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紫光在四川建設(shè)3D NAND Flash廠 總投資將超過2000億元

poa0_zhenjingsh ? 來源:yxw ? 2019-07-01 10:24 ? 次閱讀

近日,根據(jù)紫光官方消息,紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁王慧軒在接受采訪時表示,紫光在四川布局宏大,總投資將超過2000億元,主要包括服務(wù)器芯片、安全芯片、存儲芯片和移動通訊相關(guān)芯片的研發(fā),建設(shè)周期將長達(dá)3-5年。

目前正在建設(shè)的存儲3D NAND Flash廠,一期建設(shè)完畢后會有一個月10萬片產(chǎn)能,三期全部完工后每月產(chǎn)能30萬片。

紫光成都存儲芯片項目于2018年10月中旬動工,預(yù)計2020年12月主體完工,該項目占地面積約1200畝,總投資達(dá)240億美元,將建設(shè)12寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線,并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。

與此同時,紫光集團(tuán)旗下的長江存儲將在今年下半年正式推出自研的Xtacking 2.0技術(shù),并在年底前量產(chǎn)64層3D NAND,規(guī)劃在2020年跳過96層3D NAND技術(shù)進(jìn)入128層3D NAND階段,進(jìn)一步縮小和世界存儲大廠的差距。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:2000億!成都建3D NAND Flash廠!

文章出處:【微信號:zhenjingshe,微信公眾號:華爾街】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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