吴忠躺衫网络科技有限公司

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

弘模半導(dǎo)體

文章:51 被閱讀:22.8w 粉絲數(shù):10 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):1

廣告

關(guān)于MOS-AK Peking 器件模型國際會議的分析和介紹

如果您是設(shè)計(jì)公司,通過參加這個活動,就能了解到為什么自己的產(chǎn)品和其他公司沒有在一個起跑線上。如果您是....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:59 ?2319次閱讀
關(guān)于MOS-AK Peking 器件模型國際會議的分析和介紹

關(guān)于MOS-AK Peking器件模型國際會議分析和介紹

所有投稿由技術(shù)專家委員會審核,5月28日是Abstract 提交截止日,內(nèi)容不需要多,1-2頁即可,....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:54 ?1772次閱讀
關(guān)于MOS-AK Peking器件模型國際會議分析和介紹

關(guān)于中興通訊被制裁事件的分析介紹

模型從業(yè)者的商業(yè)模式?jīng)Q定了規(guī)模不可能大,而且是以研發(fā)為主,所以沒有國家支持是很難生存下去的。美國的C....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:49 ?10772次閱讀

關(guān)于歐盟項(xiàng)目TARANTO的分析和介紹

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈很長,每個產(chǎn)品牽涉很多知識,所以XMOD也一直通過在參與歐盟項(xiàng)目的同時,把那些愿意把技術(shù)....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:43 ?3387次閱讀

關(guān)于AI背景下的on-chip ESD (靜電保護(hù))需求分析和應(yīng)用

ofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝,應(yīng)用也非常廣泛,除了上面的人工智能,硅光電,....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:34 ?2564次閱讀

關(guān)于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和特殊應(yīng)用下的On-chip ESD 研討會的分析和介紹

在和英國IP 供應(yīng)商Moortec,和Icsense三方的合作中,Sofics 成功得在28nm, ....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:29 ?4025次閱讀
關(guān)于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和特殊應(yīng)用下的On-chip ESD 研討會的分析和介紹

回顧關(guān)于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發(fā)展介紹

半導(dǎo)體所的文章,首先回顧第一性原理(密度泛函理論)來計(jì)算納米電子,通過對二維(2D)材料為基礎(chǔ)的亞1....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:23 ?2480次閱讀
回顧關(guān)于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發(fā)展介紹

關(guān)于MOS-AK北京器件模型邀請報告提要和分析

對于III-V族器件, 模型的問題一直困擾者很多電路設(shè)計(jì)者,由于模型準(zhǔn)確度的局限性,很多時候,需要靠....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:17 ?2037次閱讀
關(guān)于MOS-AK北京器件模型邀請報告提要和分析

回顧關(guān)于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發(fā)展

FinFET和FDSOI是先進(jìn)的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)采用的新的器件創(chuàng)新來繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結(jié)構(gòu)中,....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 10:07 ?3622次閱讀
回顧關(guān)于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發(fā)展

回顧MOS-AK 北京器件模型國際會議的主要內(nèi)容和主題

當(dāng)然,MOS-AK會議前期的培訓(xùn)部分也非常精彩,6月14日,Dr. Franz Sischka 的R....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 09:59 ?3729次閱讀

關(guān)于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應(yīng)用

對于電容參數(shù)的描述,ASM GaN 是應(yīng)用場效應(yīng)板來解決的。當(dāng)然,模型開發(fā)出來后,需要和真正的器件進(jìn)....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 09:44 ?6753次閱讀
關(guān)于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應(yīng)用

關(guān)于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應(yīng)用介紹

總的來說,這款LNA的芯片在NF方面的表現(xiàn)是非常不錯,對于其應(yīng)用還是非常廣泛的, 比如風(fēng)力發(fā)電中玻璃....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 09:36 ?5036次閱讀
關(guān)于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應(yīng)用介紹

