光電晶體管能夠?qū)⒐饽苻D(zhuǎn)化為電能，其工作方式與通常稱(chēng)為L(zhǎng)DR的光敏電阻類(lèi)似，但能夠同時(shí)產(chǎn)生電流和電壓，而光敏電阻僅能因電阻變化而產(chǎn)生電流。

光電晶體管是基極端子暴露的晶體管，來(lái)自撞擊光的光子不會(huì)向基極發(fā)送電流，而是激活晶體管。這是因?yàn)楣怆娋w管由雙極半導(dǎo)體制成，并集中在通過(guò)它的能量上。

它們由光粒子激活，并用于幾乎所有以某種方式依賴(lài)光的電子設(shè)備。所有硅光傳感器（光電晶體管）都響應(yīng)整個(gè)可見(jiàn)輻射范圍以及紅外線(xiàn)。事實(shí)上，所有的二極管、晶體管、達(dá)林頓管、可控硅等都具有相同的基本輻射頻率響應(yīng)。

光電晶體管特點(diǎn)：

·低成本可見(jiàn)光和近紅外照片檢測(cè)。

·可提供從100到1500的增益。

·響應(yīng)時(shí)間適中。

·提供多種封裝，包括環(huán)氧樹(shù)脂涂層，傳遞模塑和表面貼裝技術(shù)。

·電氣特性類(lèi)似于信號(hào)晶體管。

光電晶體管結(jié)構(gòu)

由于熱產(chǎn)生的空穴-電子對(duì)，沒(méi)有光落在器件上會(huì)產(chǎn)生很小的電流，并且由于負(fù)載電阻R上的電壓降，電路的輸出電壓將略小于電源值。落在集電極-基極結(jié)上，電流增加。在基極連接開(kāi)路的情況下，集電極–基極電流必須在基極·發(fā)射極電路中流動(dòng)，因此通過(guò)正常的晶體管動(dòng)作放大電流。集電極基極結(jié)對(duì)光非常敏感。它的工作條件取決于光的強(qiáng)度。來(lái)自入射光子的基極電流被晶體管的增益放大，導(dǎo)致電流增益從數(shù)百到數(shù)千。

光電晶體管的結(jié)構(gòu)專(zhuān)門(mén)針對(duì)照片應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。與普通晶體管相比，光電晶體管具有更大的基極和集電極寬度，并使用擴(kuò)散或離子注入制成。

其實(shí)，光電晶體管只不過(guò)是一個(gè)普通的雙極晶體管，其中基區(qū)暴露在光照下。它可用于PNP和NPN類(lèi)型，具有不同的配置，如共發(fā)射極、共集電極和共基極，但通常使用共發(fā)射極配置。它也可以在底座打開(kāi)時(shí)工作。與傳統(tǒng)晶體管相比，它具有更多的基極和集電極區(qū)域。

很早以前的光電晶體管使用硅和鍺等單—半導(dǎo)體材料，但現(xiàn)在的現(xiàn)代組件使用嫁和砷化物等材料來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率水平。基極是負(fù)責(zé)激活晶體管的引線(xiàn)，它是用于較大電力供應(yīng)的門(mén)控設(shè)備。集電極是正極引線(xiàn)和較大的電源。發(fā)射器是負(fù)極引線(xiàn)和較大電源的出口。

當(dāng)器件上沒(méi)有光照時(shí)，由于熱生成的空穴-電子對(duì)，電流會(huì)很小，并且由于負(fù)載電阻R兩端的電壓降，電路的輸出電壓將略低于電源值，落在集電極–基極結(jié)上的電流增加。在基極連接開(kāi)路的情況下，集電極-基極電流必須在基極-發(fā)射極電路中流動(dòng)，因此流動(dòng)的電流被正常的晶體管動(dòng)作放大。

集電極-基極結(jié)對(duì)光非常敏感，它的工作狀態(tài)取決于光的強(qiáng)度。來(lái)自入射光子的基極電流被晶體管的增益放大，導(dǎo)致電流增益從數(shù)百到數(shù)千不等。光電晶體管的靈敏度是噪聲水平較低的光電二極管的50到100倍。