隨著電動(dòng)汽車（EV）制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可以改善行駛里程并提供競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。效率與較低的功率
2022-10-25 17:05:02
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隨著電動(dòng)汽車 （EV） 制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，這可以提高行駛里程并提供競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。效率與較低
2023-02-27 16:12:146898 
碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對(duì)罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02887 
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
SiC碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)的PCB布局方法解析:在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注
2022-03-24 18:03:24
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
)碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻(xiàn)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的不足是： 碳化硅圓片的價(jià)格還較高,其缺陷也多。 三、碳化硅肖特基二極管的特點(diǎn) 上面已談到硅肖特基二極管反向耐壓較低，約
2019-01-11 13:42:03
社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18
，熱導(dǎo)率是硅的10倍?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC在所有重要方面都優(yōu)于硅 這為碳化硅器件開辟了廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在5G/數(shù)據(jù)中心等空間受限和節(jié)能領(lǐng)域，低損耗是應(yīng)用的推動(dòng)力;在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，更高的牽引逆變器效率意味著更小
2023-02-27 14:28:47
充電器、電機(jī)和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿好奇，也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
92%的開關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)一步簡(jiǎn)化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇?！ ≡谠O(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都
2018-11-29 14:43:52
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比，故在相似的功率等級(jí)下，SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級(jí)，并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1：電動(dòng)汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺(tái)和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2022-11-02 12:02:05
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
）------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題：羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播時(shí)間：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅(qū)動(dòng)器損耗，提高開關(guān)頻率，降低電流諧波和轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)。本項(xiàng)目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗(yàn)證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域，在
2023-10-07 10:12:26
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
組件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項(xiàng)背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關(guān)損耗，因此電源開關(guān)的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時(shí)減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構(gòu)。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高的開關(guān)頻率，不僅可以通過降低電阻和開關(guān)損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引
2022-11-03 07:38:51
的整體系統(tǒng)尺寸，更小的整體成本，高溫下更高的可靠性，同時(shí)降低功率損耗。創(chuàng)能動(dòng)力可提供碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模組和集成功率模組，用于太陽能逆變器、功率因數(shù)校正、電動(dòng)車充電樁和高效率
2023-02-22 15:27:51
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
一種減慢di/dt和dv/dt的方式來解決。不幸的是，這些方法會(huì)導(dǎo)致開關(guān)損耗增加和系統(tǒng)效率降低。而在使用碳化硅MOSFET時(shí)，只需在柵極和源極之間增加一個(gè)二極管電壓鉗位即可解決這一難題?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
對(duì)于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
電子的發(fā)展趨勢(shì)，但瓷片電容、傳感器、柵極驅(qū)動(dòng)等還無法完全匹配碳化硅的高溫高頻性能、散熱和電磁兼容問題；開發(fā)高溫電容、功率芯片片內(nèi)集成傳感器、研究 SiC CMOS 驅(qū)動(dòng)芯片或者采用 SOI
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應(yīng)用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動(dòng)。 接下來介紹基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET及驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品 基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業(yè)界公認(rèn)的汽車封裝，針對(duì)牽引逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了優(yōu)化。為了提供汽車級(jí)HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導(dǎo)體應(yīng)用碳化硅半導(dǎo)體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用?？蓮V泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)為驅(qū)動(dòng) UPS、交流逆變器和電動(dòng)汽車充電樁（電動(dòng)汽車充電站）應(yīng)用的功率級(jí)提供了藍(lán)圖。此設(shè)計(jì)基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
碳化硅(SiC)基地知識(shí)
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗稱金剛砂。 SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不過，自 1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。 碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應(yīng)用
2017-05-06 11:32:45
54 硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無源元件體積與開關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至數(shù)百
2018-10-08 08:00:0029 采用新型碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的光伏逆變器與采用硅IGBT模塊的傳統(tǒng)光伏逆變器相比，具有開關(guān)頻率高、體積小、效率高的特點(diǎn)。本文對(duì)橋式碳化硅模塊的驅(qū)動(dòng)，以及以碳化硅器件組成的單相光伏逆變器的開關(guān)
2020-04-14 08:00:002 氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國(guó)產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分，據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復(fù)管提高2個(gè)百分點(diǎn)以上。
2021-04-01 09:23:261413 第三代功率半導(dǎo)體碳化硅 SiC（silicon carbide）具有高耐壓等級(jí)、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn)，能顯著提高電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。 首先，設(shè)計(jì)了兩電平三相逆變器主電路
2021-04-16 11:10:0039 SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32140 碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:065309 ? ? ? 針對(duì)要求最嚴(yán)苛的功率開關(guān)應(yīng)用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢(shì)，從而引入改進(jìn)的半導(dǎo)體器件。即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙類型，將顯著提高功率開關(guān)應(yīng)用的性能，尤其是汽車牽引逆變器
2022-11-16 10:57:40539 
SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4420953 碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一，具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點(diǎn)，可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境，可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通工具，及太陽能逆變器、不斷電系統(tǒng)、智慧電網(wǎng)
2023-02-03 14:49:52367 功率半導(dǎo)體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng)，這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)
電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移
2023-02-16 15:28:254 sic碳化硅電機(jī) 碳化硅（SiC）器件損耗小、耐高溫并能高頻運(yùn)行，被公認(rèn)為將推動(dòng)新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。世界各工業(yè)強(qiáng)國(guó)和大型跨國(guó)公司紛紛投入了大量的人力物力，特斯拉等國(guó)外車企開發(fā)的SiC電機(jī)
2023-02-17 14:10:171497 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
Star、80Plus、以及European Efficiency）外，碳化硅二極管的動(dòng)態(tài)特性是標(biāo)準(zhǔn)硅二極管的四倍，而正向電壓（VF）比其低15%。 碳化硅（SiC）二極管的使用大大提高了太陽能逆變器、電機(jī)
2023-02-21 10:06:42898 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)，以及未來的發(fā)展趨勢(shì)，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢(shì)，盡可能降低
2022-11-30 15:28:282647 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
電動(dòng)汽車（EV）電池系統(tǒng)從400V到800V的轉(zhuǎn)變使碳化硅（SiC）半導(dǎo)體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉(zhuǎn)換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15418 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅（
SiC）MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進(jìn)行靜態(tài)電流的共享和負(fù)反饋。如果一個(gè)設(shè)備的電流更大，那么它就會(huì)加熱，相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣，過境電流
降低，熱失衡級(jí)別也
降低。此外，他們?cè)跍囟?/div>
2023-12-19 11:59:32142 
的優(yōu)勢(shì)高頻率：碳化硅材料的電子遷移率比硅高，使得碳化硅功率器件能夠承受更高的開關(guān)頻率。這有助于減小無源元件的尺寸，提高系統(tǒng)的整體效率。低損耗：碳化硅的導(dǎo)通電阻比硅低，使得碳化硅功率器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗遠(yuǎn)低于硅器件。這有助于減小系統(tǒng)的散熱需求，提高設(shè)備的能效。高效率：碳化硅
2024-01-06 14:15:03353 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備，主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能，如更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅模塊使用燒結(jié)銀雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢(shì)與實(shí)現(xiàn)方法 新能源車的大多數(shù)最先進(jìn) (SOTA)?電動(dòng)汽車的牽引逆變器體積功率密度范圍從基于 SSC-IGBT?的逆變器的 當(dāng)然，隨著新能源車碳化硅
2024-02-19 14:51:15140 
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