標(biāo)準(zhǔn)。安森美(onsemi)作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。之前我們分享了如何對(duì)IGBT進(jìn)行可靠性測(cè)試，今天我們來(lái)介紹如何通過(guò)可靠性審核程序確保IGBT的產(chǎn)品可靠性。
2024-01-25 10:21:16
997 
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）擴(kuò)充NGBTxx系列1，200伏（V）溝槽型場(chǎng)截止（FS）絕緣門(mén)雙極晶體管（IGBT）器
2012-10-24 13:48:39757 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用
2012-11-17 10:40:171504 飛兆半導(dǎo)體的高電壓場(chǎng)截止陽(yáng)極短路（Shorted Anode） trench IGBT可針對(duì)IH電飯煲、臺(tái)式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性，為設(shè)計(jì)人員提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且高效的解決方案。
2013-01-29 13:48:08793 基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來(lái)的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有
2018-10-17 10:05:39
MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。
l 深圳芯能
成立時(shí)間：2013年
業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)
簡(jiǎn)介：深圳芯能半導(dǎo)體
2023-10-16 11:00:14
二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足
2018-12-07 10:23:42
電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)。考慮到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
多個(gè)數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長(zhǎng)工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號(hào)的作用，降低攔截概率。正在席卷整個(gè)行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開(kāi)始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過(guò)去存在的缺點(diǎn)，以最終
2021-01-20 07:11:05
功率半導(dǎo)體的熱管理對(duì)于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛(ài)普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
、判斷產(chǎn)品是否達(dá)到指標(biāo)要求提供依據(jù)。 根據(jù)可靠性統(tǒng)計(jì)試驗(yàn)所采用的方法和目的，可靠性統(tǒng)計(jì)試驗(yàn)可以分為可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)和可靠性測(cè)定試驗(yàn)。可靠性測(cè)定試驗(yàn)是為測(cè)定可靠性特性或其量值而做的試驗(yàn)，通常用來(lái)提供可靠性
2015-08-04 11:04:27
數(shù)量的功率循環(huán)。利用Coffin Manson定律可得出負(fù)載變化能力的數(shù)學(xué)近似值。圖6顯示了英飛凌在不同結(jié)溫波動(dòng)條件下的功率循環(huán)曲線。該曲線適用于1200V和1700V IGBT模塊的最新溝槽柵場(chǎng)截止
2018-12-04 09:57:08
式和半橋電路的開(kāi)關(guān)管承壓僅為輸入電源電壓，60降額時(shí)選用600V的開(kāi)關(guān)管比較容易，而且不會(huì)出現(xiàn)單向偏磁飽和的問(wèn)題，一般來(lái)說(shuō)這三種拓?fù)湓诟邏狠斎腚娐分械玫綇V泛的應(yīng)用。 3、電源設(shè)備可靠性熱設(shè)計(jì)技術(shù)
2018-09-25 18:10:52
2MΩ 的放電電阻，功耗可降低多達(dá) 30mW。 圖5.AX-CAP? 放電功能的實(shí)驗(yàn)結(jié)果V.結(jié)論創(chuàng)新的 AX-CAP? 放電功能是飛兆半導(dǎo)體 mWSaver? 技術(shù)中其中一項(xiàng)功能，在需要較大 EMI
2012-11-24 15:24:47
的強(qiáng)勁需求。飛兆半導(dǎo)體移動(dòng)、計(jì)算、消費(fèi)和通信部門(mén) (MCCC) 業(yè)務(wù)錄得3%的連續(xù)增長(zhǎng)，這反映了其關(guān)鍵終端市場(chǎng)通常的季節(jié)性大幅增長(zhǎng)。飛兆半導(dǎo)體繼續(xù)獲益于工業(yè)、電器、汽車和替代能源市場(chǎng)領(lǐng)域的銷售增長(zhǎng)
2011-07-31 08:51:14
飛兆半導(dǎo)體推業(yè)界領(lǐng)先的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2016-06-22 18:22:01
架構(gòu)加上脈沖頻率調(diào)制（PFM）特性，可提供最高的輕載效率。 額外的優(yōu)化有助于改進(jìn)熱性能和系統(tǒng)魯棒性： 采用飛兆半導(dǎo)體公司的PowerTrench MOSFET屏蔽柵極技術(shù)，具有更少的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
2018-09-27 10:49:52
為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應(yīng)用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導(dǎo)體
2011-07-13 08:52:45
效率）。這些柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器的峰值工作電壓高達(dá) 1414V，能夠配合高壓IGBT。 飛兆半導(dǎo)體是光電子產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商，提供廣泛的封裝平臺(tái)并集成各種不同的輸入和輸出配置組合，飛兆半導(dǎo)體提供用于低頻
2012-12-06 16:16:33
二極管該模塊采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)芯片［1、2］：IGBT4和Emitter controlled 4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供
