在電源輸入端一般都需要做一個防反接電路，常見的電路有兩種：一種串聯(lián)肖特基二極管; 另一種通過PMOS管或NMOS管。

(一)使用肖特基二極管

當(dāng)正確插入電源，負(fù)載電流沿二極管正向流動，如果接反，二極管將被反向偏置并且阻止反向電流，從而保護(hù)負(fù)載免受負(fù)電壓的影響;

如圖所示，當(dāng)12V輸入快速反轉(zhuǎn)至-20V時，輸出電壓保持不變，不會立即崩潰或跟隨負(fù)輸入;放置在輸出端的大容量電容可防止輸出立即下降，并可在輸入電源恢復(fù)之前為負(fù)載供電一小段時間

電路優(yōu)缺點：

優(yōu)點：

電路簡單;

始終阻斷從負(fù)載流回電源的反向電流(這個與用MOS管是有區(qū)別的)

缺點：

在較高的負(fù)載電流下，正向傳導(dǎo)會造成顯著的效率損失;

反向漏電流：高壓肖特基二極管的反向漏電流隨結(jié)溫升高而急劇增加，導(dǎo)致反向?qū)ㄆ陂g的功耗更高; 例如，額定電壓為60V的肖特基二極管STPS20M60S在150°時的反向漏電流為100mA,因此，-60V時的功耗為6W;

在使用大容量電容的系統(tǒng)上，啟動期間的浪涌電流會很大，要求不得超過最大二極管電流;

(二)使用MOS管

2.1PMOS管

為了降低二極管的正向壓降，可以將肖特基二極管替換為PMOS管;在電源正常工作期間，PMOS管的體二極管將被正向偏置，并導(dǎo)通很短的時間，直到柵極電壓被拉至源極以下時會將MOS導(dǎo)通;當(dāng)電源極性反轉(zhuǎn)時，柵極電壓變?yōu)檎妷?，并將MOS管關(guān)斷，從而保護(hù)后級電路免受負(fù)電壓影響;

優(yōu)點：功耗小

缺點：無法阻斷反向電流流回輸入端，保持電容將被放電(因為MOS管在電源電壓接近Vth時才會關(guān)斷，而不是在電源電壓開始下降時立即關(guān)斷; 會使電容反向給電源充電，導(dǎo)致輸出電壓大幅下降)

2.2 NMOS管

原理同PMOS管

電路中加入穩(wěn)壓二極管的原因是MOS管的GS之間的電壓一般不能超過20V，若電源系統(tǒng)是24V或36V更高的，會使MOS管損壞

(三)兩種電路對比

當(dāng)輸入短路期間，肖特基二極管會快速反向偏置，并阻止反向電流回流到短路的輸入端;輸出的保持電容為負(fù)載提供備用電源，使得輸出電壓下降;消除輸入短路后，負(fù)載通過肖特基二極管供電;

而PMOS管，當(dāng)柵源電壓超過Vth時，PMOS管將關(guān)斷，由于缺乏反向電流阻斷功能，輸出電壓會大幅下降;