程中，對硅的起泡和分裂過程進行了詳細的研究。因此，還對硅和化合物半導體的起泡過程進行了比較。這項比較研究在技術上是相關的，因為離子注入誘導的層分裂與直接晶片鍵合相結合，
2023-09-04 17:09:31186
186
離子注入技術在晶硅太陽能電池中的應用優勢
在晶硅太陽能電池的生產過程中，離子注入是一項非常重要的工藝，它可以大幅度提高光電轉換率，實現在應用中的精益有效。「美能光伏」作為一家具有眾多檢測電池和組件性能設備的光伏企業，擁有的美能傅里葉紅外光
2023-08-29 08:35:56183
183
等離子體浸置型離子注入及等離子體摻雜系統介紹
在常規離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結的注入不是B,因為BF2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:57783
783
半導體離子注入工藝評估
摻雜物的種類、結深與摻雜物濃度是離子注入工藝的最重要因素。摻雜物種類可以通過離子注入機的質譜儀決定，摻雜物濃度由離子束電流與注入時間的乘積決定。四點探針是離子注入監測中最常使用的測量工具，可以測量硅
2023-07-07 09:51:17893
893
中國電科宣布已實現國產離子注入機28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-07-03 15:05:55466
466
中國電科實現國產離子注入機28納米工藝全覆蓋！【附41份報告】
來源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據中國電子科技集團有限公司（以下簡稱“中國電科”）官方消息，該集團旗下中電科電子裝備集團有限公司（以下簡稱“電科裝備”）已實現國產離子注入機28納米
2023-07-03 09:16:46451
451電科裝備實現國產離子注入機28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特定半導體材料中，離子注入機就是執行這一摻雜工藝的芯片制造設備。
2023-06-30 16:41:19237
237離子注入技術在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應用
在DRAM生產中，離子注入技術被應用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻，這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進行重摻雜。
2023-06-19 09:59:27190
190
半導體離子注入工藝講解
阱區注入的工藝說明如下圖所示，是高能量離子注入過程，因為它需要形成阱區建立MOS晶體管。NMOS晶體管形成于P型阱區內，而P型晶體管形成于N型阱區。
2023-06-09 11:31:082154
2154
半導體制造之離子注入工藝
旋轉圓盤與旋轉輪類似，不同之處在于旋轉圓盤不是擺動整個圓盤，而是用掃描離子束的方式在整個晶圓表面獲得均勻的離子注入。下圖說明了旋轉圓盤系統。
2023-06-06 10:43:44715
715
半導體行業之離子注入工藝（十）
當質譜儀選擇了所需的離子后，離子將進入后段加速區域，射束電流與最后的離子能量被控制在該區內，離子束電流利用可調整的葉片控制，而離子能量則由后段加速電極的電位控制。
2023-06-04 16:38:26700
700
半導體制造之離子注入工藝簡述
高壓直流電源用于加速離子，大約為200kV的DC電源供應系統被裝配在注入機內。為了通過離子源產生離子，需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾百伏的供電系統，然而一個射頻離子源需要大約
2023-05-26 14:44:17776
776
離子注入工藝之退火處理
高溫爐廣泛用于進行注入后的熱退火。高溫爐的退火處理是一個批量過程，在850攝氏度至1000攝氏度情況下，通常約30min能處理100片晶圓。
2023-05-22 09:56:591392
1392
離子注入技術的優點和應用
離子注入過程提供了比擴散過程更好的摻雜工藝控制（見下表）。例如，摻雜物濃度和結深在擴散過程中無法獨立控制，因為濃度和結深都與擴散的溫度和時間有關。離子注入可以獨立控制摻雜濃度和結深，摻雜物濃度可以
2023-05-08 11:19:33952
952
半導體設備生產工藝流程科普！
第九步退火，離子注入后也會產生一些晶格缺陷，退火是將離子注入后的半導體放在一定溫度下進行加熱，使得注入的粒子擴散，恢復晶體結構，修復缺陷，激活所需要的電學特性。
2023-04-28 09:32:541261
1261
MAVR-000320-11410T離子注入、超突變結、硅調諧變容二極管
MAVR-000320-11410T低電壓、低 Rs Si HyperabruptMA4ST300 系列是采用 SC79、SC70 3LD 和 SOD-323 表面貼裝封裝的離子注入、超突變結、硅
2023-02-09 15:12:03
MAVR-045436-12790T是一種高度可重復的 UHCVD/離子注入突變硅調諧變容二極管
MAVR-045436-12790TSi突然MACOM 的 MA45400 系列是一種高度可重復的 UHCVD/離子注入突變硅調諧變容二極管，采用經濟高效的表面貼裝封裝。該系列變容二極管設計用于
2023-02-09 15:06:59
退火工藝（Thermal Annealing）介紹
通常，退火工藝是與其他工藝（如離子注入、薄膜沉積、金屬硅化物的形成等）結合在一起的，最常見的就是離子注入后的熱退火。離子注入會撞擊襯底原子，使其脫離原本的晶格結構，而對襯底晶格造成損傷。