2018-12-03 13:49:12
如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
qualification recipe）即可。由于長(zhǎng)期的業(yè)界經(jīng)驗(yàn)和可靠性模型的驗(yàn)證，人們現(xiàn)在可以接受將基于標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試用于硅材料的做法，不過(guò)也有例外的情況。功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2018-09-10 14:48:19
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
半導(dǎo)體提供。 請(qǐng)注意，BJT的體區(qū)電阻和增益是環(huán)境溫度的函數(shù)，器件在高溫下更容易發(fā)生閂鎖。 智能功率模塊 （IPM） 的基本概念 多年來(lái)，IGBT制造商改進(jìn)了器件物理特性，以實(shí)現(xiàn)更好的功率開(kāi)關(guān)，這些
2023-02-24 15:29:54
性能變化，電性能變化能更為直觀地監(jiān)測(cè)； 開(kāi)關(guān)次數(shù)，開(kāi)關(guān)可能會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)等電路產(chǎn)生一定影響； 熱阻變化和其它熱特性參數(shù)曲線，熱特性與壽命息息相關(guān)，對(duì)熱特性的測(cè)量和分析有助于找出LED可靠性的薄弱環(huán)節(jié)
2015-08-04 17:42:14
，自由電子為多子，空穴為少子，主要靠自由電子導(dǎo)電。自由電子主要由雜質(zhì)原子提供，空穴由熱激發(fā)形成。摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能就越強(qiáng)。P型半導(dǎo)體也稱為空穴型半導(dǎo)體。P型半導(dǎo)體即空穴
2016-10-14 15:11:56
（UPS），全半橋拓?fù)浜椭行渣c(diǎn)鉗位拓?fù)洹Ｋ梢灾С中枰?b class="flag-6" style="color: red">1200V解決方案的客戶，并從TO-247-4L封裝所提供的減少Eon開(kāi)關(guān)損耗中獲益。 安森美半導(dǎo)體的TO-247-4L Field Stop II
2020-07-07 08:40:25
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動(dòng)器解決方案
2019-09-27 08:41:49
條件下都可靠的工作。采用我們新的第三代場(chǎng)截止型IGBT增強(qiáng)了該系列的功率能力。SPM3 現(xiàn)可內(nèi)置50 A/600 V或20 A/1200 V IGBT，為單相和3相輸入交流驅(qū)動(dòng)提供達(dá)5 kW的功率等級(jí)
2018-10-24 08:53:30
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評(píng)估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
印刷電路板上的半導(dǎo)體封裝。在大多數(shù) BGA 中，半導(dǎo)體芯片和封裝基板是通過(guò)金線鍵合連接的。這些封裝基板和主板通過(guò)焊球連接。為了滿足這些連接所需的可靠性，封裝基板兩側(cè)的端子均鍍金。化學(xué)鍍金在更高
2021-07-09 10:29:30
的區(qū)別請(qǐng)參考：PT，NPT，F(xiàn)S型IGBT的區(qū)別）。技能：低導(dǎo)通壓降，125℃工作結(jié)溫（600V器件為150℃），開(kāi)關(guān)性能優(yōu)化得益于場(chǎng)截止以及溝槽型元胞，IGBT3的通態(tài)壓降更低，典型的Vce(sat
2021-05-26 10:19:23
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過(guò)渡到目前國(guó)際最新的溝槽柵場(chǎng)截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對(duì)焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對(duì)于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
工程是減少壽命費(fèi)用的重要工具，可靠性工廠得到進(jìn)一步發(fā)展，更嚴(yán)格、更符合實(shí)際、更有效的設(shè)計(jì)和試驗(yàn)方法被采用，帶動(dòng)了失效研究和分析技術(shù)的快速發(fā)展。90年代以后，可靠性工程從軍工企業(yè)發(fā)展到民用電子信息產(chǎn)業(yè)、交通
2020-07-03 11:18:02
一定的短路能力。下表是派恩杰半導(dǎo)體部分產(chǎn)品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)柵極的可靠性是嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，在柵極分別加負(fù)壓和正壓（-4V
2022-03-29 10:58:06
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:45 編輯
新人求助：請(qǐng)大俠幫助說(shuō)明半導(dǎo)體可靠性中TC 與年份的計(jì)算法則？？{:4_95:}
2012-12-19 10:10:31
流能力。 新的1200 V產(chǎn)品配置為900 A相臂（半橋）IGBT模塊，提供出色的安全工作區(qū)（SOA）和過(guò)熱能力。在同類產(chǎn)品中，LoPak 的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于強(qiáng)大的電氣性能和高可靠性方面的專業(yè)知識(shí)
2023-02-22 16:58:24
Transistor：JFET）效應(yīng)。以Trench + Field-Stop技術(shù)命名的IGBT主要包括英飛凌、富士電機(jī)、飛兆半導(dǎo)體和IR等公司的新型IGBT產(chǎn)品。表 2給出了英飛凌1200V/100A NPT
2015-12-24 18:23:36
，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。 高可靠性電源系統(tǒng)的要求 在理想的世界里，高可靠性系統(tǒng)應(yīng)該設(shè)計(jì)為能夠避免單點(diǎn)失效，有辦法在保持運(yùn)行 (但也許是在降低的性能水平
2018-10-17 16:55:21
法半導(dǎo)體的SLLIMM-nano產(chǎn)品家族新增兩種不同的功率開(kāi)關(guān)技術(shù)： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內(nèi)置超高速二極管的PowerMESH? 和溝槽場(chǎng)截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
