華虹半導體宣布其第三代90nm嵌入式閃存()工藝平臺已成功實現(xiàn)量產。

華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術領域，通過不斷的技術創(chuàng)新，第三代90nm嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90nm工藝節(jié)點嵌入式閃存技術的最小尺寸紀錄。

Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢，使得芯片整體面積進一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。與此同時，光罩層數(shù)也隨之進一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標繼續(xù)保持著高水準，可達到10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力。

近年來，華虹半導體在90nm工藝節(jié)點連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺，在保持技術優(yōu)勢的同時，不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平臺的大規(guī)模穩(wěn)定量產，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及微控制器(MCU)等多元化產品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

華虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：華虹半導體未來將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場，同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將200mm現(xiàn)有的技術優(yōu)勢向300mm延伸，更好地服務國內外半導體芯片設計公司，滿足市場需求。