2022-11-02 10:03:5211091
11091等離子體摻雜（Plasma Doping）
通常，用射頻電源產生高濃度等離子體電離摻雜氣體，而用偏置電源加速離子去“轟擊”圓片表面。最常用的 PLAD 摻雜氣體為 B2H6，用于硼摻雜。對于需要非常高劑量的圓片摻雜的產品，由于離子注入機需要“點”式掃描注入，即使在最高的離子束流下，工藝實施時間仍然較長，產出效率低。
2022-11-01 10:14:002184
2184光刻膠剝離用組合物及用其進行剝離的方法介紹
本文章介紹了我們華林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質腐蝕性最小化。半導體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081221
1221
6.1.4 半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.4半絕緣區域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:25233
233
6.1.3 p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.3p型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:21:13357
3576.1.5 高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 14:25:52349
3496.1.6 離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長
2021-12-31 14:13:05296
2966.2.1 反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.2.1反應性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 10:57:22509
509鉺離子注入碳化硅后的射程分布和射程離散
【作者】：秦希峰;季燕菊;王鳳翔;付剛;趙優美;梁毅;【來源】：《濟南大學學報(自然科學版)》2010年02期【摘要】：鑒于利用離子注入技術摻雜制作光電集成器件時,離子注入半導體材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
中國芯片制造關鍵設備迎來新突破
很多人都知道，離子注入機是集成電路制造前工序中的關鍵設備，而中國電子科技集團有限公司旗下裝備子集團就是在離子注入機方面取得了重大突破，其成功實現了離子注入機全譜系產品國產化，包括中束流、大束流、特種應用及第三代半導體等離子注入機，工藝段覆蓋至28nm，累計形成了413項核心發明專利。
2021-04-17 08:14:194087
4087離子注入工藝原理介紹
四十五所作為國內最大的濕化學設備供應商之一，其設備涵蓋了半導體制造幾乎所有的濕化學制程，包括：金屬刻蝕、深硅刻蝕、二氧化硅刻蝕、RCA清洗、酸洗、有機清洗、去膠、顯影、去蠟、制絨、高溫側腐、電鍍等。
2021-02-01 11:16:354845
4845
凱世通集成電路離子注入機迎來商業客戶及多款設備訂單的重大突破
目前，離子注入機行業主要由美國廠商壟斷，應用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）合計占據全球 85%-90%的市場，存在較高競爭壁壘，也是解決芯片國產化設備卡脖子的關鍵環節。
2020-12-04 10:21:293492
3492離子注入工藝仿真
離子注入作為半導體常用的摻雜手段，具有熱擴散摻雜技術無法比擬的優勢。列表對比 摻雜原子被動打進到基板的晶體內部，但是它是被硬塞進去的，不是一個熱平衡下的過程，雜質一般也不出在晶格點陣上，且離子軌跡
2020-11-20 10:10:304895
4895
離子注入工藝的設計與計算簡介
介紹工藝之前，我們先聊一下昨天一個朋友提到的日本日新的離子注入設備。日本日新是全球3大離子注入設備商之一。 1973年的時候，該公司就開始做離子注入的工藝設備。 目前的主要業務設備如上表。詳細的可以
2020-11-20 10:03:275974
5974全球離子注入機市場呈現波動增長的態勢，市場規模實現18.0億美元
離子注入機是高壓小型加速器中的一種，是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規模集成電路和器件的離子注入，還能用于太陽能電池等的制造。
2020-10-10 16:55:453135
3135
重大突破！中國研發高能離子注入機性能已達國際先進水平
據業內人士透露，中國知名電子企業中國電子科技集團有限公司近日取得重大技術突破，其自主研發的高能離子注入機已成功實現百萬電子伏特高能離子加速，其性能達國際主流先進水平。
2020-06-28 11:36:023479
3479國產離子注入機已發往大產線，集成電路裝備再破零
近日，從電科裝備旗下爍科中科信公司傳來喜訊，公司研發的12英寸中束流離子注入機順利發往某集成電路大產線，這臺由客戶直接采購的設備如期交付，標志著公司國產離子注入機市場化進程再上新臺階。
2020-06-23 10:20:283859
3859萬業企業已具備低能大束流離子注入整機工藝驗證的能力 將助力國產集成電路的整體發展
近日有消息顯示，萬業企業（600641.SH）全資子公司凱世通的低能大束流集成電路離子注入機已搬進杭州灣潔凈室，目前正在根據集成電路芯片客戶工藝要求，進行離子注入晶圓驗證。
2019-12-31 10:04:085175
5175中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成
