Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒(méi)有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲(chǔ)。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級(jí)。這對(duì)于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開(kāi)始
2018-11-29 14:35:50
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
載流子器件（肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET）去實(shí)現(xiàn)高耐壓，從而同時(shí)實(shí)現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個(gè)特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
。 ST的1200V碳化硅（SiC）JBS（結(jié)型勢(shì)壘肖特基）二極管系列可滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)面向性能應(yīng)用的卓越效率、輕巧、小尺寸和改善的熱特性的需求。 ST的1200VSiC二極管具有出色的正向電壓（低
2020-06-30 16:26:30
和相比上一代的優(yōu)點(diǎn)，不過(guò)由于機(jī)會(huì)難得，能否請(qǐng)您首先介紹一下SiC-SBD的基礎(chǔ)內(nèi)容？說(shuō)實(shí)話，我認(rèn)為非常了解使用了SiC（碳化硅）這種半導(dǎo)體的二極管和晶體管的特點(diǎn)的人并不多。是啊！2010年ROHM確立
2018-12-03 15:12:02
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候，流過(guò)電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-03-22 17:25:26
250V左右。對(duì)于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開(kāi)始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓。 除此以外的器件參數(shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見(jiàn)表2。 由于SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒(méi)有用它來(lái)替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問(wèn)題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢(shì)壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
更進(jìn)一步。其中UF系列的最新產(chǎn)品在1200V和650V器件上的導(dǎo)通電阻達(dá)到了同類產(chǎn)品最低，分別小于9毫歐和7毫歐。這些器件具有低損耗體二極管效應(yīng)以及固有的抗過(guò)電壓和短路的能力，與Si-MOSFET或
2023-02-27 14:28:47
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
MOSFET 漏極出現(xiàn)浪涌并因寄生效應(yīng)意外打開(kāi)時(shí)。這種導(dǎo)通會(huì)產(chǎn)生從高壓到地的短路，從而損壞電路。 如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管 考慮到卓越的材料性能，這個(gè)問(wèn)題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開(kāi)關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
柵極和源極之間插入二極管電壓箝位。如果負(fù)電壓純粹是電感問(wèn)題，強(qiáng)烈建議選擇帶有開(kāi)爾文源的 CoolSiC? 器件。這可能導(dǎo)致EON損耗比沒(méi)有EON的器件低三倍（圖3）。 圖 3：為避免 SiC
2023-02-23 17:11:32
成熟，資源豐富，碳化硅的行業(yè)已經(jīng)具有集群化發(fā)展的趨勢(shì)了，但是行業(yè)規(guī)模很小，政策資金方面的風(fēng)險(xiǎn)能力很大，行業(yè)秩序也需要進(jìn)一步完善。碳化硅的用途也十分廣泛，越來(lái)越多的新行業(yè)也正在開(kāi)發(fā)，線切割為代表的新行業(yè)正
2019-07-04 04:20:22
650 V CoolSiC?混合分立
器件，該
器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速開(kāi)關(guān) IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基
二極管，能夠提升性價(jià)比并帶來(lái)高可靠性。這種組合為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
使用IGBT（絕緣柵極雙極晶體管）等少數(shù)載流子元器件（雙極元器件）。但因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗大而具有發(fā)熱問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)高頻驅(qū)動(dòng)存在界限。由于SiC能使肖特基勢(shì)壘二極管和MOSFET等高速多數(shù)載流子元器件的耐壓更高，因此能
2018-11-29 14:43:52
），P阱與N-形成的PiN會(huì)投入工作，減小浪涌時(shí)刻VF的增長(zhǎng)，降低器件功耗，提升器件的抗浪涌能力。 圖（4）二極管正向與電流密度關(guān)系圖 基本半導(dǎo)體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結(jié)構(gòu)。 05
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量。 碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
二十世紀(jì)五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來(lái)。二十世紀(jì)九十年代，碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比，較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過(guò)Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計(jì)障礙是低水平寄生效應(yīng)，如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
Si整流器與SiC二極管：誰(shuí)會(huì)更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
數(shù)碼產(chǎn)品等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。主營(yíng)產(chǎn)品MOS場(chǎng)效應(yīng)管、霍爾hall元件、IGBT單管、SiC碳化硅器件、高速光耦、ESD靜電保護(hù)二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管、肖特基二極管、COOLMOS、電源管理IC等
2023-03-17 11:08:33
）------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時(shí)間：2018
2018-07-27 17:20:31
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
數(shù)碼產(chǎn)品等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。主營(yíng)產(chǎn)品MOS場(chǎng)效應(yīng)管、霍爾hall元件、IGBT單管、SiC碳化硅器件、高速光耦、ESD靜電保護(hù)二極管、TVS瞬態(tài)抑制二極管、肖特基二極管、COOLMOS、電源管理IC等
