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5G帶動砷化鎵用量翻倍 射頻元件廠2020起受惠

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來源:yxw ? 2019-07-09 11:37 ? 次閱讀

近日消息,研調機構集邦旗下拓墣產業研究院報告指出,由于現行射頻前端元件制造商依手機通信元件功能需求,逐漸以砷化鎵(GaAs)晶圓作為元件的制造材料,加上5G布建逐步展開,射頻元件使用量較4G時代倍增,預期GaAs射頻元件市場將自2020年起進入新一波成長期。

拓墣指出,由于射頻前端元件特性是耐高電壓、耐高溫及高頻等,在4G與5G時代有高度需求,傳統如HBT和CMOS的硅(Si)元件已無法滿足,廠商逐漸轉向GaAs化合物半導體

拓墣強調,GaAs化合物半導體的電子遷移率較Si快速,且具有抗干擾、低噪聲與耐高電壓等特性,因此特別適合應用于無線通信中的高頻傳輸領域。

由于4G時代的手機通信頻率使用范圍已進展至1.8~2.7GHz,對傳統3G的Si射頻前端元件已不敷使用,加上5G通信市場正步入高速成長期,使用頻段也將更廣泛,包含3-5GHz、20-30GHz,因此無論是4G或5G通信應用,現行射頻元件都將逐漸被GaAs取代。

若以目前市場發展來看,受2018年下半年手機銷量下滑、中美貿易戰影響,沖擊GaAs通信元件IDM廠營收表現,預估2019年IDM廠總營收將下滑至58.35億美元(單位下同),年減8.9%。

不過,隨5G持續發展,射頻前端元件使用數量將顯著提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G時代的2顆、4G的5-7顆,倍增至5G時代的16顆,將帶動2020年IDM廠整體營收,預估GaAs射頻前端元件總營收將達64.92億元,年增11.3%。

整體而言,各國持續投資5G基站等基礎設施,預估2021、2022年將達高峰,加上射頻前端元件使用量較4G時代翻倍,可望成為IDM廠如思佳訊(Skyworks)、科沃(Qorvo)新一波營收成長動能,而臺廠射頻代工制造業穩懋、宏捷科、環宇等也將受惠,擺脫營收衰退陰霾。

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原文標題:5G帶動砷化鎵用量翻倍,射頻元件廠2020起受惠

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