汽車行業(yè)發(fā)展迅速，汽車的設(shè)計(jì)、制造和操控方式在發(fā)生著重大轉(zhuǎn)變。最值得注意的是，與半導(dǎo)體技術(shù)相關(guān)的安全性和可靠性在很大程度上影響著汽車的安全性。系統(tǒng)集成商面對(duì)的挑戰(zhàn)是構(gòu)建強(qiáng)大的平臺(tái)，并確保該平臺(tái)能夠在
2019-07-25 07:43:04
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
。大功率白光LED作為半導(dǎo)體光源，相比傳統(tǒng)照明光源，有節(jié)能、壽命長(zhǎng)、綠色環(huán)保、使用電壓低、開(kāi)光時(shí)間短等特點(diǎn)。大功率白光LED技術(shù)迅速發(fā)展，有著極為廣闊的應(yīng)用前景，而器件的可靠性是實(shí)現(xiàn)其廣泛應(yīng)用的保證
2011-08-19 08:41:03
整個(gè)混合開(kāi)關(guān)的頻率響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)樣品該實(shí)驗(yàn)基于溝槽場(chǎng)停止IGBT芯片的樣品，該芯片的額定阻斷電壓高達(dá)1200 V，標(biāo)稱電流高達(dá)200 A，厚度為125μm。通過(guò)質(zhì)子輻照改善了IGBT的頻率特性，相關(guān)技術(shù)在
2023-02-22 16:53:33
為了FPGA保證設(shè)計(jì)可靠性, 需要重點(diǎn)關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門(mén)探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
,既具有 MOSFET 器件驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單和快速的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點(diǎn),因而,在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。在中大功率的開(kāi)關(guān)電源裝置中,IGBT 由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率
2021-03-19 15:22:33
半導(dǎo)體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級(jí)結(jié)MOSFET、用于48V系統(tǒng)的80 V至200 V極低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
、新技術(shù)、新材料對(duì)老產(chǎn)品、老結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，采取措施提高產(chǎn)品的固有可靠性。要提高射頻連接器的固有可靠性，必須遵循射頻連接器的基本設(shè)計(jì)原則和特點(diǎn)，在不降低它的電氣特性或者說(shuō)在保證其電氣特性不受影響的條件下
2019-07-10 08:04:30
封裝 應(yīng)用優(yōu)勢(shì) 延長(zhǎng)器件壽命5倍 低開(kāi)關(guān)損耗 低導(dǎo)通電阻 可高速開(kāi)關(guān) 低溫度依賴性 工作結(jié)溫可達(dá)175℃ 高可靠性 應(yīng)用領(lǐng)域 新能源商用車的動(dòng)力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 燃料電池電能系統(tǒng) 移動(dòng)設(shè)備電推進(jìn)系統(tǒng) 光伏及儲(chǔ)能逆變系統(tǒng)原作者：基本半導(dǎo)體
2023-02-27 11:55:35
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
摘要：工業(yè)電器自動(dòng)化設(shè)備的限位開(kāi)關(guān)、微型開(kāi)關(guān)的使用漸漸趨向于靈活、方便和高薪科技的方向發(fā)展，以至于被接近開(kāi)關(guān)傳感器所取代并廣泛使用。通過(guò)可靠性試驗(yàn)研究，獲得最優(yōu)化數(shù)據(jù)參數(shù)，顯示其使用的優(yōu)越性
2018-11-13 16:28:52
現(xiàn)如今，電子產(chǎn)品的質(zhì)量不可或缺的兩大性能——技術(shù)性和可靠性。作為一個(gè)成功電子產(chǎn)品的出臺(tái)，兩方面的綜合水平影響著產(chǎn)品質(zhì)量。電源作為一個(gè)電子系統(tǒng)中重要的部件，其可靠性決定了整個(gè)系統(tǒng)的安全性能，開(kāi)關(guān)
2018-10-09 14:11:30
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步，各類電力電子應(yīng)用都開(kāi)始要求用專門(mén)、專業(yè)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件，以實(shí)現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通（NPT） IGBT相比，場(chǎng)截止（FS） IGBT進(jìn)一步降低
2018-09-30 16:10:52
應(yīng)用：開(kāi)關(guān)設(shè)備抗飽和二極管緩沖二極管續(xù)流二極管轉(zhuǎn)換器電機(jī)控制電路在開(kāi)關(guān)模式電源整流器電源（SMPS ）感應(yīng)加熱和熔化不間斷電源（ UPS ）超聲波清洗機(jī)和焊接DSEP8-12A產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：高可靠性的電路操作低電壓
2019-04-26 10:02:54
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評(píng)估驅(qū)動(dòng)板的開(kāi)發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時(shí)為其提供支持。評(píng)估驅(qū)動(dòng)板是一個(gè)功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動(dòng)器，其中兩個(gè)1ED020I12-F驅(qū)動(dòng)器IC過(guò)程控制和反饋信號(hào)并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
，高速混合IGBT模塊的實(shí)施對(duì)于逆變器操作意味著什么，在圖4中顯示了仿真結(jié)果。該仿真是在小容量PCS中對(duì)200A / 1200V 62mm標(biāo)準(zhǔn)封裝進(jìn)行的。對(duì)于20kHz的開(kāi)關(guān)頻率，可以實(shí)現(xiàn)約50％的總體
2020-09-02 15:49:13