近日，中車時代電氣SiC產業化基地離子注入工藝設備技術調試完成，標志著SiC芯片生產線全線設備、工藝調試圓滿完成，具備SiC產品的生產條件，下個月產線將正式啟動試流片。
2018-01-15 09:50:096368
6368離子注入技術
電子發燒友為大家整理的離子注入技術專題有離子注入技術基本知識、離子注入技術論文及離子注入技術培訓學習資料。離子注入技術就是把摻雜劑的原子引入固體中的一種材料改性方
2011-05-22 16:40:46
提高直升機齒輪傳動干運轉能力的離子注入技術
F根據直升機傳動系統干運轉能力的要求,用銷盤試驗機測定了Mo離子注入量及潤滑條件對齒輪鋼I2Cr2Ni4a摩擦副摩擦因數和磨損量的影響I結果表明FMo離子注入對摩擦因數影響很小,但可大大
2011-05-22 13:06:00
42
42離子注入生物實驗的計算機控制技術研究
離子注入生物誘變是不同于傳統輻射生物學的人工誘變新方法。在離子注入生物誘變實驗中, 真空室真空度及其穩定性影響著生物樣品的存活狀態; 注入劑量決定著生物樣品的輻射損傷程
2011-05-22 13:02:4124
24離子束注入技術應用
離子束注入技術概述 基本原理：離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中，這一現象就叫做離子注入。 用能量為100keV量級的離子
2011-05-22 13:00:5556
56離子注入知識常見問答
上帝在調情 發表于: 2010-5-28 10:45 來源: 電子發燒友網 1． 什么是離子注入? 離子注入（Ion Implant）是一種把高能量的摻雜元素的離子注入半導體晶片中，以得到所需要的摻雜濃度和結深的
2011-05-22 13:00:00127
127離子注入工藝(ion implantation)
離子注入的特點是加工溫度低，易做淺結，大面積注入雜質仍能保證均勻，摻雜種類廣泛，并且易于自動化。由于采用了離子注入技術，大大地推動了半導體器件和集成電路工業的發展
2011-05-22 12:56:47116
116高效率的離子注入技術
表面熱處理中的金屬表面滲碳或滲氮, 主要是依靠元素的擴散。盡管在加大濃度差和提高處理溫度方面采取了措施, 但仍需要幾十個小時, 這與我們時代的高速度、快節奏太不協調了。離
2011-05-22 12:54:4155
55核技術應用-離子注入ppt
高能束加工 常用的高能密度束流加工方法主要是: 激光加工、電子束加工、離子束加工等。 高能密度束流加工的共同特點： 加工速度快，熱流輸入少，對工件熱影響小，工件變形小。
2011-05-22 12:53:21110
110大規模集成技術5-離子注入ppt
離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現摻雜。 離子束的性質 離子束是一種
2011-05-22 12:43:5288
88金屬表面改性用離子注入的機理和特點
系統介紹了金屬表面改性用離子注入的機理和特點。剖析了溫度、注入劑量、離子種類等影響因子對改性層效果的影響，綜述了該技術在提高強度和硬度、改善磨損性能、降低摩擦系數
2011-05-22 12:42:2367
67離子注入(Ion Implantation)教程
離子注入是另一種對半導體進行摻雜的方法。將雜質電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 靶 ）而實現摻雜。 離子束是一種帶電原子或帶
2011-05-22 12:40:53104
104用離子注入技術實現金屬表面的改性
給金屬表面注入一定的高能離子，這些離子與金屬中的元素以及真空氣氛中的某些元素在金屬表面形成一種表面臺金．借以改善金屬表面的性能。本文通過大量的實驗和分析得知，在碳
2011-05-22 12:39:0661
61集成電路工藝技術講座-離子注入(Ion implantation)
半導體工藝中應用的離子注入是將高能量的雜質離子導入到半導體晶體，以改變半導體，尤其是表面層的電學性質． 注入一般在50-500kev能量下進行 離子注入的優點 注入雜質不受材料溶
2011-05-22 12:37:32145
145等離子體源離子注入技術及其應用
離子注八材料表面陡性技術， 是材料科學發展的一個重要方面。文中概述7等離子體源離子注八技術的特點 基皋原理 應用效果。取覆等離子體源離子注八技術的發展趨勢。例如， 除7在
2011-05-22 12:35:2948
48離子注入工藝 (課程設計資料)
離子注入是現代集成電路制造中的一種非常重要的技術,其利用離子注入機實現半導體的摻雜,即將特定的雜質原子（Dopant）以離子加速的方式注入硅半導體晶體內改變其導電特性并最終
2011-05-22 12:34:0083
83離子注入摻雜銳鈦礦TiO2薄膜的光學性能
在玻璃基體上,采用射頻磁控濺射方法在不同的基體溫度下制備了TiO2 薄膜,然后在薄膜中注入注量分別為5 1016 , 1 1017和5 1017 / cm2 的N離子以制備N摻雜的TiO2 薄膜。X射線衍射結果表明:制備
2011-05-22 12:32:4116
16
M5525100－1/UM型大角度離子注入機
M5525100－1/UM型大角度離子注入機:M5525100－1/UM 型大角度離子注入機可滿足100 納米，8 英寸集成電路制造工藝的要求，適合源漏區的大角度暈、袋、柵閾值調整、阱等注入，可獲得良好
2009-12-19 12:57:0212
124H-SiC離子注入層的歐姆接觸的制備
用氮離子注入的方法制備了4H-SiC歐姆接觸層。注入層的離子濃度分布由蒙特卡羅分析軟件 TRIM模擬提取，Si面4H-SiC-Ni/Cr合金歐姆接觸的特性由傳輸線方法結構進行了測量，得到氮離
2009-02-28 09:38:2925
25
工商網監
評論