作者：電子發燒友 黃晶晶
關注: 半導體產業鏈、IoT等
微信號：kittyhjj

在中國大力發展存儲芯片的半導體產業環境下，可能很多人不知道，東芯半導體是目前國內唯一可以同時提供NAND、NOR、DRAM設計工藝和產品方案的本土存儲芯片設計公司。

東芯的三類存儲產品定位不同，其中NOR Flash定位中高端、大容量。NAND Flash定位中低容量，DRAM也是中低容量。主要應用在嵌入式行業，包括通信光貓、監測、智能音箱、可穿戴產品、4G模塊等等，以及智能手機、電視機、機頂盒，還有未來的無人駕駛，邊緣計算等。據悉，東芯半導體已經與國內最大的通信公司達成合作，在2016年底開始大規模出貨。



“我們避開了三星、美光等行業巨頭，不與他們直接競爭。這些巨頭的存儲芯片主要是大容量存儲，我們的策略是國際巨頭逐步要放棄的市場。據估算，這個市場的份額在100億美金左右，其中70%的市場在中國。因此這個市場足夠大，我們利用本土優勢更貼近市場。”東芯半導體總經理王超分析說東芯的產品定位非常清晰，就是要巨頭退出的市場，切入國產芯片進行替代。

中低容量存儲不等于低端產品。產品方面，東芯半導體于2014年12月聯合中芯國際共同開發了24nm的NAND Flash，于2015年10月成功流片國內首顆38nm1Gb SPI NAND芯片，于2016年7月成功流片國內首顆24nm4Gb SLC NAND芯片，于2017年9月成功流片國內首顆38nm2Gb SPI NAND，使得中國存儲芯片設計能力與國際先進的差距不斷縮小。



王超解析，大容量主要用于數據存儲，中低容量用于程序存儲、運算，這類存儲對可靠性要求更高，同時工藝水平已經發展到極限，也就是2X納米的2D NAND。目前東芯中低容量NAND的設計水平已與國際水平相當，并在國內保持領先。

2016年存儲行業開啟了大缺貨時期，存儲芯片價格爆漲。顯然，東芯也受益了這波上漲的市場行情。如今存儲芯片價格下跌，王超表示，早在去年初他們已經對下跌的形勢有所預警，并提前做好準備，因此受影響程度不大。反而更關注存儲市場未來的爆發機會。

王超說，東芯在產品規劃上面也制定了五年戰略，將繼續專注中低容量存儲，目標是做到國內市場份額的三分之一以上。針對車規級存儲，計劃三年內進軍車規市場。目前，公司已完成A輪融資，引入了中芯聚源、中金鋒泰等戰略股東。三年內也希望借助資本助力將企業規模做大做強。