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
，封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素。基本半導(dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。目前碳化硅二級(jí)管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101測(cè)試，工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET也在進(jìn)行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
了漂移區(qū)的摻雜濃度從而降低耐壓?jiǎn)幔?、為什么電場(chǎng)由三角形變?yōu)樘菪慰梢灾恍栎^薄的漂移區(qū)就可以提升耐壓？3、為什么單極型的MOSFET沒(méi)有FS層，而雙極型的FRD和IGBT都有用到場(chǎng)截止層？為什么場(chǎng)截止層
2020-02-20 14:26:40
機(jī)械溫控開(kāi)關(guān)的可靠性有多少？我看溫控開(kāi)關(guān)的體積很小，價(jià)格便宜，可以用于一些溫度控制方面，不過(guò)可靠性有多少呢？
2023-10-31 06:37:26
和Tvjop=125°C、cos（?）=1。除了標(biāo)準(zhǔn)操作，這種設(shè)計(jì)還必須具備結(jié)實(shí)耐用性，能夠承受故障。功率半導(dǎo)體數(shù)據(jù)表中的參數(shù)值是硬短路電流（ISC）的規(guī)范。短路魯棒性盡管場(chǎng)終止型IGBT相對(duì)于非穿通型
2018-12-07 10:16:11
400A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開(kāi)關(guān),雙向變換器等 62mm ?鹽城高價(jià)回收收購(gòu)英飛凌IGBT模塊FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?上海收購(gòu)
2021-09-17 19:23:57
-發(fā)射極飽和電壓（VCE(SAT)）的負(fù)溫度系數(shù)會(huì)帶來(lái)較高的熱逸潰風(fēng)險(xiǎn)。1999年，半導(dǎo)體行業(yè)通過(guò)采用同質(zhì)原料和工藝創(chuàng)新，改善了IGBT的制造成本，結(jié)果成就了“非穿通型”（NPT）IGBT。這些器件支持
2018-12-03 13:47:00
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合，希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運(yùn)行30年以上。為了達(dá)到這個(gè)目標(biāo)，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了X系列高壓IGBT模塊，特別注重了可靠性方面的設(shè)計(jì)，并在實(shí)際的環(huán)境條件下進(jìn)行了驗(yàn)證，結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
華潤(rùn)上華已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。
2011-03-31 09:23:061469 功率、安全性、可靠度和效能差異化半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非貫穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新產(chǎn)品
2012-09-13 10:08:171624 
國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:40994 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹(shù)立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498006 2016 年 5月10日- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ON），推出新系列絕緣柵雙極晶體管（IGBT），采用公司專有的超場(chǎng)截止溝槽技術(shù)
2016-05-10 17:57:401839 1200V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天
2017-01-08 14:36:35
7 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門(mén)針對(duì)開(kāi)關(guān)頻率在15kHz以上的硬開(kāi)關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計(jì)，可滿足其對(duì)更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:574836 
ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571418 據(jù)外媒報(bào)道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級(jí)1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開(kāi)關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501492 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:504944 ROHM新開(kāi)發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào)，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23456 
新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過(guò)優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步
2022-04-20 09:56:20594 
2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開(kāi)關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《瑞納斯半導(dǎo)體可靠性報(bào)告.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 15:22:001 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《半導(dǎo)體可靠性手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-04 09:35:440 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論