2023-03-17 11:13:35
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
氧可靠性等可靠性問(wèn)題備受關(guān)注。那么SiC MOSFET體二極管能抗多大的浪涌電流？其短路能力如何？如何保證柵極可靠性？SiC MOSFET的體二極管抗浪涌電流大小與芯片的大小成正比。像派恩杰半導(dǎo)體采用
2022-03-29 10:58:06
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
功率密度和高溫運(yùn)行的需求至關(guān)重要。硅一直是許多應(yīng)用中的主要技術(shù)，但隨著這些新型寬帶功率半導(dǎo)體（特別是SiC MOSFET和SiC二極管）的出現(xiàn)，與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，電力電子設(shè)計(jì)人員可以利用新的更高開(kāi)關(guān)速度
2022-06-13 11:27:24
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比。混合碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在
2018-12-04 10:26:52
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對(duì)10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動(dòng)汽車充電
2023-02-21 16:27:41
電場(chǎng)而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個(gè)商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。3）碳化硅具有較高的導(dǎo)熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì) SiC 器件封裝技術(shù)進(jìn)行歸納和展望。近20多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
二極管都一樣。例如，大多數(shù)硅用于高達(dá)250V的電壓，而砷化鎵、碳化硅或硅鍺被用作阻斷200至1700V電壓的半導(dǎo)體材料。硅肖特基二極管具有大約0.4V的低閾值電壓，工作電流較低時(shí)甚至低于0.1V。這遠(yuǎn)遠(yuǎn)
2018-10-19 15:25:32
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開(kāi)發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開(kāi)辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開(kāi)關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
能夠提供硅和碳化硅的有用特性，本文探討了一項(xiàng)比較10kW、100kHz相移全橋（PSFB）性能的練習(xí)。在該應(yīng)用中對(duì)GaAs、SiC和超快硅二極管進(jìn)行基準(zhǔn)測(cè)試的結(jié)果表明，GaAs二極管能夠以顯著較低
2023-02-22 17:13:39
°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng)，穩(wěn)定的超快速本體二極管，因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
C6D06065G為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:36:12
C3D06065E為650 V 分立碳化硅肖特基二極管。第 6 代 650 V、6 A 碳化硅肖特基二極管。具有碳化硅 (SiC) 的性能優(yōu)勢(shì)肖特基勢(shì)壘二極管，電力電子系統(tǒng)可以期待滿足比硅基解決方案
2022-05-29 19:45:27
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過(guò)，自 1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:17
8360 碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 介紹碳化硅功率二極管，包括碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）、碳化硅PiN二極管（PiN），碳化硅結(jié)/肖特基二極管（JBS），然后介紹碳化硅聚碳場(chǎng)效應(yīng)管、DMOSFET和幾種MESFET，第三部分是關(guān)于碳化硅雙極器件，如BJT和IGBT。最后，討論了SiC功率器件開(kāi)發(fā)過(guò)程中的挑戰(zhàn)，特別是其材料生長(zhǎng)和封裝。
2022-11-04 09:56:01564 ,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。 目前常用的SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)，其中碳化硅
2023-01-13 11:16:441230 
以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適。
2023-02-04 14:25:251013 高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591313 。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)
基地。
目前常用的SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，金屬氧
2023-02-16 15:28:254 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片，碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保符合當(dāng)今最嚴(yán)格的能效法規(guī)（Energy
2023-02-21 10:06:42898 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:241680 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見(jiàn)的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-24 10:22:28480 
6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-25 09:18:08743 6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636 5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能的影響5.2SiC的擴(kuò)展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴(kuò)展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。
2023-09-12 17:25:41666 碳化硅（SiC）技術(shù)比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗，從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用，以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29393 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 應(yīng)用以及發(fā)展趨勢(shì)。
一、碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
碳化硅功率器件具有高頻率、高效率、高耐壓和高耐流等優(yōu)勢(shì)，使得其在能源轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅功率器件
2024-01-06 14:15:03353 
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