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SPICE器件模型:二極管示例 其2

羅姆半導體集團 ? 2019-07-02 15:06 ? 次閱讀

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本文將繼續(xù)繼上一篇文章“SPICE器件模型:二極管示例 其1”之后,以二極管的SPICE器件模型為例,來介紹器件模型。

SPICE器件模型:二極管器件模型的參數(shù)調(diào)整

器件模型是要設置參數(shù)的,所以可以很容易想象如果改寫所描述的設置值,其結果會反映在仿真結果中。下面是此前提到的二極管器件模型的VF調(diào)整示例。



要調(diào)整二極管的VF,需要更改IS值(飽和電流)。IF=IS*exp(Vd/(N*Vt)-1)這是在“其1”中給出的IF公式,從公式可以看出,IS的增減與IF成正比。曲線圖是將IS值調(diào)整為10倍和1/10后的IF-VF特性仿真結果。VF=0.7V的IF是10倍和1/10的值。

要想很好地理解參數(shù)和二極管特性之間的關系,需要先了解模型公式和參數(shù)。


SPICE器件模型的局限
器件模型基本上表現(xiàn)出來的是模型理論公式的特性。所以,理論公式中無法完全表達出來的特性不會反映在仿真結果中。需要先認清這點再來解釋仿真結果。


這個曲線圖是不同于剛才的二極管的IF-VF特性。左側(cè)是技術規(guī)格書中給出的實際二極管的代表特性,右側(cè)是這個二極管的器件模型仿真結果。


比較一下IF-VF特性的線性度,可以看出仿真結果是基于理論公式的結果。


關鍵要點



  • SPICE模型分為“器件模型”和“子電路模型”兩種。

  • 通過更改器件模型的參數(shù)值,可以調(diào)整特性。

  • 器件模型是基于理論公式的,因此仿真結果局限于公式能夠表達的范圍(可能與實際不符)。


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原文標題:SPICE器件模型:二極管示例 其2

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