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Intel 7nm工藝將對標(biāo)臺積電5nm,計劃是2021年就投產(chǎn)并發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品

aPRi_mantianIC ? 來源:lq ? 2019-05-10 10:27 ? 次閱讀

Intel今天舉行了兩年來的第一次投資者會議,新任CEO司睿博親自上陣,向投資者們披露了大量未來產(chǎn)品和技術(shù)規(guī)劃。

首先是工藝方面,Intel承認(rèn)在10nm工藝上冒險太大,設(shè)置了過高的技術(shù)指標(biāo),導(dǎo)致一再延期,未來會在新工藝開發(fā)中重新定義預(yù)期指標(biāo),不一味過高追求。

具體來說,14nm工藝(對標(biāo)臺積電10nm)會繼續(xù)充實產(chǎn)能,滿足市場需求。10nm工藝(對標(biāo)臺積電7nm)消費級產(chǎn)品今年年底購物季上架,服務(wù)器端明年上半年。

Intel 7nm工藝將對標(biāo)臺積電5nm,目前的計劃是2021年就投產(chǎn)并發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。

這距離10nm量產(chǎn)上架還不到兩年時間,顯然是大大加速了,看起來Intel真的充分汲取了10nm上的教訓(xùn),應(yīng)該對7nm進(jìn)行了調(diào)整,以加速上市。

同時,Intel會持續(xù)像現(xiàn)在的14nm一樣,對每一代新工藝持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化,也就是會繼續(xù)出現(xiàn)很多+++版本,但會不像臺積電、三星那樣改進(jìn)一下就是新名字(11nm/8nm/6nm)。

10nm今年上陣,明后年將接連出現(xiàn)10nm+、10nm++;7nm 2021年登場,2022年、2023年則連續(xù)推出7nm+、7nm++。

7nm工藝上Intel會第一次使用EVU極紫外光刻,但不確定是初代就加入,還是類似臺積電等待改進(jìn)版的第二代。

接下來一段時間,Intel將有大量重磅產(chǎn)品陸續(xù)發(fā)布,包括至強處理器、GPGPU通用加速處理器、AI推理、FPGA5G/網(wǎng)絡(luò)等,尤其是備受期待的10nm Ice Lake將在6月份開始出貨,當(dāng)然都是筆記本型的。

除了繼續(xù)宣傳Ice Lake的性能提升,包括圖形性能2倍于現(xiàn)在、AI性能2.5-3倍、視頻編碼性能2倍、無線性能3倍,Intel還第一次公開了Ice Lake的架構(gòu)圖,可以看到會首次原生支持USB Type-C,同時還有個不知何物的IPU。

那么,Intel 2021年的首款7nm工藝產(chǎn)品是什么呢?不是CPU處理器,而是GPU顯卡,確切地說是基于Xe架構(gòu)、采用EMIB 2D整合封裝和Foveros 3D混合封裝、面向數(shù)據(jù)中心AI和高性能計算的GPGPU通用計算加速卡。

Intel曾經(jīng)一再公開表示會在2020年發(fā)布時首款獨立顯卡產(chǎn)品,不知道是明年先發(fā)游戲卡,還是整體推遲了?

Intel還強調(diào),除了不斷研發(fā)新工藝,封裝技術(shù)方面也會持續(xù)演進(jìn),并針對不同應(yīng)用劃分,比如PC領(lǐng)域主要還是一種工藝通吃所有產(chǎn)品,單芯片封裝,而數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域會針對不同IP優(yōu)化不同工藝,并且注重多芯片封裝。

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原文標(biāo)題:Intel擬進(jìn)軍7nm,對標(biāo)臺積電5nm!

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