關(guān)于GaN微波器件大信號模型及其應(yīng)用和發(fā)展分析

然而上述兩種模型為了達(dá)到大信號特性高精度,仍舊需要引入較多的擬合參數(shù),加大了模型參數(shù)提取的難度和模型....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 09:28 ?6879次閱讀
關(guān)于GaN微波器件大信號模型及其應(yīng)用和發(fā)展分析

關(guān)于300GHz雷達(dá)芯片套裝的性能分析和介紹

此芯片基于SiGe HBT BiCMOS工藝,包括了MIXER,VCO,F(xiàn)requency doub....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 09:20 ?4621次閱讀
關(guān)于300GHz雷達(dá)芯片套裝的性能分析和介紹

對于24GHz雷達(dá)傳感器的性能分析和介紹

團(tuán)隊(duì)目前已經(jīng)開發(fā)出不同頻率,寬帶的傳感器,從基帶10Ghz, 24GHz, 122GHz, 到200....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-08 09:08 ?7483次閱讀
對于24GHz雷達(dá)傳感器的性能分析和介紹

關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來分析和介紹

在雷達(dá)應(yīng)用這塊, 除了早已上市的77-78,79-81GHz雷達(dá),主用于ADAS。同時94GHz雷達(dá)....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-06 17:38 ?18023次閱讀
關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來分析和介紹

關(guān)于鍺硅工藝的建模,設(shè)計(jì)和應(yīng)用分析和介紹

下午,主要由來自Silicon Radar的設(shè)計(jì)主管Dr. Wojciech Debski 帶來基于....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-06 17:26 ?4652次閱讀

關(guān)于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析

無論是0.18um CMOS還是12nm FinFet并不重要,設(shè)計(jì)公司將始終受益于更短的開發(fā)時間,....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-06 17:17 ?2160次閱讀
關(guān)于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析

關(guān)于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應(yīng)用

122 GHz收發(fā)雷達(dá)前端(RFE)主要應(yīng)用領(lǐng)域是在短程/高分辨雷達(dá)系統(tǒng),范圍高達(dá)約7米。通過使用附....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-06 17:09 ?5526次閱讀
關(guān)于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應(yīng)用

關(guān)于歐盟項(xiàng)目Kamerad的分析和介紹

作為歐盟項(xiàng)目自動駕駛相關(guān)項(xiàng)目的活躍合作伙伴Silicon Radar, 將在6月20日的MOS-AK....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-06 17:04 ?2144次閱讀

回顧MOS-AK成都器件模型國際會議的內(nèi)容介紹

成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面....
的頭像 弘模半導(dǎo)體 發(fā)表于 09-06 16:51 ?4088次閱讀
百家乐官网赌场优势| 百家乐实战玩法| 百家乐技巧开户| 在线百家乐官网代理| 百家乐好多假网站| 百利宫娱乐城信誉| 网上百家乐官网破战| LV百家乐赢钱LV| 百家乐官网如何投注法| 澳门百家乐规则视频| 宝龙线上娱乐城| 闲和庄百家乐官网赌场娱乐网规则| 百家乐博娱乐场开户注册| 百家乐官网技巧发布| 真钱百家乐哪里最好| 肃南| 实战百家乐博彩正网| 网上梭哈| 百家乐最佳投注法下载| 加查县| 澳门百家乐官网www.bjbj100.com| 百家乐平注常赢玩法| 百家乐庄闲机率| 百博亚洲| 七胜百家乐娱乐城总统网上娱乐城大都会娱乐城赌场| 百家乐怎样赢| 哪个百家乐平台信誉好| 河西区| 百家乐娱乐平台会员注册| 真钱百家乐官网哪里最好| 欧洲百家乐的玩法技巧和规则| 澳门百家乐官网网上| 百家乐娱乐皇冠世界杯| 治多县| 百家乐有看牌器吗| 易胜博百家乐官网输| A8百家乐赌场娱乐网规则| 澳门百家乐官网备用网址| 老虎机上分器| 百家乐官网平注常赢玩法技巧| 海王星开户|